パワーデバイスの特性を理解しサクサクとパワエレ回路を設計したい…多くの回路設計者がそう思うにもかかわらず、現実では最初に出てくる半導体物性の難解な理論に阻まれ、設計に役立つ重要な式にたどりつく前に力尽きてしまいます。重要なことは、難解な理論は具体例をもとに物理イメージで捉え、必要な式を使えるようにすることです。
　本講座では、半導体物性の理解と設計に役立つ式を取り上げ、演習を通して回路設計にフル活用できるようにすることを目標としています。このため、以下の3Stepでそのノウハウを身につけます。

• 物理現象や難解な理論を、具体的例をもとに物理イメージを持って理解する
• 設計で使われる重要な式に特化して理解する (Excelを使った演習)
• 理解した重要な式を実際の回路設計に使う (PSIMを使った演習)

1. パワーデバイスの概要
2. 半導体の物性 (SiC、GaN含む)
3. Pn接合の物性、特性 (ダイオード式、ダイオードモデルの比較)
4. IGBTのデバイス構造と電気特性 (回路計算とデバイス動作点の確認)
5. MOSFETのデバイス構造と電気特性 (回路シミュレータを使った損失計算)
6. デバイスの発熱、温度 (回路シミュレータを使った温度計算)
7. パワーデバイスの選定ガイドライン