技術セミナー・研修・出版・書籍・通信教育・eラーニング・講師派遣の テックセミナー ジェーピー
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(2017年5月25日 10:30〜12:00)
SiCやGaNを用いたパワー半導体デバイスは、200℃以上の高温動作が可能となります。高温動作は、冷却器の簡素化や、短時間大電流対応など、システム全体のメリットがあります。それらを実現するには、デバイスの実装技術、とりわけ接合技術が重要で、熱特性、電気特性に加え、温度変化に対する信頼性が必要です。
接合技術は、Agナノ系、合金系など、さまざまな技術が研究されていますが、低コストを狙ったCuナノ系も候補の1つと思われます。
そこで、Cuナノ粒子接合を中心として、パワーサイクル信頼性などについて説明します。
(2017年5月25日 12:45〜14:15)
本講演では、半導体パッケージの熱抵抗を直接的に測定する「過渡熱測定」について解説し、適用事例としてSiC MOSFETの放熱特性評価および故障解析例を紹介する。
(2017年5月25日 14:30〜16:00)
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