第1部 パワーデバイスの接合における信頼性評価

(2017年5月25日 10:30〜12:00)

　SiCやGaNを用いたパワー半導体デバイスは、200℃以上の高温動作が可能となります。高温動作は、冷却器の簡素化や、短時間大電流対応など、システム全体のメリットがあります。それらを実現するには、デバイスの実装技術、とりわけ接合技術が重要で、熱特性、電気特性に加え、温度変化に対する信頼性が必要です。
　接合技術は、Agナノ系、合金系など、さまざまな技術が研究されていますが、低コストを狙ったCuナノ系も候補の1つと思われます。
　そこで、Cuナノ粒子接合を中心として、パワーサイクル信頼性などについて説明します。

1. EV/HV技術
2. 次世代パワー半導体
3. パワー半導体用接合技術
   1. 接合技術に求められる要件
   2. 接合技術の概況
   3. Cuナノ粒子接合
      1. 熱特性および予測
      2. 信頼性評価
   4. その他の接合技術
• 質疑応答

第2部 パワーデバイスパッケージの放熱性能評価技術

(2017年5月25日 12:45〜14:15)

　本講演では、半導体パッケージの熱抵抗を直接的に測定する「過渡熱測定」について解説し、適用事例としてSiC MOSFETの放熱特性評価および故障解析例を紹介する。

1. 過渡熱測定による放熱特性評価
2. 熱抵抗と熱容量
3. 構造関数
4. SiC MOSFETの放熱特性評価
5. 故障解析への応用
6. 熱流体解析と過渡熱測定の組み合わせによる詳細解析
• 質疑応答

第3部 Cuワイヤボンディング接合部の信頼性評価

(2017年5月25日 14:30〜16:00)

1. ワイヤボンディング接合部の信頼性評価の流れ
2. ワイヤボンディング接合部の信頼性評価の項目
3. ワイヤボンディング接合部の信頼性評価方法
   1. ストレスの印加方法
   2. 接合強度による評価方法
   3. 電気特性による評価方法
4. ワイヤボンディング接合部の強度
   1. 型式間の比較
   2. Cuワイヤ、Pd被覆Cuワイヤ、Auワイヤの比較
5. 電気特性の結果
   1. 型式間の比較
   2. Cuワイヤ、Pd被覆Cuワイヤ、Auワイヤの比較
6. ワイヤボンディング接合部の劣化メカニズムの解明
7. ワイヤボンディングの不具合原因の特定
8. まとめ
• 質疑応答