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パワーデバイスの高耐熱接合、実装技術と信頼性評価

パワーデバイスの高耐熱接合、実装技術と信頼性評価

東京都 開催 会場 開催
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開催日

  • 2017年5月25日(木) 10時30分 ～ 16時00分

プログラム

第1部 パワーデバイスの接合における信頼性評価

(2017年5月25日 10:30〜12:00)

　SiCやGaNを用いたパワー半導体デバイスは、200℃以上の高温動作が可能となります。高温動作は、冷却器の簡素化や、短時間大電流対応など、システム全体のメリットがあります。それらを実現するには、デバイスの実装技術、とりわけ接合技術が重要で、熱特性、電気特性に加え、温度変化に対する信頼性が必要です。
　接合技術は、Agナノ系、合金系など、さまざまな技術が研究されていますが、低コストを狙ったCuナノ系も候補の1つと思われます。
　そこで、Cuナノ粒子接合を中心として、パワーサイクル信頼性などについて説明します。

  1. EV/HV技術
  2. 次世代パワー半導体
  3. パワー半導体用接合技術
    1. 接合技術に求められる要件
    2. 接合技術の概況
    3. Cuナノ粒子接合
      1. 熱特性および予測
      2. 信頼性評価
    4. その他の接合技術
    • 質疑応答

第2部 パワーデバイスパッケージの放熱性能評価技術

(2017年5月25日 12:45〜14:15)

　本講演では、半導体パッケージの熱抵抗を直接的に測定する「過渡熱測定」について解説し、適用事例としてSiC MOSFETの放熱特性評価および故障解析例を紹介する。

  1. 過渡熱測定による放熱特性評価
  2. 熱抵抗と熱容量
  3. 構造関数
  4. SiC MOSFETの放熱特性評価
  5. 故障解析への応用
  6. 熱流体解析と過渡熱測定の組み合わせによる詳細解析
    • 質疑応答

第3部 Cuワイヤボンディング接合部の信頼性評価

(2017年5月25日 14:30〜16:00)

  1. ワイヤボンディング接合部の信頼性評価の流れ
  2. ワイヤボンディング接合部の信頼性評価の項目
  3. ワイヤボンディング接合部の信頼性評価方法
    1. ストレスの印加方法
    2. 接合強度による評価方法
    3. 電気特性による評価方法
  4. ワイヤボンディング接合部の強度
    1. 型式間の比較
    2. Cuワイヤ、Pd被覆Cuワイヤ、Auワイヤの比較
  5. 電気特性の結果
    1. 型式間の比較
    2. Cuワイヤ、Pd被覆Cuワイヤ、Auワイヤの比較
  6. ワイヤボンディング接合部の劣化メカニズムの解明
  7. ワイヤボンディングの不具合原因の特定
  8. まとめ
    • 質疑応答
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講師

  • 山田 靖 氏
    大同大学 工学部 電気電子工学科
    教授
  • 遠藤 亮 氏
    株式会社 東レリサーチセンター 材料物性研究部 第2研究室
    研究員
  • 石田 雄二 氏
    株式会社 安川電機 品質保証部
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会場

株式会社 技術情報協会
東京都 品川区 西五反田2-29-5 日幸五反田ビル8F
株式会社 技術情報協会の地図
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主催

株式会社 技術情報協会
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お問い合わせ

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(主催者への直接のお問い合わせはご遠慮くださいませ。)

受講料

1名様
: 55,000円 (税別) / 59,400円 (税込)
複数名
: 50,000円 (税別) / 54,000円 (税込)

複数名同時受講割引について

  • 2名様以上でお申込みの場合、
    1名あたり 50,000円(税別) / 54,000円(税込) で受講いただけます。
    • 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 55,000円(税別) / 59,400円(税込)
    • 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 100,000円(税別) / 108,000円(税込)
    • 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 150,000円(税別) / 162,000円(税込)
  • 同一法人内による複数名同時申込みのみ適用いたします。
  • 受講券、請求書は、代表者にご郵送いたします。
  • 他の割引は併用できません。
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