1. SiC-MOSFETを中心としたSiCパワーデバイスの最新動向と信頼性の課題

(2015年2月9日 10:30〜12:00)

1. パワーデバイスの現状
   1. 次世代パワーデバイス開発の位置づけ
   2. なぜパワーデバイスが高温動作、高周波動作するといいのか
2. 最新シリコンIGBTの進展と課題
   1. IGBT最新技術動向と今後の展開
3. SiCパワーデバイスの現状と課題
   1. SiC-MOSFET設計のポイント
   2. SiC-MOSFETの課題
      1. ゲートしきい値変動
      2. 内蔵ダイオードVf劣化
4. GaNパワーデバイスの現状と課題
   1. 最近のトピックス (太陽光PCSの発売)
   2. GaN-HEMT設計のポイント
   3. GaN-HEMTの課題
      1. ノーマリ-オフ特性
      2. 電流コラプス特性
5. 高温・高周波対応実装技術
   1. SiC-MOSFET新型パッケージ技術
   2. SiC-MOSFET新型モジュール外観と断面
• 質疑応答

2. SiCデバイスの開発動向とSiCインバータモジュールの省電力化、小型化の実現

(2015年2月9日 12:45〜14:15)

1. SiCの概要
2. SiCデバイスに期待される市場
3. SiCの開発・研究事例
   1. SiC-SBD
   2. MOSFET
   3. “フルSiC“パワーモジュール
   4. 高耐熱 (Tj=200℃) パワーモジュール
   5. SiCインバータモジュールの省電力化と小型化
4. SiC特有の応用例
   1. 高周波LLC 3相DC/DCコンバータ
   2. 高電圧パルス発生器
5. まとめ
• 質疑応答

3. 車載パワーモジュールの高放熱化、高耐熱PKG技術動向とSiCデバイス適用の可能性

(2015年2月9日 14:30〜16:00)

1. 自動車産業を取り巻く環境
   1. 環境車開発の必要性
   2. 環境車市場動向
2. Hyundai Motorの環境車開発状況
   1. 環境車開発方針、開発動向
3. HEV用インバータの概要
   1. Hybrid Systemの紹介
   2. Inverter概要
4. HEV用インバータの高機能・高効率化の技術開発動向
   1. HEV用インバータの高パワー密度化
   2. Power Moduleの高放熱化技術
5. HEV/EV用インバータの技術課題、将来展望
   1. 高耐熱・高放熱パッケージ技術
   2. 放熱Systemの高性能化
• 質疑応答