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SiCパワーデバイスの高温・高周波動作対応パッケージ技術

SiCパワーデバイスの高温・高周波動作対応パッケージ技術

東京都 開催 会場 開催
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開催日

  • 2016年2月9日(火) 10時30分 ～ 16時00分

プログラム

1. SiC-MOSFETを中心としたSiCパワーデバイスの最新動向と信頼性の課題

(2015年2月9日 10:30〜12:00)

  1. パワーデバイスの現状
    1. 次世代パワーデバイス開発の位置づけ
    2. なぜパワーデバイスが高温動作、高周波動作するといいのか
  2. 最新シリコンIGBTの進展と課題
    1. IGBT最新技術動向と今後の展開
  3. SiCパワーデバイスの現状と課題
    1. SiC-MOSFET設計のポイント
    2. SiC-MOSFETの課題
      1. ゲートしきい値変動
      2. 内蔵ダイオードVf劣化
  4. GaNパワーデバイスの現状と課題
    1. 最近のトピックス (太陽光PCSの発売)
    2. GaN-HEMT設計のポイント
    3. GaN-HEMTの課題
      1. ノーマリ-オフ特性
      2. 電流コラプス特性
  5. 高温・高周波対応実装技術
    1. SiC-MOSFET新型パッケージ技術
    2. SiC-MOSFET新型モジュール外観と断面
    • 質疑応答

2. SiCデバイスの開発動向とSiCインバータモジュールの省電力化、小型化の実現

(2015年2月9日 12:45〜14:15)

  1. SiCの概要
  2. SiCデバイスに期待される市場
  3. SiCの開発・研究事例
    1. SiC-SBD
    2. MOSFET
    3. “フルSiC“パワーモジュール
    4. 高耐熱 (Tj=200℃) パワーモジュール
    5. SiCインバータモジュールの省電力化と小型化
  4. SiC特有の応用例
    1. 高周波LLC 3相DC/DCコンバータ
    2. 高電圧パルス発生器
  5. まとめ
    • 質疑応答

3. 車載パワーモジュールの高放熱化、高耐熱PKG技術動向とSiCデバイス適用の可能性

(2015年2月9日 14:30〜16:00)

  1. 自動車産業を取り巻く環境
    1. 環境車開発の必要性
    2. 環境車市場動向
  2. Hyundai Motorの環境車開発状況
    1. 環境車開発方針、開発動向
  3. HEV用インバータの概要
    1. Hybrid Systemの紹介
    2. Inverter概要
  4. HEV用インバータの高機能・高効率化の技術開発動向
    1. HEV用インバータの高パワー密度化
    2. Power Moduleの高放熱化技術
  5. HEV/EV用インバータの技術課題、将来展望
    1. 高耐熱・高放熱パッケージ技術
    2. 放熱Systemの高性能化
    • 質疑応答
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講師

  • 岩室 憲幸 氏
    筑波大学 数理物質系 物理工学域
    教授
  • 中村 孝 氏
    ローム 株式会社 研究開発部
    部長
  • 日吉 道明 氏
    株式会社 現代自動車 日本技術研究所 環境車技術チーム
    シニアリサーチャー
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会場

株式会社 技術情報協会
東京都 品川区 西五反田2-29-5 日幸五反田ビル8F
株式会社 技術情報協会の地図
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主催

株式会社 技術情報協会
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お問い合わせ

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(主催者への直接のお問い合わせはご遠慮くださいませ。)

受講料

1名様
: 55,000円 (税別) / 59,400円 (税込)
複数名
: 50,000円 (税別) / 54,000円 (税込)

複数名同時受講割引について

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    • 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 100,000円(税別) / 108,000円(税込)
    • 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 150,000円(税別) / 162,000円(税込)
  • 同一法人内による複数名同時申込みのみ適用いたします。
  • 受講券、請求書は、代表者にご郵送いたします。
  • 他の割引は併用できません。
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