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本セミナーでは、パワー半導体デバイス・パッケージの最新技術、シリコンMOSFET・シリコンIGBTの強み、SiC/GaNパワーデバイスの特長・課題、パワー半導体デバイス全体・SiC/GaN市場予測、シリコンIGBT・SiCデバイス実装技術、SiC/GaNパワーデバイス特有の設計・プロセス技術について、豊富な経験を基に分かりやすく解説いたします。

本セミナーでは、電気回路の視点から、パワーエレクトロニクスの基礎、回路シミュレーション手法、実用的な設計手法、パワーデバイスの使いこなし技術等を解説いたします。

本セミナーでは、性能とコスト・量産性のメリットから、次世代パワー半導体用材料として期待される「酸化ガリウム」について、材料の基礎から、トランジスタ、ショットキーバリアダイオードなどデバイス開発の最新事例、今後の課題と展望を解説いたします。

本セミナーでは、次世代パワーデバイスの有力候補にあげられるGaNデバイスの現状と可能性について解説いたします。

本セミナーでは、パワーデバイス技術の基礎・周辺材料技術と、SiCパワーデバイス、GaNパワーデバイス、酸化ガリウムパワーデバイス、ダイヤモンドパワーデバイスの実際・最新動向について詳解いたします。

本セミナーは、使用頻度の高い基本アナログ回路について、その回路はどのような特長を持つのか、その特長を生かしてどのような時にどのように使用するのか等を10種の基本回路に絞って学ぶ事により、初歩の方でも短時間で十分複雑なアナログ回路が設計できる力が身に付く事を目的としています。

本セミナーでは、SiCパワー半導体開発の最前線を紹介すると共に、SiC単結晶ウェハの開発状況・ビジネス展開について解説し、SiC単結晶ウェハ開発において今後取り組むべき技術課題を議論いたします。
SiCパワー半導体に関する基礎知識、開発・ビジネスの概況、SiCパワー半導体の礎となるSiC単結晶ウェハに関する基礎知識、開発・ビジネスの概況について修得いただけます。