技術セミナー・研修・出版・書籍・通信教育・eラーニング・講師派遣の テックセミナー ジェーピー
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本セミナーでは、半導体微細化を支えるフォトレジスト材料の分子設計について基礎から解説し、感度・解像度・LERのトレードオフを分子設計の観点から詳解いたします。
フォトレジスト材料は、半導体の微細加工技術を支える重要な材料であり、G線、i線、KrFおよびArFエキシマーレーザー、さらには極端紫外線 (EUV) へと進展してきた露光技術に対応して、その分子構造や設計思想を大きく変化させながら発展してきた。特に2017年以降、EUV露光技術の実用化が進み、さらなる高感度化、高解像度化および低欠陥化を実現する新しいレジスト材料の開発が強く求められている。
本講座では、フォトレジスト材料の基礎から最新技術までを体系的に解説する。まず、従来のレジスト材料の種類や構造、動作原理について説明し、レジスト用ポリマーや関連材料の分子設計および合成手法を紹介する。さらに、化学増幅型レジストや分子レジストの設計思想と合成技術について解説するとともに、EUV用レジスト材料の研究開発動向を概説する。加えて、感度・解像度・ラインエッジラフネス (LER) などの性能評価と課題について説明し、次世代レジスト材料に向けた分子設計の方向性について考察する。
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