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レジスト材料開発における分子設計・合成・評価の実践技術

レジスト材料開発における分子設計・合成・評価の実践技術

オンライン 開催

概要

本セミナーでは、半導体微細化を支えるフォトレジスト材料の分子設計について基礎から解説し、感度・解像度・LERのトレードオフを分子設計の観点から詳解いたします。

開催日

  • 2026年10月13日(火) 10時30分16時30分

受講対象者

  • フォトレジストに関連する技術者、開発者、研究者
  • フォトレジストで課題を抱えている方
  • これからフォトレジストに携わる方

修得知識

  • フォトレジスト材料の基礎
  • レジストシステムの今後の動向
  • レジスト材料の問題点
  • レジスト材料の分子設計方法
  • レジスト材料の開発の方向性

プログラム

 フォトレジスト材料は、半導体の微細加工技術を支える重要な材料であり、G線、i線、KrFおよびArFエキシマーレーザー、さらには極端紫外線 (EUV) へと進展してきた露光技術に対応して、その分子構造や設計思想を大きく変化させながら発展してきた。特に2017年以降、EUV露光技術の実用化が進み、さらなる高感度化、高解像度化および低欠陥化を実現する新しいレジスト材料の開発が強く求められている。
 本講座では、フォトレジスト材料の基礎から最新技術までを体系的に解説する。まず、従来のレジスト材料の種類や構造、動作原理について説明し、レジスト用ポリマーや関連材料の分子設計および合成手法を紹介する。さらに、化学増幅型レジストや分子レジストの設計思想と合成技術について解説するとともに、EUV用レジスト材料の研究開発動向を概説する。加えて、感度・解像度・ラインエッジラフネス (LER) などの性能評価と課題について説明し、次世代レジスト材料に向けた分子設計の方向性について考察する。

  1. フォトレジスト材料の基礎
    1. 半導体リソグラフィ技術の進展
    2. ポジ型レジストとネガ型レジスト
    3. レジスト材料に求められる性能
    4. G線、i線、KrF、ArFおよびEUV露光技術
  2. フォトレジスト材料の分子設計
    1. ノボラック系レジスト
    2. 化学増幅型レジストの原理
    3. 保護基・酸発生剤 (PAG) の設計
    4. 高分子レジストと低分子レジスト
    5. 分子レジストの設計
  3. レジスト材料の合成技術
    1. レジスト用ポリマーの合成法
    2. 保護基導入反応
    3. 酸発生剤および添加剤の設計
    4. 分子レジストの合成例
    5. EUV対応材料の合成例
  4. レジスト材料の評価技術
    1. 分子量・組成・熱特性評価
    2. 溶解特性評価
    3. パターン形成評価
    4. 感度・解像度・LER評価
    5. レジスト性能の解析方法
  5. EUVレジスト材料の開発
    1. EUV露光の特徴
    2. 化学増幅型EUVレジスト
    3. 分子レジスト
    4. メタルレジスト
    5. 確率論的欠陥 (Stochastic Defect) の課題
  6. 最新のレジスト材料開発動向
    1. 高感度化への分子設計
    2. 高解像度化への分子設計
    3. LER低減技術
    4. 次世代EUVレジスト材料
    5. 今後の研究開発の方向性

講師

  • 工藤 宏人
    関西大学 化学生命工学部 化学・物質工学科
    教授

主催

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お問い合わせ

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(主催者への直接のお問い合わせはご遠慮くださいませ。)

受講料

1名様
: 50,000円 (税別) / 55,000円 (税込)
複数名
: 25,000円 (税別) / 27,500円 (税込) (案内をご希望の場合に限ります)

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    • 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 45,000円(税別) / 49,500円(税込)
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    • 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 100,000円(税別) / 110,000円(税込)
    • 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 150,000円(税別) / 165,000円(税込)

ライブ配信セミナーについて

  • 本セミナーは「Zoom」を使ったライブ配信セミナーとなります。
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  • 開催日前に、接続先URL、ミーティングID​、パスワードを別途ご連絡いたします。
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  • セミナー資料は、PDFファイルをダウンロードいただきます。
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  • Zoomのグループにパスワードを設定しています。お申込者以外の参加を防ぐため、パスワードを外部に漏洩しないでください。
    万が一、部外者が侵入した場合は管理者側で部外者の退出あるいはセミナーを終了いたします。

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