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フォトレジスト材料の基本的分子設計から、最先端レジスト材料の合成法と評価法

フォトレジスト材料の基本的分子設計から、最先端レジスト材料の合成法と評価法

オンライン 開催

概要

本セミナーでは、高分子・低分子化合物のレジスト材料に関する基礎や評価方法を解説いたします。

開催日

  • 2024年11月12日(火) 10時30分 16時30分

受講対象者

  • フォトレジストに関連する技術者、開発者、研究者
  • フォトレジストで課題を抱えている方
  • これからフォトレジストに携わる方

修得知識

  • レジスト材料の基礎
  • レジスト材料の合成方法
  • レジスト材料の評価方法
  • レジスト材料の開発方法

プログラム

 フォトレジスト材料の開発は、G線、i線、KrFおよびArFエキシマーレーザーと、露光システムの変遷により、そのレジスト材料の骨格を変化させ、それぞれに対応したレジスト材料が開発されてきた。現在、極端紫外線 (EUV) 露光システムが実用段階として運用されようとしている。しかしながら、EUV露光システムの能力を十分に引き出せるレジスト材料が開発されていない。
 本テーマでは、これまで開発されてきたレジスト材料の基本的な構造を紹介しながら、レジスト材料の合成方法について、基本的な合成方法から最新の合成例について解説する。さらに、分子レジストや化学増幅型レジストの原理や合成方法について解説し、EUV用レジスト材料の研究開発例を紹介し、それらの問題点、および今後の分子設計方法について解説する。

  1. レジスト材料
    1. 原理
    2. 合成例
    3. 最新の化学増幅型
  2. ポジ型レジスト材料
    1. 材料的な特性
    2. 主な応用・用途
  3. ネガ型レジスト材料
    1. 材料的な特性
    2. 主な応用・用途
  4. 高分子レジスト材料と低分子レジスト
    1. 材料的な特性
    2. 主な応用・用途
  5. EUV用レジスト材料の評価方法と開発方法の実例
    1. レジスト材料の評価項目,評価手法について
    2. レジスト材料の評価方法と開発例
  6. 最新型EUV用レジスト材料
    1. メタルレジスト
    2. 化学増幅型レジストと非化学増幅型レジスト材料

講師

  • 工藤 宏人
    関西大学 化学生命工学部 化学・物質工学科
    教授

主催

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お問い合わせ

本セミナーに関するお問い合わせは tech-seminar.jpのお問い合わせからお願いいたします。
(主催者への直接のお問い合わせはご遠慮くださいませ。)

受講料

1名様
: 49,000円 (税別) / 53,900円 (税込)
1口
: 60,000円 (税別) / 66,000円 (税込) (3名まで受講可)

ライブ配信セミナーについて

  • 本セミナーは「Zoom」を使ったライブ配信セミナーとなります。
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  • 講義の録音、録画などの行為や、権利者の許可なくテキスト資料、講演データの複製、転用、販売などの二次利用することを固く禁じます。
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    万が一、部外者が侵入した場合は管理者側で部外者の退出あるいはセミナーを終了いたします。

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