技術セミナー・研修・出版・書籍・通信教育・eラーニング・講師派遣の テックセミナー ジェーピー
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本セミナーでは、高分子・低分子化合物のレジスト材料に関する基礎や評価方法を解説いたします。
フォトレジスト材料の開発は、G線、i線、KrFおよびArFエキシマーレーザーと、露光システムの変遷により、そのレジスト材料の骨格を変化させ、それぞれに対応したレジスト材料が開発されてきた。現在、極端紫外線 (EUV) 露光システムが実用段階として運用されようとしている。しかしながら、EUV露光システムの能力を十分に引き出せるレジスト材料が開発されていない。
本テーマでは、これまで開発されてきたレジスト材料の基本的な構造を紹介しながら、レジスト材料の合成方法について、基本的な合成方法から最新の合成例について解説する。さらに、分子レジストや化学増幅型レジストの原理や合成方法について解説し、EUV用レジスト材料の研究開発例を紹介し、それらの問題点、および今後の分子設計方法について解説する。
| 開始日時 | 会場 | 開催方法 | |
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| 発行年月 | |
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| 2007/7/13 | 樹脂の硬化度・硬化挙動の測定と評価方法 |
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