第1部 「リソグラフィ用DUV光源・EUV光源の発展と半導体高密度化への展開」

Progress of DUV and EUV light source for Lithography, and its new Application for High density Packaging of Semiconductor

(12:30〜13:30)

　最先端リソグラフィはDUV (KrF,ArF, ArF液浸) 領域からEUV領域へ長足の進歩を遂げつつある。この動きと軌を一にして半導体製造技術 (中間層、高密度実装) も最先端で大きく繁忙しつつある。
　本講演ではEUVリソグラフィ用光源開発の最新動向と最近の九州大学でのEUV関連研究の動向について報告する。高密度実装に向けてギガフォトン者が取り組んでいるハイブリッドエキシマレーザーの国プロでの試験でCMC材 (SiC複合材) の優れた加工性能を実証した。この成果は、このレーザーの高密度実装技術への大きな可能性を示している。講演ではEUV光源開発の最前線と、弊社で提案している最先端のハイブリッドDUVレーザーの高密度実装への応用の現状について報告する。

1. Introduction
   1. New Trend of Semiconductor Manufacturing Technology
   2. Topics: Business Trend of DUV Lithography
2. FRONT END: EUV Source development for Lithography
   1. Market trend of EUV Lithography
   2. 300W EUV Source (Pilot#1) for EUV Lithography
   3. EUV Mask inspection and Light Source
   4. New EUV Activity of Kyushu – Univ.
3. MIDDLE END: DUV Direct Laser Processing
   1. Packaging and DUV laser processing (COMPAUND OF CERAMIC & PLASTIC)
   2. Hybrid Excimer Laser and Advanced material processing
4. Summary, Acknowledgement

第2部 「リソグラフィ技術の発展とレジスト材料の原理」

(13:40〜16:40)

　半導体製造プロセス全体におけるリソグラフィの位置づけ、半導体パターン微細化に伴うリソグラフィ用露光方式の進化の流れを、専門外の方々にもわかりやすく説明する。次に、投影露光装置の構成、主要性能と要素性能の関係について述べ、露光装置についての定性的理解を深めてもらう。更に、解像度に対する投影光学系、照明光学系のパラメータと露光波長の寄与ついて数式を用いて詳しく解説し、専門の方には計算の仕方を、専門外の方には計算結果の意味するところを理解してもらう。そして、多層膜ミラー、反射光学系を含むEUV露光装置の特徴について説明する。更に、原版となるマスク上に半導体パターンを描画するために用いられる電子ビーム露光装置について説明する。最後に、露光装置によって形成される光強度分布からレジスト像への転写原理、レジスト材料の原理について述べる。

1. 半導体製造プロセス全体におけるリソグラフィの位置づけ
2. 半導体露光装置の露光方式の進化
3. ウエハパターニング用半導体露光装置の性能と要素機能
   • 部分的コヒーレンス理論
   • 解像度
   • 解像度向上策
   • 重ね合わせ精度
   • スループットを含む
4. EUV露光装置
   • 多層膜ミラー
   • 反射光学系
   • 真空ステージ
   • Cost of Ownershipを含む
5. 電子ビーム露光装置
6. レジスト材料の原理