技術セミナー・研修・出版・書籍・通信教育・eラーニング・講師派遣の テックセミナー ジェーピー
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本セミナーでは、SiC単結晶成長からウェハ加工、それらの材料評価技術に関する、基礎から応用、技術開発動向について解説し、高品位質で低コストなウェハを実現する製造技術について議論いたします。
SiCパワー半導体は近年、次世代の省エネルギー電力制御機器としてEVや鉄道などにも社会実装が始まっている。SiCウェハも8インチの大口径へ量産品が進もうとしているが、SiCは極めて安定でダイヤモンドに匹敵する堅牢な結晶であるため、そのウェハ製造はシリコンより極めて技術的に難しい側面もある。
本セミナーではSiC単結晶成長からウェハ加工、それらの材料評価技術に関する、基礎から応用、技術開発動向について解説し、高品位質で低コストなウェハを実現する製造技術について議論する。
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開始日時 | 会場 | 開催方法 | |
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2025/1/31 | 半導体封止材用エポキシ樹脂の種類と特性および解析方法 | オンライン | |
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発行年月 | |
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2014/10/31 | 炭化ケイ素半導体 技術開発実態分析調査報告書 (CD-ROM版) |
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2013/10/31 | ディジタルコンバータの回路と制御設計の基礎 |
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2012/4/25 | GaNパワーデバイスの技術展開 |
2012/4/15 | Intel 【米国特許版】 技術開発実態分析調査報告書 |