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パワー半導体用SiCウェハの加工技術とその高速、高品質化

パワー半導体用SiCウェハの加工技術とその高速、高品質化

～高品質、高能率、低コストな加工技術の開発へ向けた開発状況を詳解～
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概要

本セミナーでは、SiC単結晶成長からウェハ加工、それらの材料評価技術に関する、基礎から応用、技術開発動向について解説し、高品位質で低コストなウェハを実現する製造技術について議論いたします。

開催日

  • 2023年3月14日(火) 10時30分 ～ 16時15分

修得知識

  • 半導体用SiCウェハ加工技術の基礎知識
  • SiCウェハ加工技術の開発動向や技術課題
  • SiCウェハ産業の今後の動向に関する情報
  • 電気化学機械研磨によるスラリーを用いない新しいSiCウエハの高能率ダメージフリー研磨技術
  • 固定砥粒定盤を用いたSiCウエハの平坦化と平滑化を両立する研磨技術

プログラム

第1部 SiCウェハの加工 (切断、研削、研磨) 技術とその評価

(2023年3月14日 10:30〜14:30) 途中、昼休みを含む

　高出力で低損失な電力制御システムにSiCパワー半導体が普及始めており、今後のカーボンニュートラル社会には必要な技術分野として産業化加速が見込まれる。本セミナーではSiCウェハ加工工程の技術開発動向について解説し、高品質かつ低コストなウェハを実現する製造技術について議論する。

  1. SiCパワー半導体の開発動向とSiCウェハ開発
  2. SiCウェハ加工技術
    1. SiCウェハ加工工程と技術課題
    2. SiC単結晶の切断技術
    3. 切断工程の高速化技術
    4. 切断工程の課題と新しい切断技術
    5. SiCウェハの研削加工
    6. 研削加工の高速・鏡面化技術
    7. 研削工程の課題と新しい研削加工技術
    8. SiCウェハの研磨加工
    9. 研磨加工と研削加工の特徴や違い
    10. 研磨工程の課題と新しい研削加工技術
    11. SiCウェハのCMP加工
    12. CMPの高速化技術
    13. CMP工程の課題と新しいCMP加工技術
    14. 加工が及ぼすSiCウェハ表面の加工変質層とその特徴
    15. 加工変質層の評価技術
    16. 加工変質層の抑制技術
    17. SiCウェハ加工における大口径化対応の技術課題
    18. 大口径化対応へ向けた解決策の検討
    • 質疑応答

第2部 固定砥粒定盤を用いた電気化学機械研磨によるSiCの高能率スラリーレス加工法

(2023年3月14日 14:45〜16:15)

　SiCウエハは高性能な省電力パワーデバイス作製用基板としてますますその需要が高まっており、高能率かつ低コストでウエハを作製する加工技術が求められている。現状のSiCウエハ製造工程は結晶成長、スライシング、ラッピング、ポリシング等の多数の工程から構成されているが、その中でもポリシングは化学機械研磨 (Chemical Mechanical Polishing: CMP) により行われている。CMPは高価で環境負荷が大きなスラリーを用いており、また、研磨レートが小さいことが問題となっている。
　本講座では、スラリーを用いずに陽極酸化による表面改質と固定砥粒定盤による改質膜の除去を複合し、平坦化と平滑化を一貫して行うことで高能率かつダメージフリーにSiCウエハを加工する新しいプロセスの原理と加工特性を紹介する。

  1. 電気化学機械研磨 (Electrochemical Mechanical Polishing: ECMP) の原理
    1. 研究開発の背景
    2. 陽極酸化によるSiC表面の改質
    3. SiCの陽極酸化特性と酸化膜の物性
    4. 固定砥粒定盤を用いたECMP装置
  2. ECMPによる4H – SiCウエハの加工特性
    1. 表面ダメージと酸化レートの相関
    2. 電流密度と酸化レートの相関
    3. 表面歪みと酸化レートの相関
    4. 3段階ECMPプロセスによる4インチスライスウエハの研磨特性
  3. まとめ
    • 質疑応答
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講師

  • 加藤 智久 氏
    国立研究開発法人 産業技術総合研究所 つくば西事業所 エネルギー・環境領域 先進パワーエレクトロニクス研究センター ウェハプロセスチーム
    研究チーム長
  • 山村 和也 氏
    大阪大学
    栄誉教授
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主催

株式会社 技術情報協会
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: 50,000円 (税別) / 55,000円 (税込)
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