技術セミナー・研修・出版・書籍・通信教育・eラーニング・講師派遣の テックセミナー ジェーピー
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本セミナーでは、SiC単結晶成長からウェハ加工、それらの材料評価技術に関する、基礎から応用、技術開発動向について解説し、高品位質で低コストなウェハを実現する製造技術について議論いたします。
SiCパワー半導体はここ数年で省エネルギー電力制御機器として各産業分野に実装が進み、SiCウェハ産業も世界的に拡大しつつある。
SiCウェハは極めて硬く安定な材料であるため、その材料となるSiC単結晶の成長やウェハ加工は技術的にシリコンよりかなり難易度が高いことが知られている。本セミナーではSiC単結晶成長からウェハ加工、それらの材料評価技術に関する、基礎から応用、技術開発動向について解説する。
教員、学生および医療従事者はアカデミー割引価格にて受講いただけます。
開始日時 | 会場 | 開催方法 | |
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2024/5/30 | 次世代半導体パッケージング・実装技術動向と市場展望 | オンライン | |
2024/5/31 | 電動化 (EV駆動等) モータと回路基板の高電圧化・高周波化・熱対策に向けた、樹脂材料開発と絶縁品質評価技術 | オンライン |
発行年月 | |
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2008/9/1 | 半導体製造用炭化ケイ素 技術開発実態分析調査報告書 (PDF版) |
2008/9/1 | 半導体製造用炭化ケイ素 技術開発実態分析調査報告書 |
1999/10/29 | DRAM混載システムLSI技術 |
1992/11/11 | VLSI試験/故障解析技術 |
1990/6/1 | LSI周辺金属材料・技術 |
1988/10/1 | 高密度表面実装 (SMT) におけるLSIパッケージング技術 |
1988/2/1 | 半導体の故障モードと加速試験 |
1985/12/1 | アナログIC/LSIパターン設計 (Ⅰ) |
1985/11/1 | アナログIC/LSIパターン設計 (Ⅱ) |