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パワー半導体用SiCの単結晶成長技術およびウェハ加工技術の開発動向

パワー半導体用SiCの単結晶成長技術およびウェハ加工技術の開発動向

～高品位質、大口径化、量産化、低コストなウェハを実現するために～
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概要

本セミナーでは、SiC単結晶成長からウェハ加工、それらの材料評価技術に関する、基礎から応用、技術開発動向について解説し、高品位質で低コストなウェハを実現する製造技術について議論いたします。

開催日

  • 2023年2月21日(火) 10時30分 ～ 16時30分

修得知識

  • 半導体用SiCの基礎知識
  • 半導体用SiCウェハ製造技術 (結晶成長、加工、評価) の基礎知識
  • 半導体用SiCウェハ製造技術の開発動向
  • 半導体用SiCウェハ製造技術の技術課題とアプローチ
  • SiCウェハ産業の動向に関する知識

プログラム

　SiCパワー半導体はここ数年で省エネルギー電力制御機器として各産業分野に実装が進み、SiCウェハ産業も世界的に拡大しつつある。
　SiCウェハは極めて硬く安定な材料であるため、その材料となるSiC単結晶の成長やウェハ加工は技術的にシリコンよりかなり難易度が高いことが知られている。本セミナーではSiC単結晶成長からウェハ加工、それらの材料評価技術に関する、基礎から応用、技術開発動向について解説する。

  1. SiCパワー半導体の開発動向とSiCウェハ開発
    1. SiCの基礎と物性
      1. 身近なSiC
      2. ワイドギャップ半導体と特徴
      3. SiCウェハ加藤 智久
      4. 他半導体材料とSiCの違い
    2. SiCパワー半導体への応用
      1. SiCを使ったパワーエレクトロニクス技術
      2. SiCパワー素子がもたらす技術変革・応用事例
    3. SiCウェハの材料技術開発の動向と市場の要求
      1. パワー半導体用SiCウェハ開発の歴史
      2. 国内・外でのSiCウェハ開発動向
      3. SiCウェハ開発に対する今後の期待
  2. SiC単結晶製造技術
    1. SiC単結晶の合成・成長方法
      1. SiCの合成
      2. SiC単結晶の量産技術
      3. 各種SiC単結晶成長技術の特徴
      4. シリコンから見たSiC単結晶製造技術の課題と期待
    2. 結晶多形と特徴
      1. SiCの結晶多形 (ポリタイプ) と物性
      2. 多形制御技術
    3. 結晶欠陥と制御
      1. SiC単結晶の結晶欠陥と影
      2. SiC単結晶の欠陥評価技術
      3. SiC単結晶の欠陥抑制技術
    4. 大口径結晶の成長
      1. SiC単結晶の口径拡大成長技術
      2. 大口径化がもたらす効果と技術課題
    5. n/p型の伝導度制御
      1. SiC単結晶の伝導度制御
      2. SiC単結晶の低抵抗化技術
  3. SiCウェハ加工技術
    1. SiCのウェハ加工
      1. SiCウェハ加工工程と技術課題
    2. ウェハ切断工程
      1. SiC単結晶の切断技術
      2. 切断工程の高速化技術
      3. 切断工程の課題と新しい切断技術
    3. ウェハ研削工程
      1. SiCウェハの研削加工
      2. 研削加工の高速・鏡面化技術
      3. 研削工程の課題と新しい研削加工技術
    4. ウェハ研磨工程
      1. SiCウェハの研磨加工
      2. 研磨加工と研削加工の特徴や違い
      3. 研磨工程の課題と新しい研削加工技術
    5. CMP工程
      1. SiCウェハのCMP加工
      2. CMPの高速化技術
      3. CMP工程の課題と新しいCMP加工技術
    6. 加工変質層と評価
      1. 加工が及ぼすSiCウェハ表面の加工変質層とその特徴
      2. 加工変質層の評価技術
      3. 加工変質層の抑制技術
    7. 大口径化対応
      1. SiCウェハ加工における大口径化対応の技術課題
      2. 大口径化対応へ向けた解決策の検討
    • 質疑応答
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講師

  • 加藤 智久 氏
    国立研究開発法人 産業技術総合研究所 つくば西事業所 エネルギー・環境領域 先進パワーエレクトロニクス研究センター ウェハプロセスチーム
    研究チーム長
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主催

サイエンス＆テクノロジー 株式会社
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お問い合わせ

本セミナーに関するお問い合わせは tech-seminar.jpのお問い合わせからお願いいたします。
(主催者への直接のお問い合わせはご遠慮くださいませ。)

受講料

1名様
: 34,200円 (税別) / 37,620円 (税込)
複数名
: 22,500円 (税別) / 24,750円 (税込)

複数名受講割引

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    • 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 34,200円(税別) / 37,620円(税込)
    • 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 45,000円(税別) / 49,500円(税込)
    • 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 67,500円(税別) / 74,250円(税込)
  • 同一法人内 (グループ会社でも可) による複数名同時申込みのみ適用いたします。
  • 受講券、請求書は、代表者にご郵送いたします。
  • 請求書および領収書は1名様ごとに発行可能です。
    申込みフォームの通信欄に「請求書1名ごと発行」とご記入ください。
  • 他の割引は併用できません。
  • サイエンス&テクノロジー社の「2名同時申込みで1名分無料」価格を適用しています。

アカデミー割引

教員、学生および医療従事者はアカデミー割引価格にて受講いただけます。

  • 1名様あたり 10,000円(税別) / 11,000円(税込)
  • 企業に属している方(出向または派遣の方も含む)は、対象外です。
  • お申込み者が大学所属名でも企業名義でお支払いの場合、対象外です。

ライブ配信セミナーについて

  • 本セミナーは「Zoom」を使ったライブ配信セミナーとなります。
  • お申し込み前に、 視聴環境 と テストミーティングへの参加手順 をご確認いただき、 テストミーティング にて動作確認をお願いいたします。
  • 開催日前に、接続先URL、ミーティングID​、パスワードを別途ご連絡いたします。
  • セミナー開催日時に、視聴サイトにログインしていただき、ご視聴ください。
  • セミナー資料は郵送にて前日までにお送りいたします。
  • 開催まで4営業日を過ぎたお申込みの場合、セミナー資料の到着が、開講日に間に合わない可能性がありますこと、ご了承下さい。
    ライブ配信の画面上でスライド資料は表示されますので、セミナー視聴には差し支えございません。
    印刷物は後日お手元に届くことになります。
  • ご自宅への書類送付を希望の方は、通信欄にご住所・宛先などをご記入ください。
  • タブレットやスマートフォンでも受講可能ですが、機能が制限される場合があります。
  • ご視聴は、お申込み者様ご自身での視聴のみに限らせていただきます。不特定多数でご覧いただくことはご遠慮下さい。
  • 講義の録音、録画などの行為や、権利者の許可なくテキスト資料、講演データの複製、転用、販売などの二次利用することを固く禁じます。
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    万が一、部外者が侵入した場合は管理者側で部外者の退出あるいはセミナーを終了いたします。
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