多様化する先端半導体パッケージと要素技術の最新動向

～FOWLP、3D-IC/TSV、各種インターポーザ、チップレット、Si Bridge等の先端技術動向と、実装材料開発の取り組み～

オンライン開催

概要

本セミナーでは、最新のパッケージ技術動向を東北大学の福島准教授に解説いただくとともに、先端パッケージの材料開発にオープンイノベーションで取り組む昭和電工マテリアルズ社の宮﨑氏よりコンソーシアムとその活動例について、解説いただきます。

開催日

2022年3月18日(金) 10時30分～ 16時00分

修得知識

半導体パッケージングのトレンド
FOWLP、3D-IC/TSV、各種インターポーザ、Si Bridgeの欠点・利点
チップレットとは何か?
最新のTSVやCu – Cuハイブリッド接合技術
同業他社との協業のメリットや進め方

プログラム

第1部: 先端半導体パッケージング技術と最新動向

- FOWLP, 3D-IC/TSV,各種インターポーザチップレット, Si Bridge等で多様化する実装形態の進化について-

(2022年3月18日 10:30〜14:40 昼食休憩含む)

　本セミナーでは、最近の半導体パッケージングで話題となっているFOWLP (Fan-Out Wafer-Level Packaging) とSi貫通配線 (TSV) を使った三次元積層型集積回路 (3D-IC) の特徴やそれらに必要とされる技術について分かりやすく説明します。
　最近、コスト重視でモバイル用途の標準となったFOWLP、および性能重視でDeep Learningなどに必須なHBM (High-Bandwidth Memory) に加え、各種インターポーザやSi Bridgeが融合し、多様化した先端パッケージングが次々と登場しています。そこにムーアの法則の新たな牽引役「チップレット」の概念が登場し、パッケージング形態がより高度になってきています。
　ここでは半導体パッケージング技術最大の国際会議IEEE ECTCで話題となっている研究などを中心にこれらの動向を解説します。

先端半導体パッケージの背景:
- Fan-Out Wafer-Level Packaging (FOWLP) と三次元積層型集積回路 (3D-IC) の比較
FOWLP
1. FOWLPの概要と歴史
2. FOWLPの分類と特徴
  - Die-first
  - RDL-first
  - InFO
3. FOWLPの課題
  1. ダイシフト (Die shift)
  2. ウエハ反り (Warpage)
  3. RDLの微細化 (Size scaling)
4. FOWLP の研究開発動向
5. D-IC
6. 3D-ICの概要と歴史
7. 3D-ICの分類
  1. 積層対象による分類 (Wafer-on-Wafer v.s. Chip-on-Wafer)
  2. 積層形態による分類 (Face-to-Face & Back-to-Face)
  3. TSV形成工程による分類
    1. Via-MiddleによるTSV形成工程
    2. Via-LastによるTSV形成工程
  4. 接合方式による分類
8. TSV形成技術
  1. 高異方性ドライエッチング (Bosch etch vs. Non-Bosch etch)
  2. TSVライナー絶縁膜堆積
  3. バリア/シード層形成
  4. ボトムアップ電解めっき
  5. その他のTSV形成技術
9. チップ/ウエハ薄化技術
10. テンポラリー接着技術
11. アセンブリ・接合技術
  1. 微小はんだバンプ接合技術とアンダーフィル
  2. SiO2-SiO2直接接合
  3. Cu-Cuハイブリッドボンディング
  4. 無機異方導電性フィルム (iACF) を用いた接合技術
  5. 液体の表面張力を用いた自己組織化チップ実装技術
チップレット: AMD社やNVIDIA社の例を挙げて
各社の先端半導体パッケージング技術の開発動向
1. ソニー社イメージセンサの接合技術
2. 新光電気社のインターポーザ技術”i-THOP”
3. 三次元DRAM技術”HBM”
4. TSMC社のFOWLP技術”InFO”
5. TSMC社のChip-on-Wafer積層技術”CoWoS”
6. Intel社のSi Bridge技術”EMIB”
7. Intel社の3D-IC/TSV技術”Foveros”
多様化する半導体パッケージング
- 国際会議ECTCにおける今年と来年の動向 –
おわりに

質疑応答

第2部: 次世代半導体パッケージに対応する実装技術の構築に向けたオープンイノベーションの取り組み

(2022年3月18日 14:50〜16:00)

　ムーアの法則の終焉が近づき、更なる高速・高機能・高集積に向けて新規パッケージが種々提案される中で、実装材料メーカーとしては顧客へのより早く質の高いトータソリューションを提案することが益々重要となる。それを実現するためにはオープンイノベーションは有効な手段であるが、特に同業他社との協創のハードルが高いことは材料メーカーに限ったことではない。
　本セッションではお客様や協業パートナー各社との協創の場として設立したパッケージングソリューションセンタの概要やコンセプト、そこで活動を開始しているコンソーシアムJOINT設立までの経緯、更にそれを進化させて今年設立した新しいコンソーシアムJOINT2の概要と今後の展望について解説する。

パッケージングソリューションセンタ概要
1. パッケージングソリューションセンタのコンセプト
2. パッケージングソリューションセンタの機能
3. パッケージングソリューションセンタの装置群
パッケージングソリューションセンタにおけるオープンイノベーション戦略
1. コンソーシアム設立まで (JOINT PJの活動)
2. コンソーシアムJOINTの概要とコンセプト
3. コンソーシアムJOINTの活動内容
NEDO補助金事業「ポスト5G情報通信システム基盤強化研究開発事業/先端半導体製造技術の開発」推進に向けた活動事例
1. コンソーシアムJOINT2の概要
2. コンソーシアムJOINT2の活動内容
まとめ

質疑応答

ページのトップヘ

講師

福島誉史氏
東北大学大学院工学研究科機械機能創成専攻

准教授
宮﨑忠一氏
昭和電工マテリアルズ株式会社パッケージングソリューションセンタ

主管研究員

ページのトップヘ

主催

サイエンス＆テクノロジー株式会社

お支払い方法、キャンセルの可否は、必ずお申し込み前にご確認をお願いいたします。

お問い合わせ

本セミナーに関するお問い合わせは tech-seminar.jpのお問い合わせからお願いいたします。

(主催者への直接のお問い合わせはご遠慮くださいませ。)

受講料

1名様

: 30,400円 (税別) / 33,440円 (税込)

複数名

: 22,500円 (税別) / 24,750円 (税込)

複数名受講割引

2名様以上でお申込みの場合、1名あたり 22,500円(税別) / 24,750円(税込) で受講いただけます。
- 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 30,400円(税別) / 33,440円(税込)
- 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 45,000円(税別) / 49,500円(税込)
- 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 67,500円(税別) / 74,250円(税込)
同一法人内 (グループ会社でも可) による複数名同時申込みのみ適用いたします。
受講券、請求書は、代表者にご郵送いたします。
請求書および領収書は1名様ごとに発行可能です。
申込みフォームの通信欄に「請求書1名ごと発行」とご記入ください。
他の割引は併用できません。
サイエンス&テクノロジー社の「2名同時申込みで1名分無料」価格を適用しています。

アカデミー割引

教員、学生および医療従事者はアカデミー割引価格にて受講いただけます。

1名様あたり 10,000円(税別) / 11,000円(税込)
企業に属している方(出向または派遣の方も含む)は、対象外です。
お申込み者が大学所属名でも企業名義でお支払いの場合、対象外です。

ライブ配信セミナーについて

本セミナーは「Zoom」を使ったライブ配信セミナーとなります。
お申し込み前に、視聴環境とテストミーティングへの参加手順をご確認いただき、テストミーティングにて動作確認をお願いいたします。
開催日前に、接続先URL、ミーティングID、パスワードを別途ご連絡いたします。
セミナー開催日時に、視聴サイトにログインしていただき、ご視聴ください。
セミナー資料は、PDFファイルをダウンロードいただきます。
ご自宅への書類送付を希望の方は、通信欄にご住所・宛先などをご記入ください。
タブレットやスマートフォンでも受講可能ですが、機能が制限される場合があります。
ご視聴は、お申込み者様ご自身での視聴のみに限らせていただきます。不特定多数でご覧いただくことはご遠慮下さい。
講義の録音、録画などの行為や、権利者の許可なくテキスト資料、講演データの複製、転用、販売などの二次利用することを固く禁じます。
Zoomのグループにパスワードを設定しています。お申込者以外の参加を防ぐため、パスワードを外部に漏洩しないでください。
万が一、部外者が侵入した場合は管理者側で部外者の退出あるいはセミナーを終了いたします。

本セミナーは終了いたしました。

セミナーの再開催を依頼する

ページのトップヘ

開始日時		開催方法
2025/8/27	ドライエッチング技術の基礎と原子層エッチング (ALE) の最新技術動向	オンライン
2025/8/27	半導体製造の化学機械研磨 (CMP) 技術の概要とCMP後洗浄の特徴〜今後の動向	オンライン
2025/8/28	先端半導体パッケージ基板の最新動向と再配線層材料の開発	オンライン
2025/8/28	次世代自動車・データセンタ用サーバ電源高性能化に対応するSiC/GaNパワーデバイスの技術動向と課題	オンライン
2025/8/29	自動車の電動化に向けたシリコン、SiC・GaNパワーデバイス開発の最新状況と今後の動向	オンライン
2025/9/4	半導体パッケージの基礎と製作プロセスその課題および最新技術動向	オンライン
2025/9/9	チップレット実装に関する基礎とテスト・評価技術	オンライン
2025/9/10	GaNパワーデバイスの特性と横型・縦型デバイスの開発状況・応用展開	オンライン
2025/9/10	半導体リソグラフィの全体像	オンライン
2025/9/11	データセンター向け光インターコネクトの最新動向と光電融合技術	オンライン
2025/9/11	半導体リソグラフィの全体像	オンライン
2025/9/12	先端半導体パッケージング・実装技術の研究開発動向	オンライン
2025/9/18	半導体封止材用エポキシ樹脂・硬化剤・硬化促進剤の種類と特徴および新技術	オンライン
2025/9/22	GaNパワーデバイスの特性と横型・縦型デバイスの開発状況・応用展開	オンライン
2025/9/26	先進半導体パッケージの技術動向と三次元集積化プロセス開発の道程	オンライン
2025/10/6	GaNウェハ・パワーデバイスの技術動向と用途展開	オンライン
2025/10/27	半導体製造のCMP技術・CMP後洗浄の基礎と最新技術および今後の課題・展望	オンライン
2025/10/28	クライオエッチングの基礎・現状・課題と低温下における表面反応	オンライン

発行年月
2014/10/31	炭化ケイ素半導体技術開発実態分析調査報告書 (CD-ROM版)
2014/10/31	炭化ケイ素半導体技術開発実態分析調査報告書
2013/12/15	パワー半導体技術開発実態分析調査報告書
2013/12/15	パワー半導体技術開発実態分析調査報告書 (CD-ROM版)
2013/2/10	酸化物半導体技術開発実態分析調査報告書 (CD-ROM版)
2013/2/10	酸化物半導体技術開発実態分析調査報告書
2012/6/15	半導体・液晶パネル製造装置9社技術開発実態分析調査報告書 (CD-ROM版)
2012/6/15	半導体・液晶パネル製造装置9社技術開発実態分析調査報告書
2012/4/15	Intel 【米国特許版】技術開発実態分析調査報告書
2011/11/15	半導体露光装置技術開発実態分析調査報告書
2010/6/5	半導体技術10社技術開発実態分析調査報告書
2008/9/1	半導体製造用炭化ケイ素技術開発実態分析調査報告書 (PDF版)
2008/9/1	半導体製造用炭化ケイ素技術開発実態分析調査報告書
1999/10/29	DRAM混載システムLSI技術
1992/11/11	VLSI試験/故障解析技術
1990/9/1	LSI樹脂封止材料・技術
1990/6/1	LSI周辺金属材料・技術
1988/10/1	高密度表面実装 (SMT) におけるLSIパッケージング技術
1988/2/1	半導体の故障モードと加速試験
1985/12/1	アナログIC/LSIパターン設計 (Ⅰ)

tech-seminar.jp

セミナー

セミナー (分野別)

出版物

お申し込み・ご購入

お問い合わせ