4H-SiCパワーMOSFETの最前線へ

パワーデバイス用SiCにおける熱酸化過程の理解とMOSFETゲート絶縁膜界面制御技術

～SiC特有のMOSデバイス形成の課題とその克服のための指針、ゲート絶縁膜の性質と評価～

東京都開催

開催日

2018年11月14日(水) 13時00分～ 16時30分

修得知識

SiC特有のMOSデバイス形成の課題と克服のための指針
SiC上のゲート絶縁膜の性質と評価手法

プログラム

　4H-SiCパワーMOSFETは、高効率なパワーエレクトロニクスへの応用が始まりつつあるが、さらなる性能の向上や、信頼性の改善のためにまだ多くの未解決な技術課題を残している。良好なMOS特性に必要なのは、ゲート絶縁膜であるSiO2と半導体の界面において、電荷を捕獲する欠陥構造の密度を最小化することにほかならない。たったこれだけのことが、一体なぜSiCでは難しいのだろうか?
　本セミナーでは、SiCの熱酸化における表面反応過程の理解に基づきながら、その制御のための界面形成プロセスの設計指針を議論したい。酸化剤を酸素とした場合と水蒸気とした場合の反応の違いや、酸化反応に伴うSiO2/SiC界面近傍での局所的なSiO2やSiCの構造変化など、SiCの界面に特有な現象についても解説する。

SiCパワー半導体の特徴
1. パワーデバイスへの期待
2. SiCを用いることの利点
3. SiCパワーデバイスの現状
SiCの熱酸化の理解
1. MOSFETの動作とゲートスタックの重要性
2. SiCと酸素の熱力学
3. SiCの熱酸化機構と速度論
4. SiC熱酸化によるゲート絶縁膜の形成と問題点
5. SiC熱酸化界面近傍での歪み構造の発生
SiC/ゲート絶縁膜界面欠陥の抑制のための指針
1. MOS界面特性と界面欠陥評価の手法
2. 理想的なSiCの熱酸化プロセスの設計指針
3. 代表的な界面修復の手法とそのプロセス
4. 酸素による酸化と水蒸気による酸化の決定的な違い
5. 4H-SiCの結晶面による表面構造の違いと界面特性の違い
SiC用ゲート絶縁膜の課題と将来展望
1. SiC MOSFETの動作と課題
2. 今後に必要となるSiC用ゲート絶縁膜技術とは?

質疑応答・名刺交換

ページのトップヘ

講師

喜多浩之氏
東京大学大学院工学系研究科マテリアル工学専攻

准教授

ページのトップヘ

会場

品川区立総合区民会館きゅりあん

5F 第1講習室

東京都品川区東大井5丁目18-1

ページのトップヘ

主催

サイエンス&テクノロジー株式会社

お支払い方法、キャンセルの可否は、必ずお申し込み前にご確認をお願いいたします。

お問い合わせ

本セミナーに関するお問い合わせは tech-seminar.jpのお問い合わせからお願いいたします。

(主催者への直接のお問い合わせはご遠慮くださいませ。)

受講料

1名様

: 38,000円 (税別) / 41,040円 (税込)

複数名

: 20,000円 (税別) / 21,600円 (税込)

複数名同時受講の割引特典について

2名様以上でお申込みの場合、
1名あたり 20,000円(税別) / 21,600円(税込) で受講いただけます。
- 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 38,000円(税別) / 41,040円(税込)
- 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 40,000円(税別) / 43,200円(税込)
- 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 60,000円(税別) / 64,800円(税込)
同一法人内 (グループ会社でも可) による複数名同時申込みのみ適用いたします。
受講券、請求書は、代表者にご郵送いたします。
請求書および領収書は1名様ごとに発行可能です。
申込みフォームの通信欄に「請求書1名ごと発行」と記入ください。
他の割引は併用できません。

本セミナーは終了いたしました。

セミナーの再開催を依頼する

講演順序・プログラムは変更となる場合がございます。予めご了承ください。

ページのトップヘ

開始日時
2019/12/25	インバータ駆動モータの絶縁技術と機能性材料の展開	東京都
2019/12/25	シリコンならびにSiC / GaNパワーデバイスの現状・課題・展望	東京都
2020/1/14	高分子絶縁破壊メカ二ズムとフィラーによる絶縁性向上技術	東京都
2020/1/23	半導体製造における洗浄方法と装置の理解と課題、そして解決法	東京都
2020/1/30	徹底解説パワーデバイス	東京都
2020/2/17	半導体製造におけるシリコンウェーハ表面のクリーン化技術および洗浄・乾燥技術	東京都
2020/2/20	酸化物半導体薄膜技術の全て	東京都

発行年月
2018/3/20	レジスト材料・プロセスの使い方ノウハウとトラブル解決
2018/1/10	SiC/GaNパワーエレクトロニクス普及のポイント
2015/6/30	導電性フィラー、導電助剤の分散性向上、評価、応用
2014/10/31	炭化ケイ素半導体技術開発実態分析調査報告書 (CD-ROM版)
2014/10/31	炭化ケイ素半導体技術開発実態分析調査報告書
2013/12/15	パワー半導体技術開発実態分析調査報告書
2013/12/15	パワー半導体技術開発実態分析調査報告書 (CD-ROM版)
2013/6/24	車載用主機モータの絶縁技術
2013/2/20	導電・絶縁材料の電気および熱伝導特性制御
2013/2/10	酸化物半導体技術開発実態分析調査報告書 (CD-ROM版)
2013/2/10	酸化物半導体技術開発実態分析調査報告書
2012/10/30	SiCパワーデバイスの開発と最新動向
2012/6/15	半導体・液晶パネル製造装置9社技術開発実態分析調査報告書
2012/6/15	半導体・液晶パネル製造装置9社技術開発実態分析調査報告書 (CD-ROM版)
2012/4/15	Intel 【米国特許版】技術開発実態分析調査報告書
2011/11/15	半導体露光装置技術開発実態分析調査報告書
2010/6/5	半導体技術10社技術開発実態分析調査報告書
2010/5/14	SiCパワーデバイス最新技術
2008/9/1	半導体製造用炭化ケイ素技術開発実態分析調査報告書 (PDF版)
2008/9/1	半導体製造用炭化ケイ素技術開発実態分析調査報告書

tech-seminar.jp

セミナー

セミナー (分野別)

出版物

お申し込み・ご購入

お問い合わせ