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パワーデバイス用SiCにおける熱酸化過程の理解とMOSFETゲート絶縁膜界面制御技術

4H-SiCパワーMOSFETの最前線へ

パワーデバイス用SiCにおける熱酸化過程の理解とMOSFETゲート絶縁膜界面制御技術

~SiC特有のMOSデバイス形成の課題とその克服のための指針、ゲート絶縁膜の性質と評価~
東京都 開催

開催日

  • 2018年11月14日(水) 13時00分 16時30分

修得知識

  • SiC特有のMOSデバイス形成の課題と克服のための指針
  • SiC上のゲート絶縁膜の性質と評価手法

プログラム

 4H-SiCパワーMOSFETは、高効率なパワーエレクトロニクスへの応用が始まりつつあるが、さらなる性能の向上や、信頼性の改善のためにまだ多くの未解決な技術課題を残している。良好なMOS特性に必要なのは、ゲート絶縁膜であるSiO2と半導体の界面において、電荷を捕獲する欠陥構造の密度を最小化することにほかならない。たったこれだけのことが、一体なぜSiCでは難しいのだろうか?
 本セミナーでは、SiCの熱酸化における表面反応過程の理解に基づきながら、その制御のための界面形成プロセスの設計指針を議論したい。酸化剤を酸素とした場合と水蒸気とした場合の反応の違いや、酸化反応に伴うSiO2/SiC界面近傍での局所的なSiO2やSiCの構造変化など、SiCの界面に特有な現象についても解説する。

  1. SiCパワー半導体の特徴
    1. パワーデバイスへの期待
    2. SiCを用いることの利点
    3. SiCパワーデバイスの現状
  2. SiCの熱酸化の理解
    1. MOSFETの動作とゲートスタックの重要性
    2. SiCと酸素の熱力学
    3. SiCの熱酸化機構と速度論
    4. SiC熱酸化によるゲート絶縁膜の形成と問題点
    5. SiC熱酸化界面近傍での歪み構造の発生
  3. SiC/ゲート絶縁膜界面欠陥の抑制のための指針
    1. MOS界面特性と界面欠陥評価の手法
    2. 理想的なSiCの熱酸化プロセスの設計指針
    3. 代表的な界面修復の手法とそのプロセス
    4. 酸素による酸化と水蒸気による酸化の決定的な違い
    5. 4H-SiCの結晶面による表面構造の違いと界面特性の違い
  4. SiC用ゲート絶縁膜の課題と将来展望
    1. SiC MOSFETの動作と課題
    2. 今後に必要となるSiC用ゲート絶縁膜技術とは?
    • 質疑応答・名刺交換

講師

  • 喜多 浩之
    東京大学 大学院 工学系研究科 マテリアル工学専攻
    准教授

会場

品川区立総合区民会館 きゅりあん

5F 第1講習室

東京都 品川区 東大井5丁目18-1
品川区立総合区民会館 きゅりあんの地図

主催

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