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EUVリソグラフィ技術の基礎・進展と今後の展望

EUVリソグラフィ技術の基礎・進展と今後の展望

～次世代半導体微細加工技術の今とこれからを知る～
東京都 開催 会場 開催
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開催日

  • 2013年4月26日(金) 10時30分 ～ 16時30分

受講対象者

  • 極端紫外線リソグラフィ EUVL に関連する技術者、開発者、研究者
    • 半導体
    • プリント基板
    • 印刷版
    • 液晶ディスプレイパネル
    • プラズマディスプレイパネル
    • 光源 など

修得知識

  • 次世代半導体加工技術
  • 今後の光学系を用いない計測技術
  • 反射型光学系の製作

プログラム

　微細化のトレンドと共に、半導体加工技術はg線からi線、エキシマ光源と進んできた。しかしながら、微細化は留まることなく、光源波長の1/4以下の微細なパタン形成を実現してきた。
　さらに、20nm以下の領域に達しており、さらに10nm台も検討されている。
　これらの微細化のトレンドをさらに延伸させるための技術として、極端紫外線リソグラフィー (EUVL) 技術が開発されている。この技術は、透過型マスクと従来の屈折レンズによる縮小露光と異なり、反射型マスクと多層膜をミラー面に形成した反射鏡が用いられる。
　さらにレジストも今までにない解像性、線幅精度が要求される。また、マスク検査も露光に用いる光源にての評価が必要となる。
これらの技術開発に対し、この30年近くの間に数多くの革新的なブレークスルーがあった。本講座ではこれらの技術の紹介を行なう中で、本技術への理解を深める。
　できるだけ平易に説明できるよう努め、随時質問に応じる講演としたい。

  1. はじめに
  2. 極端紫外線リソグラフィー (EUVL) 開発の歴史
  3. 多層膜光学系の設計
  4. 多層膜ミラーの製作とマスク
  5. 非球面ミラー加工と評価
  6. EUVL用レジスト開発状況
  7. EUVL用マスク検査機の開発
  8. EUVL用光源の開発状況
  9. 今後の課題
  10. まとめ

  • 質疑応答
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講師

  • 木下 博雄 氏
    兵庫県立大学 産学連携・研究推進機構
    副機構長 / 特任教授
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会場

大田区産業プラザ PiO

1階 A+B会議室

東京都 大田区 南蒲田1-20-20
大田区産業プラザ PiOの地図
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主催

サイエンス＆テクノロジー 株式会社
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お問い合わせ

本セミナーに関するお問い合わせは tech-seminar.jpのお問い合わせからお願いいたします。
(主催者への直接のお問い合わせはご遠慮くださいませ。)

受講料

1名様
: 42,667円 (税別) / 44,800円 (税込)
複数名
: 35,667円 (税別) / 37,450円 (税込)

複数名同時受講の割引特典について

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