第1章 パッケージング技術と金属材料

第1節 パッケージングプロセスと材料の役割

• 1. ICパッケージングプロセスの概要
• 2. パッケージングプロセスにおける材料の分類とニーズ
  • 2.1 ダイボンディング材料
  • 2.2 ボンディングワイヤ材料
  • 2.3 リードフレーム材料
• 3. 半導体デバイスの動向とパッケージング技術

第2節 LSIパッケージの現状と動向

• 1. LSIパッケージのトレンド
• 2. 高密度パッケージの条件と今後の課題
  • 2.1 SOP
  • 2.2 PLCC
  • 2.3 QFP (EPP)
  • 2.4 LCC
• 3. パッケージング材料への共通課題
  • 3.1 熱抵抗の改善
  • 3.2 熱応力の課題
• 4. DRAM用パッケージと材料への課題
• 5. ASIC用QFPパッケージと材料への課題
• 6. 電極材料の動向
• 7. その他の周辺材料とその動向
  • 7.1 バンプ材料
  • 7.2 実装基板材料
  • 7.3 封止用樹脂材料

第3節 LSIパッケージの次世代技術と材料技術

• 1. パッケージング技術
• 2. リードフレーム材料への考え方と開発動向
• 3. クロスロール圧延技術の利用

第2章 電極技術と材料

第1節 メタライザーション技術

• 1. オーム性電極
  • 1.1 コンタクト抵抗率
  • 1.2 シリサイド
  • 1.3 拡散バリヤ
• 2. ゲート電極
  • 2.1 TiSi2サリサイド
  • 2.2 CoSi2サリサイド
• 3. Al配線
  • 3.1 Al合金
  • 3.2 サブミクロン配線と積層構造
  • 3.3 製膜条件
• 4. コンタクト/スルーホールの埋め込み
  • 4.1 WのCVD
  • 4.2 高温バイアススパッタ

第2節 多ピンTABバンプ技術

• 1. 多ピンTABの必要性
• 2. 多ピンTABパッケージの構造
• 3. 多ピンTAB用バンプ形成技術の問題点
  • 3.1 バンプ形成プロセス
  • 3.2 多ピン化の問題点
• 4. ストレートウォールバンプの形成
  • 4.1 厚膜フォトレジストの評価
  • 4.2 Auバンプ強度の評価
• 5. ボンディング技術の検討
  • 5.1 平行度調整
  • 5.2 位置合わせ精度
• 6. 信頼性評価
• 7. おわりに

第3章 リードフレームと材料

第1節 リードフレームに要求される特性と評価方法

• 1. はじめに
• 2. リードフレームの要求特性
• 3. リードフレーム材料の特性と評価法
  • 3.1 1次特性
  • 3.2 加工性
  • 3.3 2次特性
• 4. おわりに

第2節 リードフレームの設計と加工技術 … 1 ～プレス加工によるリードフレーム～

• 1. はじめに
• 2. リードフレーム設計技術
  • 2.1 要求特性からの設計ポイント
  • 2.2 型設計上からの設計ポイント
• 3. リードフレーム加工技術
  • 3.1 成形上の課題
  • 3.2 工程上の問題と対策

第3節 リードフレームの設計と加工技術 … 2 ～エッチング加工によるリードフレーム～

• 1. エッチング技術
  • 1.1 エッチングプロセスおよびその特徴
  • 1.2 フォトレジスト
  • 1.3 パターン作成技術
  • 1.4 エッチング液
  • 1.5 エッチング用素材
• 2. リードフレームの微細加工
  • 2.1 加工精度および加工限界
  • 2.2 超多ピンリードフレームのエッチング

第4節 リードフレーム材料各論 … 1 ～鉄系リードフレーム～

• 1. はじめに
• 2. 鉄系リードフレーム材料
  • 2.1 鉄系リードフレーム材料の種類と特性
  • 2.2 各材料の特徴および使用上の注意
• 3. 複合材料
  • 3.1 クラッド材料 (板、条)
  • 3.2 被履線 (ジュメット線)
• 4. 技術的問題点と今後の動向

第5節 リードフレーム材料各論 … 2 ～銅系リードフレーム～

• 1. はじめに
• 2. 銅系リードフレーム材料の開発経緯
• 3. リードフレーム材料の分類とその種類
• 4. リードフレーム材料への要求特性
  • 4.1 物理的性質
  • 4.2 機械敵性質
  • 4.3 化学的性質
• 5. 今後の動向
  • 5.1 高導電性・耐熱銅合金の開発
  • 5.2 耐熱高強度銅合金の開発
  • 5.3 複合化による高性能銅合金の開発

第6節 リードフレームの表面処理技術

• 1. はじめに
• 2. めっき技術の基礎的事項
• 3. リードフレーム材料とめっき性
  • 3.1 材料の特性
  • 3.2 めっき性と前処理技術
• 4. めっき装置
• 5. リードフレームのめっきプロセス
  • 5.1 部分金めっきプロセス
  • 5.2 金めっき液の電気化学と被膜特性
• 6. 銀めっきプロセスと被膜特性
  • 6.1 全面および部分銀めっきプロセス
  • 6.2 銀めっき液の電気化学と被膜特性
• 7. おわりに

第7節 超多ピン対応リードフレーム技術 … 1

• 1. LSIパッケージ動向とリードフレーム設計技術の推移
  • 1.1 LSIパッケージ動向
  • 1.2 リードフレーム設計技術の推移
• 2. 超多ピン対応リードフレーム設計上の着眼点
  • 2.1 デバイスの性能上の着眼点
  • 2.2 組立技術上の着眼点
  • 2.3 リードフレーム加工上の着眼点
• 3. 超多ピン対応リードフレーム設計上の課題と改善対策
  • 3.1 低熱抵抗化
  • 3.2 電気的特性の向上
  • 3.3 信頼性
  • 3.4 組み立て性
• 4. 今後の設計技術のポイント

第8節 超多ピン対応リードフレーム技術 … 2

• 1. はじめに
• 2. 表面実装パッケージの技術動向
• 3. プレス加工によるファインピッチ化動向
• 4. 多ピンのプレス加工技術
  • 4.1 プレスの歪み取り焼純
  • 4.2 金型上の対策
• 5. 多層リードフレームの技術的検討
  • 5.1 多層リードフレームの構造と製造工程
  • 5.2 パッケージの特性
  • 5.3 その他の特徴
• 6. おわりに

第4章 樹脂封止用金型材料

• 1. はじめに
• 2. 現用金型材料の種類
  • 2.1 キャビスティ用材料
  • 2.2 受け板用材料
  • 2.3 ポットプランジャ
• 3. 金型材料の各種特性
  • 3.1 耐摩耗性
  • 3.2 耐蝕性
  • 3.3 鏡面仕上げ性
  • 3.4 放電加工性
  • 3.5 圧縮強さ
  • 3.6 引張強さ
  • 3.7 高温硬さ
  • 3.8 靭性
  • 3.9 ヤング率
  • 3.10 熱膨張係数
• 4. 熱処理上のポイント
  • 4.1 焼入焼もどし硬さ
  • 4.2 熱処理変形
  • 4.3 経年変形
  • 4.4 表面処理

第5章 ワイヤボンディング技術と材料

第1節 ワイヤボンディング技術

• 1. はじめに
• 2. ワイヤボンディングの基本プロセス
• 3. ワイヤボンディングへの要求および技術開発動向
  • 3.1 微細接合
  • 3.2 高信頼接合
  • 3.3 チップオンボードへの適用
• 4. おわりに

第2節 ボンディングワイヤ各論 … 1～金系ボンディングワイヤ～

• 1. はじめに
• 2. 金線の種類
  • 2.1 純度・組成
  • 2.2 添加元素の影響
• 3. 金線の製造方法
• 4. 金線の性質
  • 4.1 破断加重と伸び率の関係
  • 4.2 再結晶
  • 4.3 高温特性
• 5. 金線のボンディング特性
  • 5.1 ボンディングのメカニズム
  • 5.2 最近の実装技術への対応
• 6. おわりに

第3節 ボンディングワイヤ各論 … 2 ～アルミ系ボンディングワイヤ～

• 1. アルミ系ボンディングワイヤの使用される分野とボンディング方式
  • 1.1 使用される分野
  • 1.2 アルミ線が使用される理由
  • 1.3 アルミ線のボンディング方式
• 2. 種類と特性
  • 2.1 Al-Si合金線
  • 2.2 高純度AL線
  • 2.3 ボンディング特性に及ぼす影響
• 3. 製造方法と供給形態
  • 3.1 製造方法
  • 3.2 供給形態
• 4. 使用上の問題点および今後の課題
  • 4.1 使用上の問題点
  • 4.2 今後の開発動向

第4節 ボンディングワイヤ各論 … 3 ～銅系ボンディングワイヤ～

• 1. はじめに
• 2. 銅系ボンディングワイヤの特徴
  • 2.1 銅ボンディングワイヤの製造工程
  • 2.2 ボンディングワイヤの焼純特性
  • 2.3 形成ボールの硬さおよび変形抵抗
  • 2.4 ボールボンディング性
  • 2.5 ループ特性
  • 2.6 ベアボンディング
• 3. 銅の高純度化とドーパント元素
• 4. おわりに

第6章 次世代パッケージ技術

• 1. はじめに
• 2. 次世代パッケージの種類と特徴
  • 2.1 TAPE CARRIER PACKAGE
  • 2.2 CHIP ON BOARD
  • 2.3 FLIP CHIP
• 3. 次世代パッケージを支える要素技術
  • 3.1 TCPに対して
  • 3.2 COBに対して
  • 3.3 COGに対して
• 4. 今後の動向

• 索引