第1章 高速通信用プリント配線板材料の開発動向と配線形成

第1節 高速大容量伝送向けプリント基板の最新動向と高周波・低伝送損失化

• 1.高速大容量伝送のトレンドとプリント基板の基礎知識
  • 1.1 差動伝送方式を用いた高速シリアル伝送のトレンド
  • 1.2 シングルエンド伝送方式を用いた高速シリアル伝送のトレンド
  • 1.3 高速シリアル伝送の基本
  • 1.4 高速大容量伝送
  • 1.5 パラレル伝送とシリアル伝送の例
  • 1.6 多値伝送方式
  • 1.7 デジタル信号波形 (“1”“0”交番) と周波数成分
  • 1.8 デジタル信号波形 (ランダムパターン) と周波数成分
  • 1.9 特性インピーダンス
  • 1.10 差動信号伝送
  • 1.11 伝送損失 (インサーションロス)
  • 1.12 反射 (リターンロス)
  • 1.13 デシベル (dB)
• 2.プリント基板の材質の影響と選定方法
  • 2.1 プリント基板の絶縁層が伝送損失に及ぼす影響
  • 2.2 波形シミュレーションと精度
• 3.プリント基板の設計状態・構造の影響と対策
  • 3.1 スルーホールのインピーダンスコントロールの効果
  • 3.2 インピーダンス制御スルーホールのスタブの影響と対策
  • 3.3 部品実装用パッドのインピーダンスコントロールの効果
  • 3.4 リターンロス (S11) 規格の具体例
  • 3.5 コネクタ実装部位の設計最適化によるリターンロスの改善とシミュレーション方法
  • 3.6 べたプレーンの共振による伝送特性の劣化と対策
  • 3.7 電磁界シミュレーションソフトウェア

第2節 低伝送損失基板用低誘電・高接着ポリイミド樹脂の開発と応用事例

• 1.背景
• 2.樹脂設計
• 3.樹脂特性
• 4.FPC向け接着剤特性
  • 4.1 用途例 (高速伝送FPC用FCCL)
  • 4.2 用途例 (低誘電ボンディングシート)
  • 4.3 用途例 (リジッド基板用銅箔プライマー)

第3節 高周波基板向けオレフィン系低誘電フィルムの特性とその応用

• 1.オレフィン系低誘電フィルム「オイディス?」
  • 1.1 低誘電特性
  • 1.2 高周波配線板用フィルムの開発
• 2.高周波配線板用途への応用展開
  • 2.1 銅張積層板の作製
  • 2.2 基板信頼性評価
    • 2.2.1 線間絶縁抵抗試験 (JIS C5016 9.4)
    • 2.2.2 線間耐電圧試験 (JIS C5016 7.5)
    • 2.2.3 冷熱サイクル試験 (JIS C5016 9.1)
    • 2.2.4 ホットオイル試験 (JIS C5016 9.3)
    • 2.2.5 ピール試験 (JIS C5016 8.1)
    • 2.2.6 イオンマイグレーション試験 (JPCA-DG03)

第4節 液晶ポリマーの成形加工とフィルム化技術

• 1.LCPの特徴
  • 1.1 LCPの溶融状態での特徴
  • 1.2 LCPの種類
    • 1.2.1 タイプの違いによるLCPの種類
    • 1.2.2 LCPの成形加工上の特性
• 2.LCP成形技術
  • 2.1 射出成形
    • 2.1.1 射出成形で使用されるLCP組成物
    • 2.1.2 射出成形工程における問題
  • 2.2 押出成形
    • 2.2.1 押出成形によるLCPフィルム
    • 2.2.2 Tダイ成形
    • 2.2.3 インフレーション成形
  • 2.3 溶液キャスト成形
    • 2.3.1 溶液キャスト成形によるフィルム
  • 2.4 分散液キャスト成形
  • 2.5 特許から見るLCPフィルム化の試み
    • 2.5.1 Tダイで横方向に磁場をかける製膜方法
    • 2.5.2 2層Tダイの各層の吐出方向を交差させる製膜方法
    • 2.5.3 インレーション成形で皺を取るフィルム製膜

第5節 高速高周波用フッ素系プリント基板材料の開発動向

• 1.高性能フッ素樹脂の進化とその特性、接着性フッ素樹脂の開発
  • 1.1 フッ素樹脂の特性と利点・欠点
  • 1.2 接着性フッ素樹脂の開発
• 2.既存の低損失基板材料とフッ素樹脂との比較
  • 2.1 現行の低損失基板材料の課題
  • 2.2 低損失材料の銅箔密着力と、導体損失とのトレードオフ
  • 2.3 基板材料としてのフッ素樹脂の特性と使用の難点
  • 2.4 基板材料として好適な接着性フッ素樹脂の開発
• 3.接着性フッ素樹脂を用いた複合材料の回路基板適用例
  • 3.1 接着性フッ素樹脂のフレキシブル基板への適用例
  • 3.2 リジッド基板への適用例

第6節 VUV処理による難接着材料の表面改質と密着性向上

• 1.半導体パッケージ技術
• 2.光の種類と光化学反応
• 3.エキシマランプによるVUV照射
• 4.パッケージ基板に用いられる難接着材料
• 5.VUV処理による表面改質事例
• 6. 難接着材料の表面改質と密着性向上

第7節 化学溶液析出法によるガラス基板上への低抵抗・密着性Cu層形成技術

• 1.ガラス基板上へのCu層の化学的形成のための中間層設計
• 2.ガラス基板上への低抵抗・密着性Cu層の化学的形成
• 3.化学溶液析出 (Chemical Bath Deposition, CBD) 法の熱力学的理解
• 4.化学溶液析出 (CBD) 法によるCu (OH) 2/Cu (O,S) 積層体形成の熱力学

第8節 プラズマ表面改質による接着剤・前処理フリー直接接着技術

• 1.プラズマの基礎と表面改質のメカニズム
  • 1.1 プラズマとは
  • 1.2 プラズマ処理とは
  • 1.3 プラズマ表面改質
  • 1.4 プラズマ表面改質に待望でされている領域
  • 1.5 各種接合形成方法
• 2.表面改質の原理
  • 2.1 今までの表面改質・前処理
• 2,2 表面改質プロセス
  • 2.3 プラズマ表面改質の原理
• 3.表面改質処理、めっき作製及び評価
  • 3.1 フッ素樹脂、LCP樹脂の表面改質処理およびめっき条件
  • 3.2 特性評価
• 4.プラズマ表面改質の評価
  • 4.1 表面改質による表面構造と接触角
  • 4.2 プラズマ表面改質による表面の化学状態分析
• 5.表面改質による直接めっき
  • 5.1 フッ素樹脂の直接めっき
  • 5.2 LCP樹脂の直接めっき
  • 5.3 ガラス基板への直接めっき
• 6.樹脂/金属、樹脂/樹脂の直接接着
  • 6.1 フッ素樹脂、LCP樹脂とCuとの直接接着
  • 6.2 樹脂同士の直接接着
• 7.プラズマ表面改質による直接接着の評価
• 8.信頼性・高周波特性評価
• 9.事例紹介
  • 9.1 ビア、スルーホールへの高密着直接銅めっき
  • 9.2 コアを用いた誘電体フイルムの多層膜形成
  • 9.3 積層回路基板作製
  • 9.4 細線回路形成例

第9節 プラズマ表面改質と熱圧着による銅薄膜とPTFE基板の接合技術

• 1.プラズマとは
  • 1.1 プラズマの基礎
  • 1.2 プラズマの定義
  • 1.3 プラズマの生成
• 2.プラズマによる表面改質
  • 2.1 プラズマによる表面改質メカニズム
  • 2.2 プラズマ技術を活用した分子結合による新規表面処理
  • 2.3 銅薄膜に対するSAM形成表面改質による表面機能化
  • 2.4 PTFEに対するSAM形成表面改質による表面機能化
• 3.銅薄膜とPTFE基板の接合
  • 3.1 ダイレクトボンディング技術
  • 3.2 接着層を介在しての接合

第10節 プリント配線基板用ガラスクロスの要求特性と高速伝送への対応

• 1.プリント配線基板材料としてのガラスクロス
  • 1.1 ガラスヤーン
  • 1.2 ガラスクロス
• 2.高速伝送対応ガラスクロスの開発
  • 2.1 低誘電ガラス組成開発
  • 2.2 ガラスクロスの誘電率ばらつきの低減化
    • 2.2.1 ガラスクロスの開繊加工技術
    • 2.2.2 Glass Weave Skewの評価

第2章 低誘電樹脂の開発動向と誘電率の評価

第1節 エポキシ樹脂の低誘電化と接着性との両立

• 1.樹脂材料の低誘電化に向けた設計手法
• 2.誘電特性の観点から見た場合のエポキシ樹脂
• 3.低誘電エポキシ樹脂の開発事例
  • 2.1 低分子タイプ
    • 2.1.1 フッ素原子の導入によるアプローチ
    • 2.1.2 分子設計、分子の回転運動の抑制によるアプローチ (フッ素原子非含有のエポキシ樹脂)
  • 2.2 中分子タイプ
  • 2.3 高分子タイプ

第2節 次世代高速通信用多層積層板向けPPE樹脂の設計とその特性評価

• 1.VS-PPEの開発
  • 1.1 開発コンセプト
  • 1.2 VS-970の性状
  • 1.3 VS-970の硬化物特性
• 2.VS-970系組成物の評価とモルホロジー解析
  • 2.1 VS-970/SEBS系
    • 2.1.1 VS-970/SEBS系硬化物評価結果
    • 2.1.2 VS-970/SEBS系モルホロジー観察
    • 2.1.3 VS-970/SEBS系モルホロジー形成メカニズム
  • 2.2 VS-970/反応性希釈剤系
    • 2.2.1 反応希釈剤の選定
    • 2.2.2 反応希釈剤の評価結果
  • 2.3 VS-970/tBS/H1041系
• 3.積層板作製
  • 3.1 VS-970配合系積層板の特性
• 4.補足評価
  • 4.1 周波数依存性
  • 4.2 組成物設計思想の検証
• 5.結論

第3節 低誘電特性を有するマレイミド樹脂の設計と応用

• 1.マレイミド樹脂とは
• 2.マレイミド樹脂の反応性
• 3.マレイミドの単独重合における硬化性 各種開始剤/硬化促進剤比較
• 4.マレイミド樹脂の硬化物性
• 5.マレイミド樹脂の構造と誘電特性
• 6.マレイミド樹脂の高周波領域、および高温領域における誘電特性
• 7.難燃性
• 8.高機能化 各種の材料との配合
  • 8.1 エポキシ樹脂との配合
  • 8.2 ポリフェニレンエーテル類との配合
  • 8.3 炭化水素樹脂の配合
• 9.マレイミド樹脂を超える高耐熱・低誘電樹脂開発の試み

第4節 液状ビスマレイミドの開発とそれを利用した低線膨張複合材料への展開

• 1.高速通信における材料とその性質
  • 1.1 電磁波の伝送速度と材料の関係
  • 1.2 誘電率と材料の関係
  • 1.3 低誘電材料と課題
• 2.液状ビスマレイミド LMIシリーズの開発
  • 2.1 開発の経緯
  • 2.2 LMIシリーズ
    • 2.2.1 LMIシリーズの熱硬化
    • 2.2.2 LMIシリーズの光硬化
  • 2.3 LMIシリーズを用いたシリカ複合材料
    • 2.3.1 シリカとの複合化
    • 2.3.2 シリカ複合硬化物の機械・熱特性
    • 2.3.3 シリカ複合硬化物の硬化度

第5節 芳香族ビニル化合物の精密重合技術と5G/6G時代の高周波基板向け芳香族ビニル系低誘電損失材料の開発

• 1.芳香族ビニル化合物と精密重合技術
• 2.ハーフチタノセンを用いたスチレンのシンジオ特異性リビング重合
  • 2.1 芳香族ビニル化合物から誘導される機能材料に対する先端情報通信技術分野に於ける要求
  • 2.2 次世代高速・高周波基板材料の材料設計
  • 2.3 多分岐構造を有する可溶性ジビニルベンゼン系樹脂の合成
  • 2.4 多分岐構造を有する可溶性ジビニルベンゼン系樹脂の特性
  • 4.6G時代に向けた次世代低誘電材料の開発の取り組み
  • 4.1 接着性の末端官能基を有する分岐ポリマーの開発

第6節 1,2-PB及び1,2-SBSの特性と高周波銅張積層板への応用

• 1.CCLの技術背景
• 2.高速通信CCL樹脂層に求められる特性
  • 2-1 低誘電 (Df, Dk)
• 3.熱硬化性材料としてのポリブタジエン
  • 3-1 ポリブタジエンユニットの硬化
  • 3-2 ポリブタジエンユニットの架橋方法
  • 3-3 ポリブタジエン硬化物の物性
  • 3-4 スチレンブタジエンスチレン共重合体 (SBS)
  • 3.5 分岐型二重結合含有難燃剤の添加
  • 3.6 分岐型二重結合含有シランカップリング剤
• 4.熱硬化性ポリブタジエンの応用展開
  • 4.1 ポリブタジエンユニットの酸化
  • 4.2 部分的な水素化
  • 4.3 1,2-ポリブタジエンユニットと機能性ユニットとの共重合体
    • 4.3.1 耐熱性を有するユニットとの共重合
    • 4.3.2 Tgに影響を及ぼす化学構造要素
    • 4.3.3 Tgに影響を及ぼす側鎖の化学構造
    • 4.3.4 CCLに必要とされる耐熱性ユニット
    • 4.3.5 PIBMAの立体効果
    • 4.3.6 共重合体への応用
    • 4.3.7 PB/PIBMA共重合体硬化物の物性
    • 4.3.8 PB共重合体溶解性試験
    • 4.3.9 PB/PIBMA共重合体の混合物の硬化

第7節 アルカリ性水溶液で加工できる低誘電ポリマーの設計とその特性

• 1.アルカリ性水溶液を現像液に用いたネガ型感光性絶縁材料と誘電特性
• 2.β-ケト酸を含むポリマーの設計
• 3.サンプルの作製
  • 3.1 β-ケト酸を含むポリマー (PHEMAMal) の合成
  • 3.2 β-ケト酸を含むポリマー (PHEMAMal) の成膜
• 4.β-ケト酸を含むポリマー (PHEMAMal) の熱誘起脱炭酸反応
  • 4.1 熱重量測定 (TGA) による解析
• 5.β-ケト酸を含むポリマー (PHEMAMal) の誘電特性

第8節 低誘電ポリマー/セラミックスのハイブリッド化と発泡・多孔質化技術

• 1.社会的背景
• 2.基板材料の開発状況
• 3.コンパウンディングの意味
  • 3.1 COP-アルミナ複合材料
• 4.多孔質化による低誘電、低損失化のアプローチ
• 5.国際競争と目標スペック

第9節 構造制御シルセスキオキサンの合成法と低誘電率材料への応用

• 1.構造制御シルセスキオキサン (SQ) の合成
  • 1.1 かご型SQの合成
    • 1.1.1 一種類の置換基を有するT8化合物 (T8R8) の合成
    • 1.1.2 二種類の置換基を有するT8化合物 (T8RxR’ (8-x) ) の合成
    • 1.1.3 大型POSS (Tn、n > 8) の合成
  • 1.2 ダブルデッカー型SQ (DDSQ) の合成
    • 1.2.1 四つの同一反応基を有するDDSQ
    • 1.2.2 二つの同一反応基を有するDDSQ
    • 1.2.3 非対称DDSQ (ヤヌスDDSQ) の合成
  • 1.3 ラダー型SQ (LDSQ) の合成
    • 1.3.1 二環式LDSQの合成
    • 1.3.2 三環式LDSQの合成
    • 1.3.3 多環式LDSQ (三つ以上の縮合環をもつ) の合成
• 2.構造制御SQに基づく低誘電率材料
  • 2.1 POSSに基づく低誘電率材料
  • 2.2 DDSQに基づく低誘電率材料

第10節 低誘電ハロゲンフリー難燃剤の特性と応用技術

• 1.伝送遅延と伝送損失
• 2.誘電理論と分子設計
  • 2.1 比誘電率と Clausius-Mossotti の式
  • 2.2 誘電正接とデバイ緩和
• 3.PQ-60難燃劑の特?
• 4.PQ-60難燃劑の応用例

第11節 5G, 6Gへ向けた低誘電性材料の3Dプリンティング技術

• 1.低誘電性材料の3Dプリンティング
  • 1.1 低誘電性材料を用いる材料押出し法 (MEX法)
  • 1.2 低誘電性材料を用いる粉末床溶融法 (PBF法)
  • 1.3 低誘電性材料を用いる液槽光重合法 (VPP法)

第12節 ミリ波での誘電率・導電率測定手法と装置の性能評価

• 1.ミリ波誘電率・導電率測定の重要性
  • 1.1 誘電率とは
    • 1.1.1 ミリ波における誘電率測定の重要性
  • 1.2 導電率とは
    • 1.2.1 ミリ波における導電率測定の重要性
• 2.誘電率と導電率が伝送に及ぼす影響
  • 2.1 基板内の伝送損失
    • 2.1.1 ミリ波の誘電率・導電率と性能の関係
    • 2.1.2 誘電損失
    • 2.1.3 導電損失
• 3.誘電率・導電率の実測
  • 3.1 誘電正接と比導電率の周波数特性
  • 3.2材料測定の基本装置
    • 3.2.1 ミリ波における材料測定において重要な3つの物
    • 3.2.2 ネットワークアナライザ
    • 3.2.3 治具
    • 3.2.4 ソフトウェア
  • 3.3 誘電率測定装置
    • 3.3.1 スプリットシリンダ共振器
    • 3.3.2 ファブリペロー共振器
    • 3.3.3 空洞共振器 (TM共振器)
    • 3.3.4 フリースペース法
  • 3.4 導電率測定装置
    • 3.4.1 ファブリペロー共振器 (導電率)
• 4.ミリ波誘電率測定治具の見極め方
  • 4.1 装置の見極めはとても重要
    • 4.1.1 委託測定で同じ試料を複数社に依頼したら値が異なった?
  • 4.2 測定器選定の時に注意して見る点
    • 4.2.1 周波数特性が載っていない場合
    • 4.2.2 簡単に測定できる値しか載せていない
    • 4.2.3 スケールが意味もなく大きい
    • 4.2.4 複数種の測定治具で同じ値が出るか?
  • 4.3 ミリ波導電率測定治具の見極め方
    • 4.3.1 周波数特性が載っていない場合
    • 4.3.2 簡単に測定できる値しか載っていない場合

第13節 自由空間法を用いたミリ波/テラヘルツ波帯誘電率計測技術と高確度化

• 1.自由空間法を用いた誘電率測定
• 2.測定系と測定方法
• 3.角スペクトル法を用いた解析手法
• 4.電磁界解析シミュレーションによる解析手法の妥当性検証
• 5.不確かさ解析
• 6.低損失材料の誘電率測定結果

第3章 先端半導体パッケージの材料開発

第1節 マイクロプロセッサパッケージの構造、伝熱経路と熱シミュレーション

• 1.マイクロプロセッサパッケージの構造
  • 1.1 マイクロプロセッサパッケージ
  • 1.2 チップレットアーキテクチャ
• 2.マイクロプロセッサの伝熱経路と熱設計
  • 2.1 マイクロプロセッサの伝熱経路
  • 2.2 マイクロプロセッサのTDPと熱設計
  • 2.3 マイクロプロセッサに使用される放熱機構
• 3.三次元熱シミュレーション
  • 3.1 三次元熱シミュレーションの流れ
  • 3.2 マイクロプロセッサパッケージの熱モデル
• 4.チップレットアーキテクチャを採用したマイクロプロセッサの熱シミュレーション
  • 4.1 チップレットアーキテクチャを採用したマイクロプロセッサパッケージとモデル領域
  • 4.2 シミュレーション結果
  • 4.3 熱回路網によるシミュレーション結果の考察

第2節 先端半導体パッケージ向け低熱膨張有機コア材の開発と要求特性

• 1.半導体パッケージの市場動向
• 2.FC-BGAから次世代パッケージへ
• 3.次世代パッケージに必要な要素技術と技術トレンド
• 4.有機コアの構成材料
• 5.次世代パッケージ用有機コア材の課題と開発動向
  • 5.1 2.xD、3Dパッケージングにおける課題:基板の大面積化と反り
  • 5.2 コア材の物性と基板の反りに関するシミュレーション
  • 5.3 有機コア材の低CTE化
  • 5.3 低熱膨張有機コア材の技術の方向性
  • 6.2.XDパッケージの構造との平坦化・高板厚精度を追求した「TYPE-F」コア特性
• 7.NEDOのJOINT2 100×100 mm 2.5Dパッケージ信頼性評価
• 8.次世代有機コアと次世代ガラスコアの特性比較

第3節 三次元半導体パッケージに向けた耐熱樹脂材料

• 1.ハイブリッドボンディング用接合材料
• 2.封止樹脂の開発動向
• 3.感光性材料の開発動向
• 4.低誘電損失材料
• 5.高熱伝導材料
• 6.基板材料
• 7.将来に向けてシリコンフォトニクスなど

第4節 高速通信半導体パッケージ基板向け感光性層間絶縁フィルムの開発動向

• 1.高速移動通信システムの動向と課題
• 2.プリント配線板の動向
• 3.ビア形成手法
  • 3.1 レーザー開口の課題
  • 3.2 フォトリソグラフィーの適用
• 4.配線形成手法
• 5.感光性層間絶縁フィルムの開発状況
  • 5.1 誘電損失の低減
    • 5.1.1 極性基の低減
    • 5.1.2 極性基の発生抑制
    • 5.1.3 低誘電樹脂の適用 (今後の展望)
  • 5.2 ビアの形成性
  • 5.3 めっき銅接着力の向上
    • 5.3.1 めっき銅接着力の課題
    • 5.3.2 界面接着力の向上
    • 5.3.3 界面接着力の向上に関する弊社の取り組み
    • 5.3.4 機械的強度の向上

第5節 先端半導体パッケージ用ソルダーレジストと再配線層向けフィルム

• 1.半導体パッケージ用ソルダーレジスト
  • 1.1 ソルダーレジストについて
  • 1.2 半導体パッケージ用ソルダーレジスト
• 2.再配線層用フィルム

第6節 ハイエンドコンピュータ用CPUパッケージ基板の物性評価技術

• 1.熱機械物性評価
  • 1.1 熱膨張
  • 1.2 粘弾性
    • 1.2.1 熱硬化樹脂硬化状態評価への応用
    • 1.2.2 BU絶縁樹脂フィルム材料ラミネート条件検討への応用
  • 1.3 実装シミュレーションへの適用
• 2.耐熱性評価

第7節 先端半導体パッケージにおけるモールディング技術の最新動向

• 1.パッケージ技術の要求課題
  • 1.1 大判化要求サイズ
  • 1.2 大判化パッケージの課題
• 2.パッケージングの大判化技術
  • 2.1 コンプレッション成形技術
  • 2.2 キャビティダウン成形技術
  • 2.3 真空成形技術
• 3.その他WLP/PLP品質要求
  • 3.1 クリーンレベルの要求
  • 3.2 樹脂封止装置サイズ大型化の抑制
• 4.先端パッケージ封止技術
  • 4.1 AI半導体、GPU

第8節 中真空PVDプロセスによる微細回路形成と密着性評価

• 1.中真空PVD装置について
  • 1.1 装置原理
  • 1.2 装置概要
• 2.プリント配線基板への応用について
  • 2.1 プリント配線基板シード層への技術要求
  • 2.2 プリント配線基板プロセス
  • 2.3 プリント配線基板材料への密着評価方法
  • 2.4 プリント配線基板材料への密着評価結果
  • 2.5 樹脂リジッド基板材料への密着評価結果
  • 2.6 樹脂リジッド基板材料への回路形成と評価
  • 2.7 樹脂リジッド量産基板サイズへの微細回路作製
  • 2.8 フィルム材への配線形成
• 3.前工程のドライプロセス化に向けて
  • 3.1 はじめに
  • 3.2 ドライ方式のデスミア検討
  • 3.3 ドライアイスブラスト後基板への密着評価結果
  • 3.4 ルースフィラー除去モデル

第9節 Advanced Packaging 用硫酸銅めっきプロセスの開発動向

• 1.半導体集積回路における硫酸銅めっき技術の利用
• 2.パッケージ基板の配線形成技術
• 3.Advanced Packaging用硫酸銅めっきプロセスの開発
  • 3.1 TSV用硫酸銅めっきプロセス
  • 3.2 有機インターポーザー用硫酸銅めっきプロセス
  • 3.3 TGV用硫酸銅めっきプロセス
  • 3.4 Hybrid bonding 用硫酸銅めっきプロセス
  • 3.5 Cuピラー用硫酸銅めっきプロセス

第10節 負熱膨張材料による三次元集積回路の熱応力制御

• 1.金属マイクロバンプとアンダーフィル間の熱膨張係数差による熱応力
  • 1.1 熱応力の評価
  • 1.2 半導体素子への熱応力の影響
  • 1.3 負熱膨張微粒子によるアンダーフィルの熱膨張係数低減
• 2.TSV形成プロセスに起因した熱応力
  • 2.1 TSV形成プロセス起因の熱応力が半導体素子へ与える影響
  • 2.2 負熱膨張材料によるTSV起因熱応力の抑制手法の検討

第11節 ヘテロジニアス集積化へ向けた常温・低温接合技術の最新動向

• 1.半導体デバイス製造に用いられる接合技術
  • 1.1 半導体の直接接合技術
  • 1.2 中間層を介した半導体の接合技術
• 2.表面活性化接合技術
  • 2.1 半導体の直接接合
  • 2.2 金属薄膜の直接接合

第12節 Wafer-On-Waferプロセス用高耐熱樹脂の設計とその評価

• 1.耐熱性樹脂の設計
  • 1.1 耐熱性とは
  • 1.2 有機樹脂の耐熱性
  • 1.3 有機-無機ハイブリッド樹脂の耐熱性
• 2.熱安定性評価
  • 2.1 耐熱分解性
  • 2.2 接着性
• 3.加工性評価
  • 3.1 軟化性評価
  • 3.2 実プロセスでの検証

第4章 高速高周波通信向け電子部品の開発動向

第1節 大容量高速通信へ向けた積層セラミックコンデンサの小型大容量化

• 1.高速大容量通信とMLCC
• 2.MLCCの基本構造
• 3.MLCCの製造方法
• 4.MLCCの基本特性
• 5.小型化
• 6.dcバイアス特性
• 7.高耐圧化
• 8.高容量化
• 9.高周波化

第2節 チタン酸バリウムナノキューブによるMLCC薄層化技術の開発

• 1.誘電層の薄層化における課題
  • 1.1 誘電体粒子のナノ粒子化
  • 1.2 従来プロセスにおける誘電層の薄層化
• 2.チタン酸バリウムナノキューブ
• 3.ナノキューブの単層膜集積技術
• 4.ナノキューブ単層膜の結晶構造及び圧電特性評価
• 5.ナノキューブ単層膜を誘電層とする超薄層キャパシタ構造の開発

第3節 5G、6Gに向けた高周波弾性波デバイスの技術動向と今後の課題

• 1.SAWデバイス
  • 1.1 高次モードSAW
  • 1.2 高音速LLSAWを用いた高周波化
  • 1.3 ハーモニックSAW
    • 1.3.1 IDTの電極幅を変更したハーモニックSAW
    • 1.3.2 基板中へIDT電極を埋め込み構造
• 2.BAW
  • 2.1 圧電膜の薄膜化
  • 2.2 オーバートーン高周波BAWデバイス
  • 2.3 分極反転構造高周波BAWデバイス
  • 2.4 XBAWとYBAW
• 3.板波
  • 3.1 LN薄板
  • 3.2 LT薄板
  • 3.3 AlN、ScAlN薄膜
  • 3.4 LN薄板積層構造

第4節 高速・高周波信号向けZnOバリスタの開発動向

• 1.要求される特性と課題
  • 1.1 なぜ低静電量化が必要か
  • 1.2 バリスタの静電容量の成り立ちと高周波対応の課題
  • 1.3 内部電極 (貴金属) の卑金属化
• 2.高周波対応および卑金属化
  • 2.1 新種のバリスタ材料の開発経緯
  • 2.2 放電原理内蔵による超低容量化
  • 2.3 卑金属内部電極の積層バリスタ
  • 2.4 フィルタ機能付きバリスタ

第5節 Beyond 5G/6G向け広帯域GaN増幅器モジュール

• 1.5G基地局向け送信用GaN増幅器モジュール
• 1.1 ドハティ増幅器の基礎と広帯域化
• 1.2 ドハティ増幅器の小型・広帯域化の両立
  • 1.2.1 集中定数で構成する小型周波数補償回路
  • 1.2.2 寄生容量を負荷変調回路に吸収する設計手法

• 2.Beyond 5G/6G向け超広帯域デジタル制御GaN増幅器

第6節 高周波向け熱硬化型磁性インキの開発と磁気特性の向上

• 1.開発の背景
  • 1.1 5Gの普及と電子材料への要求特性
  • 1.2 インキタイプの磁性材料
• 2.磁性インキに求められる特性
  • 2.1 磁気特性
  • 2.2 作業性
  • 2.3 高信頼性
  • 2.4 目標スペックまとめ
• 3.磁性材料の開発1 磁気特性の向上
  • 3.1 試験方法
  • 3.2 磁性インキの基本設計
  • 3.3 フィラーの選定
  • 3.4 磁性フィラーの高充填化
  • 3.5 インキの高密度化
    • 3.5.1 硬化温度と磁気特性の関係
    • 3.5.2 分散性モノマーの導入
• 5.磁性材料の開発2 作業性と高信頼性
  • 4.1 粘度安定性の向上
  • 4.2 硬化後の反り
  • 4.3 絶縁抵抗値の向上
• 6.まとめ 現状の磁性インキの特性

第7節 表面実装抵抗器の使いこなし方と熱設計手法の最新動向

• 1.半導体と抵抗器の熱的仕様の考え方の違い
  • 1.1 半導体の熱的仕様と負荷軽減曲線
  • 1.2 リード線形抵抗器の放熱先
  • 1.3 リード線形抵抗器の熱的仕様と負荷軽減曲線
  • 1.4 抵抗器のカテゴリ電力
• 2.表面実装抵抗器の規格であるIEC60115-8の改訂
  • 2.1 規格改訂の背景
    • 2.1.1 表面実装抵抗器温度の基板依存性
    • 2.1.2 表面実装抵抗器の温度管理部位を周囲温度とした場合の問題点
    • 2.1.3 表面実装抵抗器が誕生したころの定格電力と近年の定格電力アップ
    • 2.1.4 IEC60115-8旧版で定められていた推奨試験基板
  • 2.2 端子部温度規定とIEC60115-8新版への適用
    • 2.2.1 端子部温度規定は多様化したあらゆるプリント配線板に対応可能
    • 2.2.2 推奨試験基板の刷新
    • 2.2.3 推奨試験基板の特性の開示
    • 2.2.4 抵抗器メーカーが推奨試験基板以外の試験基板を使って試験を実施した場合の対応
    • 2.3.5 新版に沿って抵抗器メーカー試験時の端子部温度を確認するフローチャート
    • 2.2.6 壁付け (筐体放熱) など新しい放熱方式への対応
    • 2.2.7 表面実装抵抗器におけるカテゴリ電力
• 3.基板放熱型熱設計
  • 3.1 プリント配線板の放熱能力限界
  • 3.2 単体熱抵抗と目標熱抵抗による放熱対策の仕分け
  • 3.3 目標熱抵抗を満たすプリント配線板上の専有面積の見積もり手法1
  • 3.4 目標熱抵抗を満たすプリント配線板上の専有面積の見積もり手法2

第5章 光インターコネクトの開発動向と集積化技術

第1節 Co-Packaged Opticsの開発動向とポリマー導波路を用いた小型・高効率光結合技術

• 1.Co-Packaged Opticsの適用形態と課題
  • 1.1 データ伝送速度の高速化と高速電気伝送への影響
  • 1.2 Co-Packaged Opticsの適用形態
  • 1.3 Co-Packaged Opticsと技術課題
• 2.ポリマー光導波路を用いた小型・高効率光結合
  • 2.1 90°曲げ円形GIコアポリマー光導波路を用いた光実装構造
  • 2.2 NA制御による小径90°曲げ導波路の高効率光結合
  • 2.3 導波路構造の最適化検討
  • 2.4 光導波路の試作と光伝送評価
  • 2.5 今後の展望

第2節 三次元配線を用いた次世代光電コパッケージの開発

• 1.アクティブオプティカルパッケージ基板の製作
  • 1.1 概要
  • 1.2 ポリマー光導波路形成技術
  • 1.3 曲面マイクロミラー形成技術
    • 1.3.1 リソグラフィー技術による下部ミラーの製作
    • 1.3.2 ナノインプリント技術による上部ミラーの製作
• 2.アクティブオプティカルパッケージ基板の光リンク評価
  • 2.1 熱解析シミュレーション及び高温環境下での動作実証
  • 2.2 10テラビット級の大容量光伝送を実現するAOP基板の製作

第3節 有限要素法による光導波路解析とその効率化

• 1.有限要素法による光導波路解析
  • 1.1 導波路伝搬解析
  • 1.2 固有モード解析
  • 1.3 要素次数と解析精度
• 2.伝搬演算子を用いた光導波路不連続問題の効率的な解析法
  • 2.1 有限要素法に基づく伝搬演算子法
  • 2.2 平方根行列の計算方法
• 3.緩慢変化包絡線近似を利用した導波路伝搬解析の効率的な解析法
  • 3.1 有限要素ビーム伝搬法
  • 3.2 緩慢変化包絡線近似有限要素法 (SVEA-FEM)
  • 3.3 構造不連続部を有する導波路の伝搬解析法
• 4.任意構造に対する光導波路の効率的な解析法
  • 4.1 開領域問題を扱うための境界条件
  • 4.2 有限要素法に基づく散乱演算子法

第4節 データセンター向け光トランシーバの最新動向

• 1.急速に拡大するクラウドデータセンターマーケットの背景とトレンド
  • 1.1 高速化のトレンド
  • 1.2 低消費電力化及び低遅延化のトレンド
• 2.データコム系光トランシーバの最新動向
  • 2.1 次世代イーサネット光インターフェース規格化の最新動向
  • 2.2 800Gbps及び1.6Tbpsプラガブル光トランシーバモジュール
  • 2.3 高消費電力効率及び低遅延へ向けたアプローチ
    • 2.3.1 Linear Drive Pluggable Optics (LPO)
    • 2.3.2 Co-Packaged Optics (CPO)
  • 2.3 低消費電力化のロードマップ
  • 2.4 LPO及びCPO普及への見通し

第5節 光ファイバ無線システム用アンテナ集積型量子井戸光位相変調器

• 1.デバイス構造および理論
  • 1.1 化合物半導体光変調器
  • 1.2 アンテナ集積型量子井戸光位相変調器デバイスの概要
  • 1.3 五層非対称結合量子井戸 (FACQW)
  • 1.4 光導波路構造
  • 1.5 アンテナ構造
• 2.デバイス作製プロセス
• 3.アンテナ集積量子井戸光変調器の変調特性
  • 3.1 キャリア対サイドバンド比 (CSR)
  • 3.2 60GHz帯信号照射下での変調特性
  • 3.3 60GHz帯無線信号復調特性

第6節 光インターコネクト向け光コネクタの開発動向

• 1.光配線・光インターコネクションについて
• 2.フロントパネルにおける高密度実装
• 3.On-board Optics (OBO) における接続形態
• 4.Co-packaged Optics (CPO) における接続形態
• 5.その他接続技術

第7節 シリコンフォトニクスプラットフォームの高速光集積回路の開発状況と今後の展望

• 1.データセンタにおける高速光集積回路
  • 1.1 並列光トランシーバ
  • 1.2 高速化の現状と展望
  • 1.3 高速化の制限要因
    • 1.3.1 電子回路との接続
    • 1.3.2 光集積回路における制限要因
• 2.高速化に向けた光・電子集積
  • 2.1 二次元集積
  • 2.2 2.5次元集積
  • 2.3 再配置層を介した集積
• 3.光変調器の高速化:制限要因
  • 3.1 光変調器の構成
    • 3.1.1 光変調器の動作原理
    • 3.1.2 光変調器の構成
    • 3.1.3 III-V系変調器
  • 3.2 高速化の制限要因
    • 3.2.1 移動時間
    • 3.2.2 速度不整合
    • 3.2.3 RC時定数
• 4.光変調器の高速化:CMOSベースの視点から
  • 4.1 CMOSベースの高速位相変調部

第8節 異種材料を用いたシリコンフォトニクスデバイスの集積化技術

• 1.異種化合物半導体集積シリコンフォトニクスデバイス
  • 1.1 III-V族化合物半導体集積技術
  • 1.2 Si上への異種半導体結晶成長
  • 1.3 薄膜転写法 (μ-トランスファープリンティング)
• 2.薄膜ニオブ酸リチウム光変調器
• 3.機能性有機材料集積導波路型光デバイス
  • 3.1 EOポリマー集積Si光変調器
  • 3.2 液晶装荷導波路型光デバイス
• 4.磁気光学材料集積光非相反デバイス
  • 4.1 直接接合法による集積型光非相反デバイス
  • 4.2 薄膜転写法μ-トランスファープリンティング
  • 4.3 堆積技術を用いた光アイソレータ