技術セミナー・研修・出版・書籍・通信教育・eラーニング・講師派遣の テックセミナー ジェーピー
技術セミナー・研修・出版・書籍・通信教育・eラーニング・講師派遣の テックセミナー ジェーピー
本セミナーでは、パワーデバイス技術の基礎・周辺材料技術と、SiCパワーデバイスの実際・最新動向について詳解いたします。
本セミナーでは、SiCを中心として表面の構造・形態制御とそのメカニズム、ステップバンチング制御と結晶成長、ステップアンバンチング現象の発見などについて紹介いたします。
本セミナーでは、SiCパワー半導体開発の最前線を紹介すると共に、SiC単結晶ウェハの開発状況・ビジネス展開について解説し、SiC単結晶ウェハ開発において今後取り組むべき技術課題を議論いたします。
SiCパワー半導体に関する基礎知識、開発・ビジネスの概況、SiCパワー半導体の礎となるSiC単結晶ウェハに関する基礎知識、開発・ビジネスの概況について修得いただけます。
本セミナーでは、Siパワーデバイス進化の歴史と将来展望およびワイドギャップ半導体パワーデバイスの現状と課題について、分かりやすく詳細に解説いたします。
本セミナーでは、SiC結晶やその欠陥の種類、デバイス特性への影響についてレビューした後、結晶欠陥の評価手法に関して解説いたします。
本セミナーでは、Siパワーデバイス進化の歴史と将来展望およびワイドギャップ半導体パワーデバイスの現状と課題について、分かりやすく詳細に解説いたします。
本セミナーでは、SiCパワー半導体開発の最前線を紹介すると共に、SiC単結晶ウェハの開発状況・ビジネス展開について解説し、SiC単結晶ウェハ開発において今後取り組むべき技術課題を議論いたします。
SiCパワー半導体に関する基礎知識、開発・ビジネスの概況、SiCパワー半導体の礎となるSiC単結晶ウェハに関する基礎知識、開発・ビジネスの概況について修得いただけます。
本セミナーでは、パワーモジュールパッケージについて取り上げ、パワーモジュールパッケージに求められる放熱性、絶縁性、信頼性確保に向け、実例を交えて開発動向を詳解いたします。
本セミナーでは、SiCパワー半導体開発の最前線を紹介すると共に、SiC単結晶ウェハの開発状況・ビジネス展開について解説し、SiC単結晶ウェハ開発において今後取り組むべき技術課題を議論いたします。
SiCパワー半導体に関する基礎知識、開発・ビジネスの概況、SiCパワー半導体の礎となるSiC単結晶ウェハに関する基礎知識、開発・ビジネスの概況について修得いただけます。
本セミナーでは、Siパワーデバイスの現状からワイドギャップ半導体パワーデバイスの開発動向や課題まで分かりやすく解説いたします。
本セミナーでは、Siパワーデバイスの現状からワイドギャップ半導体パワーデバイスの開発動向や課題まで分かりやすく解説いたします。
本セミナーでは、5G/6G対応に向けたFPCの市場動向や、高周波対応・高放熱対応・電磁シールド・光送信・車載・IoT/ウェアラブル等、必要となる要素技術について技術動向、開発課題を詳説いたします。
本セミナーでは、パワー半導体デバイス・パッケージの最新技術、シリコンMOSFET・シリコンIGBTの強み、SiC/GaNパワーデバイスの特長・課題、パワー半導体デバイス全体・SiC/GaN市場予測、シリコンIGBT・SiCデバイス実装技術、SiC/GaNパワーデバイス特有の設計・プロセス技術について、豊富な経験を基に分かりやすく解説いたします。
本セミナーでは、電気回路の視点から、パワーエレクトロニクスの基礎、回路シミュレーション手法、実用的な設計手法、パワーデバイスの使いこなし技術等を解説いたします。
本セミナーでは、SiC単結晶成長からウェハ加工、それらの材料評価技術に関する、基礎から応用、技術開発動向について解説し、高品位質で低コストなウェハを実現する製造技術について議論いたします。
本セミナーでは、パワーデバイス技術の基礎・周辺材料技術と、SiCパワーデバイスの実際・最新動向について詳解いたします。
本セミナーでは、従来の実装技術における課題と今後期待される新たな実装材料、実装技術について解説いたします。
本セミナーでは、次世代パワーデバイスの有力候補にあげられるGaNデバイスの現状と可能性について解説いたします。
本セミナーでは、講師が長年培ってきたガラスを含めた機能性材料基板の超精密加工プロセス技術について取り上げ、あらゆる材料の超精密加工実現の門外不出のノウハウも含めながら、難加工材料のCMP技術や超精密加工プロセス技術などを詳細に解説いたします。
さらに、究極デバイス用ダイヤモンド基板を含めた高効率加工プロセスなどについても言及し、新しい研究開発のビジネスチャンスをつかんでいただく橋渡しをさせていただきます。
本セミナーでは、パワーデバイス技術の基礎・周辺材料技術と、SiCパワーデバイス、GaNパワーデバイス、酸化ガリウムパワーデバイス、ダイヤモンドパワーデバイスの実際・最新動向について詳解いたします。
本セミナーでは、SiCを中心として表面の構造・形態制御とそのメカニズム、ステップバンチング制御と結晶成長、ステップアンバンチング現象の発見などについて紹介いたします。
本セミナーでは、SiCを中心として表面の構造・形態制御とそのメカニズム、ステップバンチング制御と結晶成長、ステップアンバンチング現象の発見などについて紹介いたします。
本セミナーでは、SiCパワー半導体開発の最前線を紹介すると共に、SiC単結晶ウェハの開発状況・ビジネス展開について解説し、SiC単結晶ウェハ開発において今後取り組むべき技術課題を議論いたします。
SiCパワー半導体に関する基礎知識、開発・ビジネスの概況、SiCパワー半導体の礎となるSiC単結晶ウェハに関する基礎知識、開発・ビジネスの概況について修得いただけます。
本セミナーでは、シリコンIGBT、SiC/GaN、酸化ガリウムパワーデバイス開発技術の現状と今後の動向について、半導体素子や実装技術、さらには市場予測を含め、わかりやすく、かつ丁寧に解説いたします。
本セミナーでは、SiC単結晶成長からウェハ加工、それらの材料評価技術に関する、基礎から応用、技術開発動向について解説し、高品位質で低コストなウェハを実現する製造技術について議論いたします。
本セミナーでは、SiCを中心として表面の構造・形態制御とそのメカニズム、ステップバンチング制御と結晶成長、ステップアンバンチング現象の発見などについて紹介いたします。
本セミナーでは、SiCモジュールの採用増加・発熱密度上昇に対応するためのモジュールパッケージの高耐熱化・高信頼性化技術を取り上げ、新たな高性能材料や新しい製造プロセス、放熱性の高いモジュール構造について、業界動向・採用事例・学会発表の情報を元に解説いたします。
本セミナーでは、Siパワーデバイス進化の歴史と将来展望およびワイドギャップ半導体パワーデバイスの現状と課題について、分かりやすく詳細に解説いたします。