技術セミナー・研修・出版・書籍・通信教育・eラーニング・講師派遣の テックセミナー ジェーピー

酸化ガリウムパワーデバイスの開発動向

酸化ガリウムパワーデバイスの開発動向

~Ga2O3材料の基礎・魅力から、パワーデバイスの開発事例、課題・展望を解説~
オンライン 開催

概要

本セミナーでは、性能とコスト・量産性のメリットから、次世代パワー半導体用材料として期待される「酸化ガリウム」について、材料の基礎から、トランジスタ、ショットキーバリアダイオードなどデバイス開発の最新事例、今後の課題と展望を解説いたします。

開催日

  • 2024年3月13日(水) 11時00分 16時15分

修得知識

  • Ga2O3物性の基礎知識
  • 各種要素技術開発の現状
    • エピタキシャル薄膜成長
    • デバイス
      • トランジスタ
      • ショットキーバリアダイオード など
  • 今後に向けた課題等に関する情報
  • β-Ga2O3単結晶基板の最新動向
  • エピタキシャル成長技術の最新動向
  • ノベルクリスタルテクノロジー社が進めるβ-Ga2O3ショットキーバリアダイオード製品化の最新状況

プログラム

第1部 「酸化ガリウムの基礎とパワーデバイスの開発動向」

(2024年3月13日 11:00〜15:05 / ※12:30〜13:20 昼食休憩)

 酸化ガリウム (Ga2O3) は、次世代パワーデバイス用途の新半導体材料として期待されるに足る、優れた材料物性を有します。また、原理的に大口径かつ高品質な単結晶基板を、融液成長法により安価かつ簡便に作製することができるという、産業上の大きな魅力も合わせ持ちます。こういった特徴から、SiC、GaNに続く次世代パワーデバイス材料候補として現在注目を集めております。
 本講演では、Ga2O3パワーデバイスの位置づけ・魅力、現在までのエピタキシャル薄膜成長、デバイス (トランジスタ、ショットキーバリアダイオード) の研究開発状況、今後に向けた課題および展望などについて、講師グループおよび講師共同研究グループの開発成果を中心に解説いたします。

  1. はじめに
    1. Ga2O3の材料的特徴 (SiC, GaNとの比較から)
    2. 将来的なGa2O3デバイスの用途
  2. Ga2O3エピタキシャル薄膜成長技術
    1. MBE成長
    2. HVPE成長
    3. MOCVD成長
  3. Ga2O3トランジスタ開発
    1. 横型フィールドプレートMOSFET
    2. 横型ノーマリーオフMOSFET
    3. 横型高周波MOSFET
    4. 縦型MOSFET
    5. 国内外のGa2O3トランジスタ開発動向
  4. Ga2O3ダイオード開発
    1. HVPE成長したドリフト層を有する縦型SBD
    2. 縦型フィールドプレートSBD
    3. 縦型ガードリングSBD
    4. 国内外のGa2O3ダイオード開発動向
  5. まとめ、今後の課題
    • 質疑応答

第2部 「ノベルクリスタルテクノロジー社における開発の現状と今後」

(2024年3月13日 15:15〜16:15)

 酸化ガリウム (β-Ga2O3) は、その大きな絶縁破壊電界強度と、高品質な単結晶基板を安価に製造できるという特徴から、次世代のパワーデバイス材料として注目が集まっている。本講演では、当社が開発を進めるβ-Ga2O3単結晶基板、エピタキシャル成長、ショットキーバリアダイオード、トランジスタの最新状況を紹介する。

  1. ノベルクリスタルテクノロジーについて
  2. β-Ga2O3パワーデバイスの魅力
  3. 単結晶基板、エピタキシャル成長技術
    1. 4インチ単結晶基板
    2. 4インチエピタキシャルウェハ
  4. パワーデバイス応用
    1. ショットキーバリアダイオード
    2. トランジスタ
  5. まとめ
    • 質疑応答

講師

  • 東脇 正高
    大阪公立大学 大学院 工学研究科 電子物理工学分野
    教授
  • 佐々木 公平
    株式会社ノベルクリスタルテクノロジー
    取締役 CTO

主催

お支払い方法、キャンセルの可否は、必ずお申し込み前にご確認をお願いいたします。

お問い合わせ

本セミナーに関するお問い合わせは tech-seminar.jpのお問い合わせからお願いいたします。
(主催者への直接のお問い合わせはご遠慮くださいませ。)

受講料

1名様
: 36,200円 (税別) / 39,820円 (税込)
複数名
: 25,000円 (税別) / 27,500円 (税込)

複数名受講割引

  • 2名様以上でお申込みの場合、1名あたり 25,000円(税別) / 27,500円(税込) で受講いただけます。
    • 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 36,200円(税別) / 39,820円(税込)
    • 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 50,000円(税別) / 55,000円(税込)
    • 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 75,000円(税別) / 82,500円(税込)
  • 同一法人内 (グループ会社でも可) による複数名同時申込みのみ適用いたします。
  • 受講券、請求書は、代表者にご郵送いたします。
  • 請求書および領収書は1名様ごとに発行可能です。
    申込みフォームの通信欄に「請求書1名ごと発行」とご記入ください。
  • 他の割引は併用できません。
  • サイエンス&テクノロジー社の「2名同時申込みで1名分無料」価格を適用しています。

アカデミー割引

教員、学生および医療従事者はアカデミー割引価格にて受講いただけます。

  • 1名様あたり 10,000円(税別) / 11,000円(税込)
  • 企業に属している方(出向または派遣の方も含む)は、対象外です。
  • お申込み者が大学所属名でも企業名義でお支払いの場合、対象外です。

ライブ配信セミナーについて

  • 本セミナーは「Zoom」を使ったライブ配信セミナーとなります。
  • お申し込み前に、 視聴環境テストミーティングへの参加手順 をご確認いただき、 テストミーティング にて動作確認をお願いいたします。
  • 開催日前に、接続先URL、ミーティングID​、パスワードを別途ご連絡いたします。
  • セミナー開催日時に、視聴サイトにログインしていただき、ご視聴ください。
  • セミナー資料は、PDFファイルをダウンロードいただきます。
  • ご自宅への書類送付を希望の方は、通信欄にご住所・宛先などをご記入ください。
  • タブレットやスマートフォンでも受講可能ですが、機能が制限される場合があります。
  • ご視聴は、お申込み者様ご自身での視聴のみに限らせていただきます。不特定多数でご覧いただくことはご遠慮下さい。
  • 講義の録音、録画などの行為や、権利者の許可なくテキスト資料、講演データの複製、転用、販売などの二次利用することを固く禁じます。
  • Zoomのグループにパスワードを設定しています。お申込者以外の参加を防ぐため、パスワードを外部に漏洩しないでください。
    万が一、部外者が侵入した場合は管理者側で部外者の退出あるいはセミナーを終了いたします。
本セミナーは終了いたしました。

これから開催される関連セミナー

開始日時 会場 開催方法
2024/4/22 フォトレジスト材料の基礎と課題 オンライン
2024/4/23 半導体パッケージ 入門講座 オンライン
2024/4/24 樹脂材料のEV駆動モータ/パワーデバイスへの実装に向けた高電圧絶縁特性の基礎と評価法 オンライン
2024/4/24 電気自動車用インバータの現状・課題とパワーモジュールの高出力密度化・高耐熱化・高耐圧化 オンライン
2024/4/24 各種パワーデバイスの特徴・技術動向と今後の課題 オンライン
2024/4/25 5G高度化とDXを支える半導体実装用低誘電特性樹脂・基板材料の開発と技術動向 オンライン
2024/4/26 先端半導体パッケージにおけるボンディング技術 オンライン
2024/4/26 自動車の電動化に向けた半導体封止樹脂の設計と評価 オンライン
2024/4/26 半導体パッケージにおけるチップレット集積技術の最新動向と評価 オンライン
2024/5/2 樹脂材料のEV駆動モータ/パワーデバイスへの実装に向けた高電圧絶縁特性の基礎と評価法 オンライン
2024/5/7 エヌビディアGPU祭りと半導体不況本格回復への羅針盤 オンライン
2024/5/8 自動車の電動化に向けた半導体封止樹脂の設計と評価 オンライン
2024/5/8 半導体パッケージにおけるチップレット集積技術の最新動向と評価 オンライン
2024/5/10 半導体ウェハの欠陥制御と検出、評価技術 オンライン
2024/5/13 設計者CAEのための材料力学 (理論と手計算) オンライン
2024/5/16 半導体めっきの基礎とめっき技術の最新技術動向 オンライン
2024/5/16 酸化ガリウムの基礎とパワーデバイスの開発動向 オンライン
2024/5/16 電源回路設計入門 (2日間) オンライン
2024/5/16 電源回路設計入門 (1) オンライン
2024/5/17 半導体装置・材料のトレンドと今後の展望 オンライン

関連する出版物

発行年月
2024/2/26 EUV (極端紫外線) 露光装置 技術開発実態分析調査報告書 (CD-ROM版)
2024/2/26 EUV (極端紫外線) 露光装置 技術開発実態分析調査報告書
2023/9/29 先端半導体製造プロセスの最新動向と微細化技術
2023/4/28 次世代半導体パッケージの最新動向とその材料、プロセスの開発
2022/11/29 半導体製造プロセスを支える洗浄・クリーン化・汚染制御技術
2022/10/31 半導体製造におけるウェット/ドライエッチング技術
2022/7/27 次世代パワーエレクトロニクスの課題と評価技術
2022/6/17 2022年版 電子部品市場・技術の実態と将来展望
2022/6/13 パワー半導体〔2022年版〕
2022/6/13 パワー半導体〔2022年版〕 (CD-ROM版)
2021/12/10 2022年版 スマートデバイス市場の実態と将来展望
2021/11/12 レジスト材料の基礎とプロセス最適化
2021/6/18 2021年版 電子部品・デバイス市場の実態と将来展望
2020/12/11 2021年版 スマートデバイス市場の実態と将来展望
2020/7/17 2020年版 電子部品・デバイス市場の実態と将来展望
2019/7/19 2019年版 電子部品・デバイス市場の実態と将来展望
2018/11/30 EV・HEV向け電子部品、電装品開発とその最新事例
2018/3/20 レジスト材料・プロセスの使い方ノウハウとトラブル解決
2018/1/10 SiC/GaNパワーエレクトロニクス普及のポイント
2016/9/30 電磁波吸収・シールド材料の設計、評価技術と最新ノイズ対策