技術セミナー・研修・出版・書籍・通信教育・eラーニング・講師派遣の テックセミナー ジェーピー
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アーカイブ配信で受講をご希望の場合、視聴期間は2026年10月21日〜28日を予定しております。
アーカイブ配信のお申し込みは2026年10月26日まで承ります。
本セミナーでは、プラズマによる表面改質から加工原理までを解説し、単結晶・多結晶ダイヤモンド、SiC、GaN、AlN焼結材料への最新適用事例について紹介いたします。
AIデータセンター向けパワーデバイス、次世代パワーエレクトロニクス、量子デバイス、高性能光学部材などの発展に伴い、ダイヤモンド、SiC、GaN、AlNなどのワイドギャップ材料・超硬質材料には、サブナノメートルレベルの表面平坦性と加工損傷のない原子精度加工が強く求められています。しかし、従来の機械研磨やCMPでは、加工能率、加工異方性、加工損傷、環境負荷などの課題が残されています。
本講座では、これらの課題を解決する新しい加工コンセプトとして、プラズマによる表面反応制御を利用した原子精度加工技術を解説します。プラズマによる表面改質、自己停止反応、選択的表面除去という一連の加工原理を体系的に説明するとともに、単結晶・多結晶ダイヤモンド、SiC、GaN、AlN焼結材料への最新適用事例を紹介します。
さらに、加工メカニズムの理解だけでなく、加工異方性の抑制、ダメージフリー加工、高能率加工を両立する設計指針や、今後の半導体・光学・量子デバイス製造への応用展望についても解説します。原子レベルで表面反応を制御する新しい加工技術を体系的に理解できる内容となっています。
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「案内の希望」をご選択いただいた場合、1名様 36,000円(税別) / 39,600円(税込) で受講いただけます。
複数名で同時に申込いただいた場合、1名様につき 22,500円(税別) / 24,750円(税込) で受講いただけます。
| 開始日時 | 会場 | 開催方法 | |
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| 発行年月 | |
|---|---|
| 2018/9/27 | プラズマCVDにおける成膜条件の最適化に向けた反応機構の理解とプロセス制御・成膜事例 |
| 2018/3/20 | レジスト材料・プロセスの使い方ノウハウとトラブル解決 |
| 2018/1/10 | SiC/GaNパワーエレクトロニクス普及のポイント |
| 2015/6/30 | 導電性フィラー、導電助剤の分散性向上、評価、応用 |
| 2014/10/31 | 炭化ケイ素半導体 技術開発実態分析調査報告書 |
| 2014/10/31 | 炭化ケイ素半導体 技術開発実態分析調査報告書 (CD-ROM版) |
| 2013/12/15 | パワー半導体 技術開発実態分析調査報告書 (CD-ROM版) |
| 2013/12/15 | パワー半導体 技術開発実態分析調査報告書 |
| 2013/2/10 | 酸化物半導体 技術開発実態分析調査報告書 (CD-ROM版) |
| 2013/2/10 | 酸化物半導体 技術開発実態分析調査報告書 |
| 2012/10/30 | SiCパワーデバイスの開発と最新動向 |
| 2012/6/15 | 半導体・液晶パネル製造装置9社 技術開発実態分析調査報告書 |
| 2012/6/15 | 半導体・液晶パネル製造装置9社 技術開発実態分析調査報告書 (CD-ROM版) |
| 2012/4/25 | GaNパワーデバイスの技術展開 |
| 2012/4/15 | Intel 【米国特許版】 技術開発実態分析調査報告書 |
| 2011/11/15 | 半導体露光装置 技術開発実態分析調査報告書 |
| 2010/6/5 | 半導体技術10社 技術開発実態分析調査報告書 |
| 2010/5/14 | SiCパワーデバイス最新技術 |
| 2008/9/1 | 半導体製造用炭化ケイ素 技術開発実態分析調査報告書 (PDF版) |
| 2008/9/1 | 半導体製造用炭化ケイ素 技術開発実態分析調査報告書 |