技術セミナー・研修・出版・書籍・通信教育・eラーニング・講師派遣の テックセミナー ジェーピー

プラズマ表面反応制御によるダイヤモンド・ワイドギャップ半導体材料の原子精度加工

プラズマ表面反応制御によるダイヤモンド・ワイドギャップ半導体材料の原子精度加工

~表面改質・自己停止反応・超精密研磨の最新展開~
オンライン 開催

アーカイブ配信で受講をご希望の場合、視聴期間は2026年10月21日〜28日を予定しております。
アーカイブ配信のお申し込みは2026年10月26日まで承ります。

概要

本セミナーでは、プラズマによる表面改質から加工原理までを解説し、単結晶・多結晶ダイヤモンド、SiC、GaN、AlN焼結材料への最新適用事例について紹介いたします。

開催日

  • 2026年10月19日(月) 13時00分 ~ 16時30分

受講対象者

  • パワーデバイス・半導体メーカー、ダイヤモンド・SiC・GaN・AlN等の材料メーカーの技術者
  • 精密加工・研磨・CMP・超精密加工技術者
  • 光学・放熱・量子デバイス関連技術者
  • 加工プロセス・製造技術・研究開発担当者

修得知識

  • 難加工材料に対する原子精度加工の考え方
  • プラズマ表面反応制御の基礎と加工原理
  • 自己停止反応を利用したダメージフリー加工
  • ダイヤモンド・SiC・GaN・AlNへの最新適用事例
  • 次世代半導体・光学・量子デバイス製造への展望

プログラム

 AIデータセンター向けパワーデバイス、次世代パワーエレクトロニクス、量子デバイス、高性能光学部材などの発展に伴い、ダイヤモンド、SiC、GaN、AlNなどのワイドギャップ材料・超硬質材料には、サブナノメートルレベルの表面平坦性と加工損傷のない原子精度加工が強く求められています。しかし、従来の機械研磨やCMPでは、加工能率、加工異方性、加工損傷、環境負荷などの課題が残されています。
 本講座では、これらの課題を解決する新しい加工コンセプトとして、プラズマによる表面反応制御を利用した原子精度加工技術を解説します。プラズマによる表面改質、自己停止反応、選択的表面除去という一連の加工原理を体系的に説明するとともに、単結晶・多結晶ダイヤモンド、SiC、GaN、AlN焼結材料への最新適用事例を紹介します。
 さらに、加工メカニズムの理解だけでなく、加工異方性の抑制、ダメージフリー加工、高能率加工を両立する設計指針や、今後の半導体・光学・量子デバイス製造への応用展望についても解説します。原子レベルで表面反応を制御する新しい加工技術を体系的に理解できる内容となっています。

  1. 原子精度加工が求められる背景
    1. 次世代半導体・光学・量子デバイスにおける加工要求
    2. ダイヤモンド・SiC・GaN・AlN材料の特徴
    3. 従来加工法 (CMP・機械研磨) の課題
  2. プラズマ表面反応制御による原子精度加工
    1. プラズマによる表面改質の基礎
    2. PAP (Plasma-assisted Polishing) の基本原理
    3. 表面反応と材料除去メカニズム
    4. 加工異方性と表面反応の関係
  3. 自己停止反応による高精度加工
    1. 自己停止加工とは
    2. 表面改質層形成と選択的除去
    3. 加工損傷を抑制する反応制御
    4. 原子レベル加工への展開
  4. 最新研究事例
    1. 単結晶SiC
    2. GaN基板
    3. AlN焼結材料
    4. 単結晶ダイヤモンド (SCD)
    5. 多結晶ダイヤモンド (PCD)
    6. 加工特性・表面品質・加工能率の比較
  5. 今後の展望
    1. 原子精度加工の新しい加工パラダイム
    2. AI・量子・パワーデバイスへの応用
    3. 今後期待される研究・産業応用

講師

主催

お支払い方法、キャンセルの可否は、必ずお申し込み前にご確認をお願いいたします。

お問い合わせ

本セミナーに関するお問い合わせは tech-seminar.jpのお問い合わせからお願いいたします。
(主催者への直接のお問い合わせはご遠慮くださいませ。)

受講料

1名様
: 45,000円 (税別) / 49,500円 (税込)
複数名
: 22,500円 (税別) / 24,750円 (税込) (案内をご希望の場合に限ります)

案内割引・複数名同時申込割引について

R&D支援センターからの案内登録をご希望の方は、割引特典を受けられます。
案内および割引をご希望される方は、お申込みの際、「案内の希望 (割引適用)」の欄から案内方法をご選択ください。

「案内の希望」をご選択いただいた場合、1名様 36,000円(税別) / 39,600円(税込) で受講いただけます。
複数名で同時に申込いただいた場合、1名様につき 22,500円(税別) / 24,750円(税込) で受講いただけます。

  • R&D支援センターからの案内を希望する方
    • 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 36,000円(税別) / 39,600円(税込)
    • 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 45,000円(税別) / 49,500円(税込)
    • 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 67,500円(税別) / 74,250円(税込)
  • R&D支援センターからの案内を希望しない方
    • 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 45,000円(税別) / 49,500円(税込)
    • 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 90,000円(税別) / 99,000円(税込)
    • 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 135,000円(税別) / 148,500円(税込)

ライブ配信対応セミナー / アーカイブ配信対応セミナー

  • 「Zoom」を使ったライブ配信またはアーカイブ配信セミナーのいずれかをご選択いただけます。
  • お申し込み前に、 Zoomのシステム要件 と テストミーティングへの参加手順 をご確認いただき、 テストミーティング にて動作確認をお願いいたします。
  • 開催日前に、接続先URL、ミーティングID​、パスワードを別途ご連絡いたします。
  • セミナー開催日時に、視聴サイトにログインしていただき、ご視聴ください。
  • セミナー資料は、PDFファイルを配布予定です。
  • タブレットやスマートフォンでも受講可能ですが、機能が制限される場合があります。
  • ご視聴は、お申込み者様ご自身での視聴のみに限らせていただきます。不特定多数でご覧いただくことはご遠慮下さい。
  • 講義の録音、録画などの行為や、権利者の許可なくテキスト資料、講演データの複製、転用、販売などの二次利用することを固く禁じます。

ライブ配信セミナーをご希望の場合

  • Zoomのグループにパスワードを設定しています。お申込者以外の参加を防ぐため、パスワードを外部に漏洩しないでください。
    万が一、部外者が侵入した場合は管理者側で部外者の退出あるいはセミナーを終了いたします。

アーカイブ配信セミナーをご希望の場合

  • 当日のセミナーを、後日にお手元のPCやスマホ・タブレッドなどからご視聴・学習することができます。
  • 配信開始となりましたら、改めてメールでご案内いたします。
  • 視聴サイトにログインしていただき、ご視聴いただきます。
  • 視聴期間は2026年10月21日〜28日を予定しております。
    ご視聴いただけなかった場合でも期間延長いたしませんのでご注意ください。

これから開催される関連セミナー

開始日時 会場 開催方法
2026/10/8 三次元集積化プロセスの基礎と先進半導体パッケージの最新動向 オンライン
2026/10/8 パワー半導体実装部の熱疲労信頼性設計へ向けた機械負荷試験評価法 オンライン
2026/10/9 半導体製造装置の基礎・トレンドと今後の展望 (2026年秋版) オンライン
2026/10/9 光電融合・Co-Packaged Optics (CPO) 技術の基礎と最新研究動向および技術課題 オンライン
2026/10/13 光電融合・Co-Packaged Optics (CPO) 技術の基礎と最新研究動向および技術課題 オンライン
2026/10/15 光半導体のパッケージング技術、基本情報と課題 オンライン
2026/10/15 光電融合技術の最新動向と実装プロセス、樹脂材料への要求特性 オンライン
2026/10/16 光半導体のパッケージング技術、基本情報と課題 オンライン
2026/10/16 半導体デバイスを基礎から理解する : 現場や実務で役立つデバイス物性入門 オンライン
2026/10/16 酸化物半導体の基礎と三次元集積デバイス応用に向けた研究開発動向 オンライン
2026/10/19 半導体デバイスを基礎から理解する : 現場や実務で役立つデバイス物性入門 オンライン
2026/10/20 パワー半導体実装部の熱疲労信頼性設計へ向けた機械負荷試験評価法 オンライン
2026/10/21 シリコン、SiC・GaNパワーデバイス開発の最新状況と今後の動向 オンライン
2026/10/21 プラズマ表面反応制御によるダイヤモンド・ワイドギャップ半導体材料の原子精度加工 オンライン
2026/10/21 パワーデバイスSiC結晶欠陥の基礎知識とその観察・評価技術 オンライン
2026/10/21 半導体ウェット洗浄の基礎・実践と最新洗浄技術 オンライン
2026/10/22 ガラスコア基板・TGVに向けた超短パルスレーザー微細貫通穴加工技術 オンライン
2026/10/22 半導体産業動向 2026 オンライン
2026/10/22 半導体製造プロセスにおけるフィルタ技術の基礎と選定・活用 オンライン
2026/10/23 SiCパワー半導体・ウェハ開発の現状と高品質化・低コスト化への課題 オンライン

関連する出版物

発行年月
2018/9/27 プラズマCVDにおける成膜条件の最適化に向けた反応機構の理解とプロセス制御・成膜事例
2018/3/20 レジスト材料・プロセスの使い方ノウハウとトラブル解決
2018/1/10 SiC/GaNパワーエレクトロニクス普及のポイント
2015/6/30 導電性フィラー、導電助剤の分散性向上、評価、応用
2014/10/31 炭化ケイ素半導体 技術開発実態分析調査報告書
2014/10/31 炭化ケイ素半導体 技術開発実態分析調査報告書 (CD-ROM版)
2013/12/15 パワー半導体 技術開発実態分析調査報告書 (CD-ROM版)
2013/12/15 パワー半導体 技術開発実態分析調査報告書
2013/2/10 酸化物半導体 技術開発実態分析調査報告書 (CD-ROM版)
2013/2/10 酸化物半導体 技術開発実態分析調査報告書
2012/10/30 SiCパワーデバイスの開発と最新動向
2012/6/15 半導体・液晶パネル製造装置9社 技術開発実態分析調査報告書
2012/6/15 半導体・液晶パネル製造装置9社 技術開発実態分析調査報告書 (CD-ROM版)
2012/4/25 GaNパワーデバイスの技術展開
2012/4/15 Intel 【米国特許版】 技術開発実態分析調査報告書
2011/11/15 半導体露光装置 技術開発実態分析調査報告書
2010/6/5 半導体技術10社 技術開発実態分析調査報告書
2010/5/14 SiCパワーデバイス最新技術
2008/9/1 半導体製造用炭化ケイ素 技術開発実態分析調査報告書 (PDF版)
2008/9/1 半導体製造用炭化ケイ素 技術開発実態分析調査報告書