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酸化ガリウムパワーデバイスの最新技術・研究開発動向と今後の展開

酸化ガリウムパワーデバイスの最新技術・研究開発動向と今後の展開

~期待を集めるGa2O3デバイスの基礎から開発事例、課題・展望を解説~
オンライン 開催

概要

本セミナーでは、Ga2O3パワーデバイスの位置づけ・魅力、現在までのバルク・基板、エピタキシャル薄膜成長、デバイス (トランジスタ、ショットキーバリアダイオード) の研究開発状況、今後に向けた課題および展望などについて解説いたします。

配信期間

  • 2026年3月4日(水) 13時00分2026年3月11日(水) 17時00分

お申し込みの締切日

  • 2026年3月9日(月) 17時00分

修得知識

  • Ga2O3物性の基礎知識
  • 各種要素技術開発の現状と今後に向けた課題等に関する情報
    • バルク融液成長
    • エピタキシャル薄膜成長
    • デバイス
      • トランジスタ
      • ショットキーバリアダイオード

プログラム

 酸化ガリウム (Ga2O3) は、次世代パワーデバイス用途の新半導体材料として期待されるに足る、優れた材料物性を有する。また、原理的に大口径かつ高品質な単結晶基板を、融液成長法により安価かつ簡便に作製することができるという、産業上の大きな魅力も合わせ持つ。こういった特徴から、SiC, GaNに続く次世代パワーデバイス材料候補として現在注目を集めている。
 本講演では、Ga2O3パワーデバイスの位置づけ・魅力、現在までのバルク・基板、エピタキシャル薄膜成長、デバイス (トランジスタ、ショットキーバリアダイオード) の研究開発状況、今後に向けた課題および展望などについて解説する。

  1. はじめに
    1. Ga2O3の材料的特徴 (SiC, GaNとの比較から)
    2. 将来的なGa2O3デバイスの用途
  2. Ga2O3バルク融液成長技術
  3. Ga2O3エピタキシャル薄膜成長技術
    1. MBE成長
    2. HVPE成長
    3. MOCVD成長
  4. Ga2O3トランジスタ開発
    1. 横型MESFET
    2. 横型DモードMOSFET
    3. 横型フィールドプレートMOSFET
    4. 縦型DモードMOSFET
    5. 縦型EモードMOSFET
    6. 国内外のGa2O3 FET開発動向
  5. Ga2O3ショットキーバリアダイオード (SBD) 開発
    1. HVPE成長したドリフト層を有する縦型SBD
    2. 縦型フィールドプレートSBD
    3. 縦型ガードリングSBD
    4. 国内外のGa2O3 SBD開発動向
  6. まとめ、今後の課題
    • 質疑応答

主催

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お問い合わせ

本セミナーに関するお問い合わせは tech-seminar.jpのお問い合わせからお願いいたします。
(主催者への直接のお問い合わせはご遠慮くださいませ。)

受講料

1名様
: 45,000円 (税別) / 49,500円 (税込)
複数名
: 22,500円 (税別) / 24,750円 (税込) (案内をご希望の場合に限ります)

案内割引・複数名同時申込割引について

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  • R&D支援センターからの案内を希望する方
    • 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 35,000円(税別) / 38,500円(税込)
    • 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 45,000円(税別) / 49,500円(税込)
    • 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 67,500円(税別) / 74,250円(税込)
  • R&D支援センターからの案内を希望しない方
    • 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 45,000円(税別) / 49,500円(税込)
    • 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 90,000円(税別) / 99,000円(税込)
    • 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 135,000円(税別) / 148,500円(税込)

アーカイブ配信セミナー

  • 当日のセミナーを、後日にお手元のPCやスマホ・タブレッドなどからご視聴・学習することができます。
  • 配信開始となりましたら、改めてメールでご案内いたします。
  • 視聴サイトにログインしていただき、ご視聴いただきます。
  • 視聴期間は2026年3月4日〜11日を予定しております。
    ご視聴いただけなかった場合でも期間延長いたしませんのでご注意ください。
本セミナーは終了いたしました。

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