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シリコン、SiC・GaNパワーデバイス開発の最新状況と今後の動向

AIサーバ用電源ならびに自動車の電動化に向けた

シリコン、SiC・GaNパワーデバイス開発の最新状況と今後の動向

～パワー半導体デバイス、パッケージの最新技術動向 / Si-IGBTの強み、SiC/GaNパワーデバイスの特長と課題 / パワー半導体デバイス、SiC/GaN市場予測 / シリコンIGBT、SiCデバイス実装技術 / SiC/GaNデバイス特有の設計、プロセス技術～
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  • ライブ配信を欠席し、アーカイブ配信のみ受講をご希望の場合は、通信欄に「ライブ欠席、アーカイブのみ受講」とご記入ください。

概要

本セミナーでは、パワーデバイス技術の基礎・周辺材料技術と、SiCパワーデバイスの実際・最新動向について詳解いたします。

開催日

  • 2026年2月24日(火) 10時30分 ～ 16時30分

受講対象者

  • SiC半導体、GaN半導体、パワーデバイスに関連する技術者
    • 電気・エネルギー関連
    • 電力変換回路
    • 自動車
    • ハイブリッド車
    • 電気自動車
    • 電車
    • PC
    • 家電
    • エレベータ
    • インバーター
    • データセンター
    • 無停電電源装置 など

修得知識

  • パワー半導体デバイス、半導体パッケージの最新技術動向
  • Si – MOSFET, IGBTの強み、SiC/GaNパワーデバイスの特長と課題
  • パワー半導体デバイス、SiC/GaNの市場予測
  • シリコンIGBT、SiCデバイス実装技術
  • SiC/GaNデバイス特有の設計、プロセス技術
  • 酸化ガリウムパワーデバイス技術

プログラム

　2026年、世界はAIデータセンター電源の高効率・大容量化と、自動車電動化 (xEV) の再加速に向けて大きく動いている。AIサーバ電源やxEVの性能を左右する中核部品であるパワーデバイスでは、SiC・GaNデバイスが次世代の本命として急速に存在感を高めている。すでに実機搭載も進みつつあり、今後はシリコンMOSFET・IGBTをどこまで凌駕できるかが焦点となる。
　鍵を握るのは、性能・信頼性・コストという三要素に対し、新材料デバイスがどのように市場要求へ応えていくかである。本セミナーでは、SiC/GaN技術の現状と今後の動向を整理し、さらに注目を集める酸化ガリウム (Ga2O3) デバイスの可能性、実装技術、そして市場予測までを、わかりやすくかつ丁寧に解説する。

  1. パワーエレクトロニクス (パワーエレクトロニクス) とはなに?
    1. パワーエレクトロニクス&パワーデバイスの仕事
    2. パワー半導体の種類と基本構造
    3. パワーデバイスの適用分野
    4. AIデーターサーバ電源、xEV向けパワーデバイス最近のトピックス
    5. シリコンMOSFET・IGBTの伸長
    6. ノーマリ-オフ・ノーマリーオン特性とはなに?
    7. パワーデバイス開発のポイント
  2. 最新シリコンパワーMOSFETとIGBTの進展と課題
    1. パワーデバイス市場の現在と将来
    2. MOSFET特性改善を支える技術
    3. IGBT特性改善を支える技術
    4. IGBT薄ウェハ化の限界
    5. MOSFET・IGBT特性改善の次の一手
    6. シリコンIGBTの実装技術
  3. SiCパワーデバイスの現状と課題
    1. 半導体デバイス材料の変遷
    2. ワイドバンドギャップ半導体とは?
    3. なぜSiCパワーデバイスが新材料パワーデバイスでトップランナなのか
    4. 各社はSiC-IGBTではなくSiC-MOSFETを開発する。なぜか?
    5. SiC-MOSFETの勝ち筋
    6. SiC-MOSFETの普及拡大のために解決すべき課題
    7. SiC MOSFETコストダウンのための技術開発
    8. 低オン抵抗化がなぜコストダウンにつながるのか
    9. SiC-MOSFET内蔵ダイオードのVf劣化とは?
    10. 内蔵ダイオード信頼性向上技術
  4. GaNパワーデバイスの現状と課題
    1. なぜGaNパワーデバイスなのか?
    2. GaNデバイスの構造
    3. SiCとGaNデバイスの狙う市場
    4. GaNパワーデバイスはHEMT構造。その特徴は?
    5. GaN-HEMTのノーマリ-オフ化
    6. GaN-HEMTの最新技術動向 (高耐圧化へ向けて)
    7. 縦型GaNデバイスの最新動向
  5. 酸化ガリウムパワーデバイスの現状
    1. 酸化ガリウムの特徴は何
    2. 最近の酸化ガリウムパワーデバイスの開発状況
  6. SiCパワーデバイス実装技術の進展
    1. SiC-MOSFETモジュールに求められるもの
    2. 銀または銅焼結接合技術
    3. SiC-MOSFETモジュール技術
  7. まとめ
    • 質疑応答
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講師

  • 岩室 憲幸 氏
    筑波大学 数理物質系 物理工学域
    教授
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主催

サイエンス＆テクノロジー 株式会社
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お問い合わせ

本セミナーに関するお問い合わせは tech-seminar.jpのお問い合わせからお願いいたします。
(主催者への直接のお問い合わせはご遠慮くださいませ。)

受講料

1名様
: 38,200円 (税別) / 42,020円 (税込)
複数名
: 25,000円 (税別) / 27,500円 (税込)

複数名受講割引

  • 2名様以上でお申込みの場合、1名あたり 25,000円(税別) / 27,500円(税込) で受講いただけます。
    • 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 38,200円(税別) / 42,020円(税込)
    • 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 50,000円(税別) / 55,000円(税込)
    • 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 75,000円(税別) / 82,500円(税込)
  • 同一法人内 (グループ会社でも可) による複数名同時申込みのみ適用いたします。
  • 請求書は、代表者にご送付いたします。
  • 請求書および領収書は1名様ごとに発行可能です。
    申込みフォームの通信欄に「請求書1名ごと発行」とご記入ください。
  • 他の割引は併用できません。
  • サイエンス&テクノロジー社の「2名同時申込みで1名分無料」価格を適用しています。

アカデミー割引

教員、学生および医療従事者はアカデミー割引価格にて受講いただけます。

  • 1名様あたり 10,000円(税別) / 11,000円(税込)
  • 企業に属している方(出向または派遣の方も含む)は、対象外です。
  • お申込み者が大学所属名でも企業名義でお支払いの場合、対象外です。

ライブ配信セミナーについて

  • 本セミナーは「Zoom」を使ったライブ配信セミナーとなります。
  • お申し込み前に、 Zoomのシステム要件 と テストミーティングへの参加手順 をご確認いただき、 テストミーティング にて動作確認をお願いいたします。
  • 開催日前に、接続先URL、ミーティングID​、パスワードを別途ご連絡いたします。
  • セミナー開催日時に、視聴サイトにログインしていただき、ご視聴ください。
  • セミナー資料は、PDFファイルをダウンロードいただきます。
  • ご自宅への書類送付を希望の方は、通信欄にご住所・宛先などをご記入ください。
  • タブレットやスマートフォンでも受講可能ですが、機能が制限される場合があります。
  • ご視聴は、お申込み者様ご自身での視聴のみに限らせていただきます。不特定多数でご覧いただくことはご遠慮下さい。
  • 講義の録音、録画などの行為や、権利者の許可なくテキスト資料、講演データの複製、転用、販売などの二次利用することを固く禁じます。
  • Zoomのグループにパスワードを設定しています。お申込者以外の参加を防ぐため、パスワードを外部に漏洩しないでください。
    万が一、部外者が侵入した場合は管理者側で部外者の退出あるいはセミナーを終了いたします。
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これから開催される関連セミナー

開始日時 会場 開催方法
2026/9/24 半導体パッケージの基礎知識、最新技術動向と課題 オンライン
2026/9/24 電子部品・材料の故障解析技術 オンライン
2026/9/25 半導体量子ビットの基礎と研究動向および技術課題と展望 オンライン
2026/9/28 半導体製造装置用セラミックス部材の開発動向とプラズマ耐性向上 オンライン
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2026/9/29 AIデータセンターを取り巻く最新技術動向と今後の展望 オンライン
2026/9/29 半導体市場の動向と半導体産業の今後の見通し オンライン
2026/9/29 半導体パッケージの最新動向と半導体封止材の設計・評価技術 オンライン
2026/9/29 AIデータセンター向け超高速光トランシーバの最新動向 オンライン
2026/9/30 フォトレジストの材料設計と先端半導体プロセス技術 オンライン
2026/9/30 自動車用防振ゴムの劣化メカニズムと耐久性試験・寿命予測 オンライン
2026/9/30 DFT技術の最新動向と2.5D/3D-IC対応の実践ポイント オンライン
2026/9/30 半導体ウェット洗浄の基礎・実践と最新洗浄技術 オンライン
2026/10/1 DFT技術の最新動向と2.5D/3D-IC対応の実践ポイント オンライン
2026/10/2 自動車用防振ゴムの劣化メカニズムと耐久性試験・寿命予測 オンライン
2026/10/2 2nm以降半導体向け配線技術の最新動向と材料、プロセスへの要求特性 オンライン
2026/10/2 半導体 (IC) の製造工程と半導体用素部材の基本情報 オンライン
2026/10/8 三次元集積化プロセスの基礎と先進半導体パッケージの最新動向 オンライン
2026/10/8 パワー半導体実装部の熱疲労信頼性設計へ向けた機械負荷試験評価法 オンライン
2026/10/9 半導体製造装置の基礎・トレンドと今後の展望 (2026年秋版) オンライン
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関連する出版物

発行年月
2023/4/28 次世代半導体パッケージの最新動向とその材料、プロセスの開発
2022/11/29 半導体製造プロセスを支える洗浄・クリーン化・汚染制御技術
2022/10/31 半導体製造におけるウェット/ドライエッチング技術
2022/6/30 自動運転車に向けた電子機器・部品の開発と制御技術
2022/6/13 パワー半導体〔2022年版〕 (CD-ROM版)
2022/6/13 パワー半導体〔2022年版〕
2022/5/31 自動車マルチマテリアルに向けた樹脂複合材料の開発
2022/5/6 EV、PHEV、HEVと燃料電池車の環境・走行性能分析 (書籍版)
2022/5/6 EV、PHEV、HEVと燃料電池車の環境・走行性能分析 (書籍+PDF版)
2022/2/4 世界のxEV、車載用LIB・LIB材料 最新業界レポート
2021/11/12 レジスト材料の基礎とプロセス最適化
2021/9/30 自動車室内の静粛性向上と、防音・防振技術、材料の開発
2021/1/31 次世代EV/HEV用モータの高出力化と関連材料の開発
2020/12/25 次世代自動車の熱マネジメント
2019/1/31 センサフュージョン技術の開発と応用事例
2018/11/30 EV・HEV向け電子部品、電装品開発とその最新事例
2018/4/12 自動車用プラスチック部品の開発・採用の最新動向 2018
2018/3/20 レジスト材料・プロセスの使い方ノウハウとトラブル解決
2018/1/10 SiC/GaNパワーエレクトロニクス普及のポイント
2017/5/31 車載センシング技術の開発とADAS、自動運転システムへの応用
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