技術セミナー・研修・出版・書籍・通信教育・eラーニング・講師派遣の テックセミナー ジェーピー
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本セミナーでは、半導体デバイスで利用されるプラズマエッチングの基礎から解説し、各種プラズマ装置の特長、プラズマプロセシングで重要なシース、プラズマパラメータ、ドライエッチング技術、微細加工が可能な反応性イオンエッチング (RIE) について詳解いたします。
(2025年6月23日 10:30〜12:00)
産業界で利用されているプラズマについて、作り方と性質の説明をします。プラズマエッチングに用いられる3種類のプラズマ装置について説明します。それらは、容量結合プラズマ (CCP) 、誘導結合プラズマ (ICP) 、マイクロ波プラズマ (電磁波の輻射方式) です。プラズマエッチングにおいて重要なシースについて説明します。また、シースで作られる高エネルギーイオンの役割についても述べます。プラズマエッチングにおいて、ウエハ表面へ入射するフラックスについて説明します。特に、微細加工を実現できる反応性イオンエッチング (RIE) においては、高エネルギーイオンの照射が重要です。RIEの表面反応モデルについて説明します。また、スパッタエッチングの思考実験を行います。(2025年6月23日 12:40〜14:10)
先端半導体デバイスでは、構造の複雑化、三次元化に伴い高選択性や低損傷性に加えナノメータレベルでのエッチング制御性が求められる。加えて新たに横方向の高精度加工が必要になる。
本講座では、マイクロ波ECRプラズマを用いた異方性原子層エッチング技術と先端ロジックデバイスへの応用、熱サイクルエッチング装置を用いたコンフォーマル原子層エッチング技術とその応用について概説する。
(2025年6月23日 14:20〜15:20)
通常のプラズマエッチングではマスクパターンの転写性や深溝の形成のため反応性イオンエッチングが用いられるが、イオンを加速するため十分な平均自由行程が必要となり、雰囲気圧力を高めることは難しい。大気圧近傍の高圧力プラズマにおいては中性ラジカルが主な反応種となり、高加工レートが得られる反面、等方的なエッチングとなる。
本講座ではこのような高圧力プラズマを用いたエッチングの特徴や応用例を紹介する。
(2025年6月23日 15:30〜17:00)
現在、半導体は産業上の一部品としてではなく、経済安全保障にも関わる極めて重要な「特定重要物資」として取り扱われています。半導体製造技術の最先端では2nm、更にはより以細な製造技術の研究開発も進められています。その一方、我が国の半導体産業の特長の一つは、車載用マイコンやセンサ用半導体、パワー半導体を始めとして最先端の微細製造技術を必ずしも必要としない半導体デバイスに競争力を有することです。
本セミナーでは、後者の製造を多く担う、いわゆるレガシーファブの量産ラインの前工程において、装置稼働率や歩留まりの向上に必要となる製造技術について紹介します。前工程の中でも、特に収益性に関わりが大きいプラズマエッチングプロセス及びその装置に関し、不良発生の抑止や予知保全、メンテナンス費用削減、装置機差の低減等に資する技術について解説します。
日本国内に所在しており、以下に該当する方は、アカデミック割引が適用いただけます。
| 発行年月 | |
|---|---|
| 1988/10/1 | 高密度表面実装 (SMT) におけるLSIパッケージング技術 |
| 1988/2/1 | 半導体の故障モードと加速試験 |
| 1985/12/1 | アナログIC/LSIパターン設計 (Ⅰ) |
| 1985/11/1 | アナログIC/LSIパターン設計 (Ⅱ) |