技術セミナー・研修・出版・書籍・通信教育・eラーニング・講師派遣の テックセミナー ジェーピー
技術セミナー・研修・出版・書籍・通信教育・eラーニング・講師派遣の テックセミナー ジェーピー
本セミナーでは、SiCを中心として表面の構造・形態制御とそのメカニズム、ステップバンチング制御と結晶成長、ステップアンバンチング現象の発見などについて紹介いたします。
SiCはパワーデバイス材料としての利用が急速に進んでいる。SiCの表面は、シリコンと炭素からなる高さ0.25 nmの層が積層した構造を持ち、表面の段差はその最小単位が0.25 nmとなる。このような段差をステップと呼び、ステップを含む表面形態の制御はデバイス特性に大きな影響を及ぼす。
本講演では、SiCの構造・表面形態やその制御技術について述べた後、ステップバンチング現象と結晶成長、SiC表面におけるグラフェンやカーボンナノチューブの作製、ステップアンバンチング現象などについて紹介する。これらの現象や技術は、原子レベルで平坦な表面を効率的に得る技術として期待される。
日本国内に所在しており、以下に該当する方は、アカデミック割引が適用いただけます。
| 発行年月 | |
|---|---|
| 2014/10/31 | 炭化ケイ素半導体 技術開発実態分析調査報告書 |
| 2013/12/15 | パワー半導体 技術開発実態分析調査報告書 |
| 2013/12/15 | パワー半導体 技術開発実態分析調査報告書 (CD-ROM版) |
| 2013/2/10 | 酸化物半導体 技術開発実態分析調査報告書 |
| 2013/2/10 | 酸化物半導体 技術開発実態分析調査報告書 (CD-ROM版) |
| 2012/10/30 | SiCパワーデバイスの開発と最新動向 |
| 2012/6/15 | 半導体・液晶パネル製造装置9社 技術開発実態分析調査報告書 (CD-ROM版) |
| 2012/6/15 | 半導体・液晶パネル製造装置9社 技術開発実態分析調査報告書 |
| 2012/4/15 | Intel 【米国特許版】 技術開発実態分析調査報告書 |
| 2011/11/15 | 半導体露光装置 技術開発実態分析調査報告書 |
| 2010/6/5 | 半導体技術10社 技術開発実態分析調査報告書 |
| 2010/5/14 | SiCパワーデバイス最新技術 |
| 2008/9/1 | 半導体製造用炭化ケイ素 技術開発実態分析調査報告書 |
| 2008/9/1 | 半導体製造用炭化ケイ素 技術開発実態分析調査報告書 (PDF版) |
| 1999/10/29 | DRAM混載システムLSI技術 |
| 1992/11/11 | VLSI試験/故障解析技術 |
| 1990/6/1 | LSI周辺金属材料・技術 |
| 1988/10/1 | 高密度表面実装 (SMT) におけるLSIパッケージング技術 |
| 1988/2/1 | 半導体の故障モードと加速試験 |
| 1985/12/1 | アナログIC/LSIパターン設計 (Ⅰ) |