技術セミナー・研修・出版・書籍・通信教育・eラーニング・講師派遣の テックセミナー ジェーピー
技術セミナー・研修・出版・書籍・通信教育・eラーニング・講師派遣の テックセミナー ジェーピー
本セミナーでは、先端半導体で要求される表面処理技術、課題とその対応について解説いたします。
(2024年3月27日 10:00〜11:30)
化学気相堆積 (CVD) 法と原子層堆積 (ALD) 法においては、成膜の前駆体として金属のハロゲン化合物が用いられることが多く、副生成物として塩化水素など腐食性ガスが発生します。成膜後のクリーニングにも腐食性の強いハロゲン化合物が用いられています。そこで、装置の腐食によるトラブルを抑えるためには、設計と材料などに耐腐食性を考慮することが必要です。
そこで本講座では、CVD法とALD法の装置とプロセスの特徴、装置構成材料の腐食性と耐腐食性、などについて解説します。本講座の内容は、半導体分野に限らず気相と表面の化学反応を扱う装置、腐食性ガスと耐腐食性材料を扱う先端プロセスの設計・開発・管理に役立ちます。
(2024年3月27日 12:10〜13:40)
(2024年3月27日 13:50〜15:20)
黒鉛材料は炭素からなる材料の一つであり、半導体製造において重要な役割を担う。材料とその用途について述べ、材料を広く知って頂く。
(2024年3月27日 15:30〜17:00)
DLC膜は構造の制御範囲が幅広く、結果として様々な用途に利用可能である。その成膜技術による違いや特性を評価する試験技術について解説する。また、半導体製造装置部品への応用事例を示す。
日本国内に所在しており、以下に該当する方は、アカデミック割引が適用いただけます。
開始日時 | 会場 | 開催方法 | |
---|---|---|---|
2025/4/21 | 常温型フッ素コーティングによる防湿・絶縁・耐酸・撥水・撥油・離型技術とPFAS規制 | オンライン | |
2025/4/22 | 先進半導体パッケージを理解するための三次元集積化技術の最新動向 | オンライン | |
2025/4/23 | 微粒子・ナノ粒子の作製・表面修飾・分散と応用 | オンライン | |
2025/4/24 | AI、MI、機械学習、データサイエンスなどを用いた半導体・電気電子分野における開発効率化、製造および品質向上への活用 | オンライン | |
2025/4/24 | 金属の表面処理技術 | オンライン | |
2025/4/24 | 塗布膜乾燥のメカニズムとその制御、トラブル対策 | オンライン | |
2025/4/24 | パワー半導体用SiCの単結晶成長技術およびウェハ加工技術の開発動向 | オンライン | |
2025/4/24 | 半導体ウェット洗浄技術の基礎と乾燥技術、および最先端技術 | オンライン | |
2025/4/25 | 半導体製造におけるプロセスインフォマティクスの活用技術 | オンライン | |
2025/4/30 | 自動車の電動化に向けたシリコン、SiC・GaNパワーデバイス開発の最新状況と今後の動向 | オンライン | |
2025/5/8 | 塗布膜乾燥のメカニズムとその制御、トラブル対策 | オンライン | |
2025/5/9 | 常温型フッ素コーティングによる防湿・絶縁・耐酸・撥水・撥油・離型技術とPFAS規制 | オンライン | |
2025/5/13 | 微粒子・ナノ粒子の作製・表面修飾・分散と応用 | オンライン | |
2025/5/15 | 自動車のEV化とプラスチックの電磁波シールドめっき | オンライン | |
2025/5/15 | 世界半導体産業への羅針盤 | オンライン | |
2025/5/16 | DXとGXを支える次世代半導体実装用樹脂・基板材料の開発と技術動向 | オンライン | |
2025/5/16 | ぬれ (撥水/撥油・親水性) の基礎と液体の滑落性を向上させるための表面設計と最新開発動向 | 東京都 | 会場・オンライン |
2025/5/19 | フッ素系コーティング剤の構造、機能、各種用途展開、PFAS問題への対応 | オンライン | |
2025/5/20 | プラズマによる表面改質技術の基礎と応用 | オンライン | |
2025/5/22 | ダイコーティングの基礎理論とトラブル対策 | オンライン |
発行年月 | |
---|---|
1988/2/1 | 半導体の故障モードと加速試験 |
1987/11/1 | 最新小型モータ用材料の開発・応用 |
1986/11/1 | プラスチック光学部品コーティング技術 |
1985/12/1 | アナログIC/LSIパターン設計 (Ⅰ) |
1985/11/1 | アナログIC/LSIパターン設計 (Ⅱ) |