技術セミナー・研修・出版・書籍・通信教育・eラーニング・講師派遣の テックセミナー ジェーピー
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本セミナーでは、先端半導体で要求される表面処理技術、課題とその対応について解説いたします。
(2024年3月27日 10:00〜11:30)
化学気相堆積 (CVD) 法と原子層堆積 (ALD) 法においては、成膜の前駆体として金属のハロゲン化合物が用いられることが多く、副生成物として塩化水素など腐食性ガスが発生します。成膜後のクリーニングにも腐食性の強いハロゲン化合物が用いられています。そこで、装置の腐食によるトラブルを抑えるためには、設計と材料などに耐腐食性を考慮することが必要です。
そこで本講座では、CVD法とALD法の装置とプロセスの特徴、装置構成材料の腐食性と耐腐食性、などについて解説します。本講座の内容は、半導体分野に限らず気相と表面の化学反応を扱う装置、腐食性ガスと耐腐食性材料を扱う先端プロセスの設計・開発・管理に役立ちます。
(2024年3月27日 12:10〜13:40)
(2024年3月27日 13:50〜15:20)
黒鉛材料は炭素からなる材料の一つであり、半導体製造において重要な役割を担う。材料とその用途について述べ、材料を広く知って頂く。
(2024年3月27日 15:30〜17:00)
DLC膜は構造の制御範囲が幅広く、結果として様々な用途に利用可能である。その成膜技術による違いや特性を評価する試験技術について解説する。また、半導体製造装置部品への応用事例を示す。
日本国内に所在しており、以下に該当する方は、アカデミック割引が適用いただけます。
開始日時 | 会場 | 開催方法 | |
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2025/6/17 | ALD (原子層堆積) / ALE (原子層エッチング) 技術の基礎と応用 | オンライン |
発行年月 | |
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2021/3/26 | 超撥水・超撥油・滑液性表面の技術 (第2巻) |
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