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先端半導体パッケージの最新動向と材料、プロセス技術

先端半導体パッケージの最新動向と材料、プロセス技術

～3次元集積化の技術トレンド、必要となる樹脂材料、基板製造プロセスを解説～
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概要

本セミナーでは、半導体パッケージについて取り上げ、三次元集積化の技術トレンド、必要となる樹脂材料、基板製造プロセスについて解説いたします。

開催日

  • 2024年2月13日(火) 10時30分 ～ 16時15分

修得知識

  • 半導体パッケージの進化に向けた材料
  • 各材料設計の考え方
  • エキシマランプの真空紫外線による樹脂表面の改質技術
  • エキシマランプを用いた無電解めっきとの密着メカニズム
  • エキシマランプによるCuスパッタシード層形成との密着メカニズム
  • エキシマランプの真空紫外線を利用したドライデスミア技術

プログラム

第1部 システムレベルへ拡張する半導体デバイスパッケージの役割

(2024年2月13日 10:30〜12:00)

　近年の極端な気候の変化の中で生活する私達は脱炭素社会に向けた持続的成長を支える経済社会の効率的な基盤整備が不可避であることを痛感しています。最近では、AIの認知深化と大容量高速データ通信が創出する新たなサービスの出現による社会課題の解決に大きな期待が寄せられています。その是非の議論は別として、そこに必要とされる貪欲な半導体デバイス性能向上の要求に素子の先端微細化ロセスの進展だけでは応え切れず、異種デバイスの機能統合の土台となる半導体パッケージはシステムレベルの高性能化、多機能化を支える役割を担う視点から注目を集めています。
　本セミナーでは、この現状認識を共有し、半導体デバイスチップの三次元集積化を具現化する中間領域技術の基幹プロセスを再訪しながら、今後の半導体パッケージ開発の在り方と市場動向を展望します。

  1. 半導体デバイスパッケージ技術の役割の変化
    1. 中間領域技術の進展による価値創出
    2. 半導体デバイス性能向上への寄与
    3. システムレベル性能向上への寄与
  2. 三次元集積化プロセス
    1. TSV 再訪;先端デバイスのBSPDNプロセスの原点
    2. Wafer level hybrid bonding; CIS, NAND Flash による市場浸透
    3. Logic-on-Memory chip stacking; 要素プロセス (RDL, Micro bumping, Chip 積層) 開発の原点
    4. 2.5D (Si interposer の導入) ; Memory (HBM)-Processor integration の具現化推進
    5. Si bridge の導入
    6. 3D Chiplet integration の進展
    7. CoW hybrid bonding の課題
  3. Fan-Out型パッケージ
    1. FOWLP;市場浸透の20年
    2. プロセス選択肢の拡大; (Chip First, Last) × (Face-up, Down)
    3. 3D FO integrationの民主化推進; InFO-POPの功罪とコストダウンプロセス開発
  4. 今後の開発動向
    1. 先端パッケージ市場概況
    2. Glass substrate (TGV) , Co-Packaged Optics の話題について
    3. まとめ
    • 質疑応答

第2部 3次元半導体パッケージに向けた耐熱樹脂材料への要求特性と開発動向

(2024年2月13日 13:00〜14:30)

　半導体の高機能化にともない、半導体チップサイズの巨大化に伴うチップレット化とそれを効率よくパッケージ化するための3次元積層化などのトレンドに対して、必要となる材料の開発トレンドについて紹介する。

  1. 半導体の技術開発トレンド
    1. チップレット化
    2. 3次元積層化
    3. 次元半導体パッケージ関連材料
    4. 半導体実装材料
    5. 熱伝導性材料
    6. 高精細感光性耐熱材料
    7. 低誘電・低Tanδ材料
    • 質疑応答

第3部 真空紫外線の半導体パッケージプロセスへの応用技術

(2024年2月13日 14:45〜16:15)

　先進的な半導体パッケージの製造プロセスには、精密リソグラフィ技術、微細配線形成技術、高周波伝送損失対策など、課題が山積している。これらの課題の解決には、半導体パッケージに用いられる絶縁樹脂フィルムの平滑性を維持した製造プロセスの確立が必須である。近年、エキシマランプからの真空紫外光は、光化学反応により樹脂表面を平滑なまま官能基を導入できる表面改質技術として注目されている。
　本講座では、エキシマランプの真空紫外光を利用した表面改質技術の半導体パッケージ基板の製造プロセスへの応用について、最新の研究成果を紹介する。

  1. エキシマランプの真空紫外線による樹脂表面の改質技術
    1. エキシマランプの概要
    2. エキシマランプの発光原理
    3. エキシマランプによる表面改質
  2. 高周波伝送に適した半導体パッケージ基板
    1. 高周波伝送における伝送損失
      1. 誘電材料と誘電体損失
      2. 表面粗度と導体損失
    2. 半導体パッケージ基板の製造プロセス
  3. 真空紫外線による平滑樹脂への電解Cuめっきの密着性向上
    1. 無電解めっきの前処理への適用
      1. ガラスエポキシ樹脂
      2. シクロオレフィン樹脂
    2. Cuスパッタシード層形成の前処理への適用
      1. ガラスエポキシ樹脂
      2. シクロオレフィン樹脂
  4. 真空紫外線のレーザービアのデスミアプロセスへの適用
    • 質疑応答
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講師

  • 江澤 弘和 氏
    神奈川工科大学 工学部 電気電子情報工学科
    非常勤講師
  • 富川 真佐夫 氏
    東レ 株式会社 研究本部
    理事
  • 清水 昭宏 氏
    ウシオ電機 株式会社 Industrial Process事業部 光プロセスGBU 第一技術部 光源システム設計課
    シニアエンジニア
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主催

株式会社 技術情報協会
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お問い合わせ

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(主催者への直接のお問い合わせはご遠慮くださいませ。)

受講料

1名様
: 55,000円 (税別) / 60,500円 (税込)
複数名
: 50,000円 (税別) / 55,000円 (税込)

複数名同時受講割引について

  • 2名様以上でお申込みの場合、1名あたり 50,000円(税別) / 55,000円(税込) で受講いただけます。
    • 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 55,000円(税別) / 60,500円(税込)
    • 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 100,000円(税別) / 110,000円(税込)
    • 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 150,000円(税別) / 165,000円(税込)
  • 同一法人内による複数名同時申込みのみ適用いたします。
  • 受講券、請求書は、代表者にご郵送いたします。
  • 他の割引は併用できません。

アカデミック割引

  • 1名様あたり 30,000円(税別) / 33,000円(税込)

日本国内に所在しており、以下に該当する方は、アカデミック割引が適用いただけます。

  • 学校教育法にて規定された国、地方公共団体、および学校法人格を有する大学、大学院、短期大学、附属病院、高等専門学校および各種学校の教員、生徒
  • 病院などの医療機関・医療関連機関に勤務する医療従事者
  • 文部科学省、経済産業省が設置した独立行政法人に勤務する研究者。理化学研究所、産業技術総合研究所など
  • 公設試験研究機関。地方公共団体に置かれる試験所、研究センター、技術センターなどの機関で、試験研究および企業支援に関する業務に従事する方
  • 支払名義が企業の場合は対象外とさせていただきます。
  • 企業に属し、大学、公的機関に派遣または出向されている方は対象外とさせていただきます。

ライブ配信セミナーについて

  • 本セミナーは「Zoom」を使ったライブ配信セミナーとなります。
  • お申し込み前に、 視聴環境 と テストミーティングへの参加手順 をご確認いただき、 テストミーティング にて動作確認をお願いいたします。
  • 開催日前に、接続先URL、ミーティングID​、パスワードを別途ご連絡いたします。
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