技術セミナー・研修・出版・書籍・通信教育・eラーニング・講師派遣の テックセミナー ジェーピー
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視聴期間は2024年1月23日〜30日を予定しております。
お申し込みは2024年1月26日まで承ります。
本セミナーでは、SiCを中心として表面の構造・形態制御とそのメカニズム、ステップバンチング制御と結晶成長、ステップアンバンチング現象の発見などについて紹介いたします。
半導体デバイスにおいて、表面の構造や形態はデバイス特性に大きな影響を及ぼす。特に、パワーデバイスとしての利用が急速に拡大している炭化ケイ素 (SiC) でも、それらは極めて重要である。SiC表面は、シリコンと炭素からなる高さ0.25 nmの層が積層した構造を持ち、表面の段差はその0.25 nmが最小単位となる。このような段差をステップと呼び、ステップを含む表面形態の制御が重要である。
本講演では、SiCを中心として表面の構造・形態制御とそのメカニズム、ステップバンチング制御と結晶成長、SiCを用いたグラフェンやカーボンナノチューブの作製、ステップアンバンチング現象の発見などについて紹介する。これらの現象や技術は、原子レベルで平坦な表面を効率的に得る技術として大いに注目されている。
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| 開始日時 | 会場 | 開催方法 | |
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| 発行年月 | |
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| 2014/10/31 | 炭化ケイ素半導体 技術開発実態分析調査報告書 (CD-ROM版) |
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| 2013/2/10 | 酸化物半導体 技術開発実態分析調査報告書 (CD-ROM版) |
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| 2010/5/14 | SiCパワーデバイス最新技術 |
| 2008/9/1 | 半導体製造用炭化ケイ素 技術開発実態分析調査報告書 (PDF版) |
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| 1999/10/29 | DRAM混載システムLSI技術 |
| 1992/11/11 | VLSI試験/故障解析技術 |