技術セミナー・研修・出版・書籍・通信教育・eラーニング・講師派遣の テックセミナー ジェーピー
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視聴期間は2024年9月17日〜10月1日を予定しております。
お申し込みは2024年9月27日まで承ります。
本セミナーでは、SiCパワー半導体開発の最前線を紹介すると共に、SiC単結晶ウェハの開発状況・ビジネス展開について解説し、SiC単結晶ウェハ開発において今後取り組むべき技術課題を議論いたします。
SiCパワー半導体に関する基礎知識、開発・ビジネスの概況、SiCパワー半導体の礎となるSiC単結晶ウェハに関する基礎知識、開発・ビジネスの概況について修得いただけます。
現状150mm口径のSiC単結晶ウェハが市販されており、ここ数年の間には200mm口径ウェハの製造が開始されることがアナウンスされている。これを機にxEV向けのSiCパワーデバイスの本格量産が始まるとされる。パワー半導体向けには、その電子物性の優位性から4H-SiC単結晶ウェハが使用される。市販の4H-SiC単結晶ウェハを用いて、既に、高速・低損失のSiCショットキー障壁ダイオード (SBD) 、金属-酸化膜-半導体電界効果トランジスタ (MOSFET) が製造・販売され、鉄道車両や産業機器に搭載されているが、SiCパワーデバイスのさらなる高性能化・高信頼性化、そして低コスト化には、そこで使用されているSiC単結晶ウェハのさらなる高品質化・低コスト化が必要不可欠である。
本講演では、SiCパワー半導体開発の最前線を紹介すると共に、SiC単結晶ウェハの開発状況・ビジネス展開について解説し、SiC単結晶ウェハ開発において今後取り組むべき技術課題を議論する。
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複数名で同時に申込いただいた場合、1名様につき 25,000円(税別) / 27,500円(税込) で受講いただけます。
| 開始日時 | 会場 | 開催方法 | |
|---|---|---|---|
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| 2025/7/4 | 量子ドットの基礎物性、作製、構造測定技術とデバイス応用 | オンライン | |
| 2025/7/7 | 半導体ドライエッチングの基礎と最新技術 | オンライン | |
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