国内外で三次元実装に対する関心が高まり、チップレットとそれを集積する多様なインターポーザや再配線層がけん引役となり、半導体業界はムーアの法則の新たなステージに突入している。東北大学では10年近く前から300mmウエハを用いた3D-IC/TSVの試作製造拠点Global INTegration Initiative (GINTI: ジンティと呼ぶ) を運用しています。
　国内だけではなく海外の顧客や共同研究先からも試作を依頼される中で培ったGINTIでの経験に加え、講演者が20年近く取り組んできた三次元実装やヘテロインテグレーションの研究を元に、本セミナーでは三次元実装やTSVだけではなく、ハイブリッド接合やFOWLPに関して技術のポイントを解説します。また、3D-IC等の製造に必須な信頼性解析技術についてわかりやすく説明します。最後に、3D-ICを用いた製品に関して紹介し、インターポーザを中心に多様化する先端半導体パッケージの分類や特徴についても述べます。

1. 先端半導体パッケージの研究開発動向:
   • 世界最大の半導体パッケージング技術の国際会議ECTCの発表内容を中心に
2. 3D-IC
   1. 3D-ICの概要と歴史
   2. 3D-ICの分類
      1. モノリシックvs.マルチリシック
      2. 積層対象による分類 (Wafer-on-Wafer vs. Chip-on-Wafer)
      3. 積層形態による分類 (Face-to-Face vs. Back-to-Face)
      4. TSV形成工程による分類 (Via-Middle vs. Via-Last)
      5. 接合方式による分類 (マイクロバンプ接合 vs. ハイブリッド接合)
   3. TSV形成技術と信頼性評価技術
      1. 高異方性ドライエッチング
      2. TSVライナー絶縁膜堆積
      3. バリア/シード層形成
      4. ボトムアップ電解めっき
      5. その他のTSV形成技術とTSVの微細化について
      6. TGV (Through-Glass Via)
   4. チップ/ウエハ薄化技術と信頼性評価技術
   5. テンポラリー接着技術と信頼性評価技術
   6. アセンブリ・接合技術と信頼性評価技術
      1. 微小はんだバンプ接合技術とアンダーフィル
      2. SiO2-SiO2直接接合
      3. Cu-Cuハイブリッドボンディング
      4. 無機異方導電性フィルム (iACF) を用いた接合技術
      5. 液体の表面張力を用いた自己組織化チップ実装技術 (セルフアセンブリ)
   7. 3D-ICに要求される高分子材料
   8. 3D-ICのアプリケーション
      1. 三次元イメージセンサ
      2. 三次元DRAM (HBM: High-Bandwidth Memory)
      3. 2.5Dシリコンインターポーザ
      4. 2.3D有機インターポーザ
      5. Chip-on-Wafer-on-Substrate (CoWoS)
      6. SiブリッジEMIB (Embedded Multi-Die Interconnect Bridge)
      7. 三次元マイクロプロセッサ
3. チップレット
   1. チップレットとは?
   2. チップレットを用いた半導体パッケージング技術の現状
   3. ECTC2022に見るチップレット技術とECTC2023の見どころ
4. FOWLP
   1. FOWLPの概要と歴史
   2. FOWLPの分類と特徴
      • Die-first
      • RDL-first
      • InFO
   3. FOWLPの課題
      • Die shift
      • Chip protrusion
      • Wafer warpageなど
   4. FOWLP の研究開発動向
   5. フレキシブルFOWLP
5. おわりに
• 質疑応答