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Si-IGBT/SiC/GaNパワーデバイスの現状・課題・展望

Si-IGBT/SiC/GaNパワーデバイスの現状・課題・展望

～パワー半導体デバイス・パッケージ・実装技術など最新動向から市場予測まで～
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開催日

  • 2023年1月16日(月) 10時00分 ～ 16時00分

修得知識

  • パワー半導体デバイスならびにパッケージの最新技術動向
  • Si-IGBTの強み
  • SiC/GaNパワーデバイスの勝ち筋、特長と課題
  • パワー半導体デバイスならびにSiC/GaN市場予測
  • Si-IGBT、SiCデバイス実装技術
  • SiC/GaNデバイス特有の設計、プロセス技術

プログラム

　コロナウィルスの全世界的な蔓延により、世界各国は人的・経済的に甚大なダメージを受け回復の見通しは依然不透明といった状況にある。しかしこのような中においても、地球温暖化ならびに大気汚染対策のための自動車の電動化は人類にとって「待った無」の課題であることに変わりはない。2022年現在、世界各国は自動車の電動化 (xEV) 開発に向け大きく進展している。そして2030年代には日、米、欧、中がガソリン車の新車販売を禁止するなど、xEVは、もはや大きな潮流となった。xEVの性能を決める基幹部品であるパワーデバイスでは、新材料SiC/GaNデバイスの普及が大いに期待されている。しかしながら現状では、シリコンIGBTがxEV用途の主役に君臨しており、今後しばらくはシリコンIGBTの時代が続くともいわれている。これはとりもなおさず、SiC/GaNデバイスの性能、信頼性、さらには価格が市場の要求に十分応えられていないことによる。
　本セミナーでは、最強の競争相手であるシリコンIGBTからSiC/GaN開発技術の現状と今後の動向について、半導体素子や実装技術、さらには市場予測を含め、わかりやすく、かつ丁寧に解説する。

  1. パワーエレクトロニクス (パワエレ) 、パワーデバイスとは何?
    1. パワーエレクトロニクス&パワーデバイスの仕事
    2. パワー半導体の種類と基本構造
    3. パワーデバイスの適用分野
    4. パワーデバイスを使うお客様は何を望んでいるのか?
  2. 最新シリコンパワーデバイスの進展と課題
    1. 中国製格安EVにはシリコンMOSFETが搭載されていた
    2. 最新シリコンMOSFET・IGBTを支える技術
    3. シリコンデバイス特性改善の次の一手
    4. 逆導通IGBT (RC-IGBT) の誕生
    5. シリコンIGBTの実装技術
  3. SiCパワーデバイスの現状と課題
    1. なぜSiCが新材料パワーデバイスのなかでトップを走っているのか
    2. 各社はSiC-MOSFETを開発中。最大の課題はコスト高にある
    3. SiCウェハができるまで
    4. SiC-MOSFETの低オン抵抗化がコストダウンにつながる理由
    5. SiC-MOSFET内蔵ダイオードの順方向電圧劣化とその解決策
    6. ショットキーバリアダイオード (SBD) 内蔵SiC-MOSFET
  4. GaNパワーデバイスの現状と課題
    1. なぜGaNパワーデバイスなのか?
    2. GaNパワーデバイスはHEMT構造。その特徴は?
    3. ノーマリ-オフ・ノーマリーオン特性とはなに?
    4. GaN-HEMTの課題
    5. 縦型GaNデバイスの最新動向
  5. SiCパワーデバイス高温対応実装技術
    1. 高温動作ができると何がいいのか
    2. SiC-MOSFETモジュール用パッケージ
    3. SiCモジュールに必要な実装技術
  6. まとめ
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主催

株式会社 R&D支援センター
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: 50,000円 (税別) / 55,000円 (税込)
複数名
: 25,000円 (税別) / 27,500円 (税込) (案内をご希望の場合に限ります)

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    • 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 50,000円(税別) / 55,000円(税込)
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    • 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 150,000円(税別) / 165,000円(税込)

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  • Zoomのグループにパスワードを設定しています。お申込者以外の参加を防ぐため、パスワードを外部に漏洩しないでください。
    万が一、部外者が侵入した場合は管理者側で部外者の退出あるいはセミナーを終了いたします。
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