第1部 「酸化ガリウムの基礎とパワーデバイスの開発動向」

(2021年8月23日 11:00〜14:50) (休憩 12:30～13:20)

　酸化ガリウム (Ga2O3) は、次世代パワーデバイス用途の新半導体材料として期待されるに足る、優れた材料物性を有します。また、原理的に大口径かつ高品質な単結晶基板を、融液成長法により安価かつ簡便に作製することができるという、産業上の大きな魅力も合わせ持ちます。こういった特徴から、SiC、GaNに続く次世代パワーデバイス材料候補として現在注目を集めております。
　本講演では、Ga2O3パワーデバイスの位置づけ・魅力、現在までのエピタキシャル薄膜成長、デバイス (トランジスタ、ショットキーバリアダイオード) の研究開発状況、今後に向けた課題および展望などについて、講師グループおよび講師共同研究グループの開発成果を中心に解説いたします。

1. はじめに
   1. Ga2O3の材料的特徴 (SiC, GaNとの比較から)
   2. 将来的なGa2O3デバイスの用途
2. Ga2O3エピタキシャル薄膜成長技術
   1. MBE成長
   2. HVPE成長
   3. MOCVD成長
3. Ga2O3トランジスタ開発
   1. 横型フィールドプレートMOSFET
   2. 横型ノーマリーオフMOSFET
   3. 横型高周波MOSFET
   4. 縦型MOSFET
   5. 海外機関のGa2O3トランジスタ開発動向
4. Ga2O3ショットキーバリアダイオード (SBD) 開発
   1. HVPE成長したドリフト層を有する縦型SBD
   2. 縦型フィールドプレートSBD
   3. 海外機関のGa2O3ダイオード開発動向
5. まとめ、今後の課題
• 質疑応答

第2部 「ノベルクリスタルテクノロジー社における開発の現状と今後」

(2021年8月23日 15:00〜16:00)

　酸化ガリウム (β-Ga2O3) は、その大きな絶縁破壊電界強度と、高品質な単結晶基板を安価に製造できるという特徴から、次世代のパワーデバイス材料として注目が集まっている。
　本講演では、当社が開発を進めるβ-Ga2O3単結晶基板、エピタキシャル成長、ショットキーバリアダイオード、トランジスタの最新状況を紹介する。

1. ノベルクリスタルテクノロジーについて
2. β-Ga2O3パワーデバイスの魅力
3. 単結晶基板、エピタキシャル成長技術
   1. 4インチ単結晶基板
   2. 4インチエピタキシャルウェハ
4. パワーデバイス応用
   1. ショットキーバリアダイオード
   2. トランジスタ
5. まとめ
• 質疑応答