技術セミナー・研修・出版・書籍・通信教育・eラーニング・講師派遣の テックセミナー ジェーピー
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アーカイブ配信で受講をご希望の場合、視聴期間は2026年7月17日〜27日を予定しております。
アーカイブ配信のお申し込みは2026年7月17日まで承ります。
本セミナーでは、ワイドギャップ半導体の結晶評価技術の開発に焦点を当て、評価技術の原理と事例を基礎から解説いたします。
4H-SiC、GaN、β-Ga2O3、AlNに代表されるワイドギャップ化合物半導体は、高電力密度、低損失、高温動作時の安定性など、従来の半導体材料を凌駕する特性を有しており、近年、これらを用いた次世代パワーデバイスの研究開発が急速に進展している。しかし、これらの材料は強い共有結合を持つため結晶成長が難しく、成長後の結晶中には転位などの格子欠陥が高密度で存在する。一部の格子欠陥はデバイス性能や信頼性を著しく低下させる要因 (いわゆるキラー欠陥) となるため、欠陥の分布や種類を正確に把握し、それらの情報を結晶成長およびデバイスプロセスにフィードバックすることが極めて重要である。
本講演では、ワイドギャップ半導体の結晶評価技術の開発に焦点を当て、各手法の原理と適用事例について基礎から解説する。加えて、各評価技術の適用範囲や課題についても述べるとともに、放射光X線トポグラフィーをはじめ、エッチピット法、透過型電子顕微鏡 (TEM) 、多光子励起顕微鏡など、最新の評価手法に関する取り組みについて紹介する。
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| 開始日時 | 会場 | 開催方法 | |
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| 発行年月 | |
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