パワーエレクトロニクス産業を根底から支えるパワーデバイスは、現状ほぼ100%Siチップを用いて製造されています。今後も、当面はSiデバイスが主流で製造されるのは間違いありません。一方で、Siデバイスの性能向上に限界が見えてきているのも事実です。そこで、次世代パワーデバイス用材料として、SiCやGaN等のワイドギャップ半導体が期待されています。これらの材料は、Siと比較して物性値自身がパワーデバイスに適しており、実際に試作されたデバイスの特性は、Siデバイスを凌駕します。しかしながら、結晶品質がSiと比べて劣っている、コストが高い、製造プロセスが確立していないなど、量産化には多くの課題があります。
　Siパワーデバイス進化の歴史と将来展望およびワイドギャップ半導体パワーデバイスの現状と課題について、分かりやすく、かつ詳細に解説します。

1. パワーエレクトロニクスおよびパワーデバイスの産業構造
   1. パワーエレクトロニクスの展開と産業構造
   2. パワーデバイスの用途と産業構造
   3. パワーデバイスによる電力変換
2. パワーデバイスの構造と高性能化の歴史
   1. パワーデバイスの構造と要求性能
   2. Siパワーデバイスの高性能化
3. ワイドギャップ半導体パワーデバイスへの期待
   1. ワイドギャップ半導体の優位性
   2. ワイドギャップ半導体パワーデバイスの開発ターゲット
4. Siパワーデバイスの課題
   1. Siウエハの大口径化
   2. 微量不純物の制御
5. SiCパワーデバイスの課題
   1. SiC結晶製造の課題
   2. SiCパワーチップ製造の課題
   3. パワーモジュール化の課題
6. GaNその他のワイドギャップ半導体パワーデバイスの課題
   1. GaNパワーデバイスの課題
   2. その他のワイドギャップ半導体パワーデバイスの課題
7. パワーデバイス産業の将来展望と日本の地位
   1. 繰返される日本の電子デバイス産業における失敗
   2. 生残りをかけた日本のパワーデバイス産業
• 質疑応答