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ゲート絶縁膜の物性制御と形成プロセスの新展開
ゲート絶縁膜の物性制御と形成プロセスの新展開
～High-k膜からGe,SiCの熱酸化まで～
東京都 開催
会場 開催
本セミナーは終了いたしました。
概要
本セミナーではHigh-k膜の基礎から解説し、高誘電率化のための材料設計、閾値シフトの原因と制御、Ge熱酸化機構と制御、SiC熱酸化機構と制御について詳解いたします。
開催日
- 2014年7月28日(月) 13時00分 ～ 16時30分
修得知識
- High-k膜の物性の基礎
- 高誘電率化のための材料設計指針
- 界面ダイポール現象による閾値シフトの原因と制御
- Ge熱酸化機構とその制御方法
- SiC熱酸化機構とその制御方法
プログラム
かつてSi上の熱酸化の緻密な制御によって支えられてきたゲート絶縁膜技術は、高誘電率ゲート絶縁膜 (High-k膜) の導入によって複雑化している。本講演ではHigh-k膜の基礎的な理解と、その導入に伴って新たに生じる諸現象について解説する。また、ゲート絶縁膜形成プロセスはCMOS用の高移動度チャネルとなるGeや、パワーMOSFET用のSiCにおいて重要な役割を担っている。これら2つの新たなMOS界面について、その特性制御のための技術の展開を紹介する。
- High-k膜の基礎物性と誘電率の制御
- High-k膜に要求される物性
- 誘電率の起源,高誘電率化のための材料設計
- 元素ドーピングによるHigh-k膜の物性制御
- High-k膜導入による閾値シフト
- MOSキャパシタのフラットバンド電圧シフト
- 界面ダイポール効果によるフラットバンド電圧シフトとその機構の理解
- 熱酸化膜形成プロセスの新展開
- Ge熱酸化機構の理解に基づくMOS界面特性制御と高移動度MOSFETの実現
- SiCパワーMOSFETのためのMOS界面形成技術
- 質疑応答
講師
会場
主催
お支払い方法、キャンセルの可否は、必ずお申し込み前にご確認をお願いいたします。
受講料
1名様
:
38,000円 (税別) / 41,040円 (税込)
複数名
:
20,000円 (税別) / 21,600円 (税込)
複数名同時受講の割引特典について
- 2名同時申込みで1名分無料
- 1名あたり定価半額の20,000円(税別) / 21,600円 (税込)
- 2名様ともS&T会員登録をしていただいた場合に限ります。
- 同一法人内(グループ会社でも可)による2名同時申込みのみ適用いたします。
- 3名様以上のお申込みの場合、上記1名あたりの金額で受講できます。
- 受講券、請求書は、代表者にご郵送いたします。
- 請求書および領収書は1名様ごとに発行可能です。
申込みフォームの通信欄に「請求書1名ごと発行」と記入ください。 - 他の割引は併用できません。
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