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EUVリソグラフィ技術の基礎・進展と今後の展望
EUVリソグラフィ技術の基礎・進展と今後の展望
～次世代半導体微細加工技術の今とこれからを知る～
東京都 開催
会場 開催
本セミナーは終了いたしました。
開催日
- 2013年4月26日(金) 10時30分 ～ 16時30分
受講対象者
- 極端紫外線リソグラフィ EUVL に関連する技術者、開発者、研究者
- 半導体
- プリント基板
- 印刷版
- 液晶ディスプレイパネル
- プラズマディスプレイパネル
- 光源 など
修得知識
- 次世代半導体加工技術
- 今後の光学系を用いない計測技術
- 反射型光学系の製作
プログラム
微細化のトレンドと共に、半導体加工技術はg線からi線、エキシマ光源と進んできた。しかしながら、微細化は留まることなく、光源波長の1/4以下の微細なパタン形成を実現してきた。
さらに、20nm以下の領域に達しており、さらに10nm台も検討されている。
これらの微細化のトレンドをさらに延伸させるための技術として、極端紫外線リソグラフィー (EUVL) 技術が開発されている。この技術は、透過型マスクと従来の屈折レンズによる縮小露光と異なり、反射型マスクと多層膜をミラー面に形成した反射鏡が用いられる。
さらにレジストも今までにない解像性、線幅精度が要求される。また、マスク検査も露光に用いる光源にての評価が必要となる。
これらの技術開発に対し、この30年近くの間に数多くの革新的なブレークスルーがあった。本講座ではこれらの技術の紹介を行なう中で、本技術への理解を深める。
できるだけ平易に説明できるよう努め、随時質問に応じる講演としたい。
- はじめに
- 極端紫外線リソグラフィー (EUVL) 開発の歴史
- 多層膜光学系の設計
- 多層膜ミラーの製作とマスク
- 非球面ミラー加工と評価
- EUVL用レジスト開発状況
- EUVL用マスク検査機の開発
- EUVL用光源の開発状況
- 今後の課題
- まとめ
- 質疑応答
講師
会場
主催
お支払い方法、キャンセルの可否は、必ずお申し込み前にご確認をお願いいたします。
受講料
1名様
:
42,667円 (税別) / 44,800円 (税込)
複数名
:
35,667円 (税別) / 37,450円 (税込)
複数名同時受講の割引特典について
- 2名で参加の場合、1名につき 7,350円割引
- 3名で参加の場合、1名につき 10,500円割引 (同一法人に限ります)
本セミナーは終了いたしました。
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