技術セミナー・研修・出版・書籍・通信教育・eラーニング・講師派遣の テックセミナー ジェーピー
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(2011年12月22日 10:30~12:00)
炭酸ガス削減技術のなかでパワー半導体が活躍する分野は、45%を占めており、まさにエネルギー革命のキーデバイスとなりつつある。
このような環境下、パワーデバイス市場は急成長しており、今後も大きな成長が見込まれている。
特に、パワー半導体市場の50%以上を占める自動車分野のパワーモジュールにフォーカスして、開発進展が著しいSiCパワー半導体実装に要求される耐熱性高分子材料の特性及びそのアプローチを紹介する。
(2011年12月22日 13:00~14:30)
高温環境に対応した接合技術として、有機材料を保護膜として被膜した銀ナノ粒子接合法 (耐熱性、放熱性に優れる) を発展させた、酸化銀粒子を用いた鉛フリー接合方法を開発し、その接合特性、接合機構を中心に紹介する。
本接合技術は、数マイクロメートルサイズの酸化銀粒子を接合材料として利用するもので、従来の鉛を主体としたはんだ材よりも約150℃低い200℃から250℃で半導体素子と基板を接合でき、かつ接合後は500℃を超える耐熱温度を有する。本技術はマイクロメートルサイズの酸化銀粒子を低温還元し、かつ接合プロセス中にナノメートルサイズの銀粒子を生成させ、さらに還元時の発熱反応を促進する酸化銀還元剤を新たに開発したもので、銀ナノ粒子接合の特性である高放熱・高耐熱を活かした高温環境に適した接合技術である。
また、高耐食化、及び他の酸化物系材料についても簡単に紹介する。
(2011年12月22日 14:45~15:55)
現在の電力変換器は、Si物性による性能限界に迫っている。これを超えるため、優れた物性を有するSiC等ワイドギャップ半導体デバイスに注目が集まっている。特に、高パワー密度電力変換器実現には、高温動作が重要である。
本発表では、前半で電力の重要性と課題について示し、後半では、試作した全SiCインバーターを中心に、
課題の克服に向けて開発した、高温動作対応技術について述べる。
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