第1部 先端デバイス集積化に向けた三次元集積実装技術と貫通電極および接合技術の技術開発動向

(2025年8月27日 10:15〜11:45)

　生成AIといった新しいアプリケーションの出現などにより、AI・量子技術への注目が高まっている。これらの根幹となる半導体デバイスや量子デバイスにおいて、集積化技術が求められており、その中でも、三次元方向へ集積化する三次元集積実装技術への注目が非常に高まっている。この講座では、その三次元集積実装技術の貫通電極および接合技術の技術開発動向について解説する。

1. 半導体実装技術における三次元集積実装技術
   1. 半導体実装技術の歴史
   2. 先端半導体集積化に向けた三次元集積実装技術
2. 三次元集積実装技術の研究開発
   1. 国家プロジェクトにおける三次元集積実装技術の研究開発
   2. シリコン貫通電極の技術開発
   3. ハイブリッド接合技術を含む微細電極接続の技術開発
3. 三次元集積実装技術のさらなる展開に向けて
   1. 超伝導量子コンピュータの大規模集積化に向けた三次元集積実装技術
   2. 超伝導バンプ接続技術
   3. 超伝導直接接合技術
4. まとめ
• 質疑応答

第2部 レーザーを用いたガラス貫通穴加工技術

(2025年8月27日 12:30〜13:45)

　チップレットや三次元実装などの先端半導体デバイスにおいて、インターポーザやコア材をシリコンや樹脂からガラスへ置き換える技術開発が急務となっている。レーザー加工はその最も有力な候補であり、本講演ではレーザーによるガラスへの貫通穴加工技術の現状と将来展望を解説する。

1. 先端半導体デバイス
   1. チップレットとインターポーザ
   2. ガラスインターポーザの必要性
   3. ガラスインターポーザの要求性能
   4. ガラスインターポーザの作製方法
2. レーザー加工
   1. レーザー加工の特長
   2. 超短パルスレーザー加工
   3. ビーム整形加工
      1. ベッセルビーム加工
      2. GHzバーストモード加工
3. レーザーによるガラス穴あけ加工技術
   1. エキシマレーザー直接加工
   2. 超短パルスレーザー直接加工
   3. 過渡選択的レーザー加工
   4. 超短パルスレーザー支援選択エッチング
   5. インターポーザ以外の応用
4. まとめおよび将来展望
• 質疑応答

第3部 三次元実装や貫通電極に用いられる電解銅めっき技術

(2025年8月27日 14:00〜15:15)

　AIを動かすGPUなどの最新半導体の代表的実装形態であるCoWoSをはじめ、先端半導体実装基板ではほとんどの回路導体が電解銅めっきでできている。
　本講座では、主な先端半導体基板を概説し、どのように電解銅めっきが行われているかを理論的メカニズムも含めて解説する。

1. 最近の主な先端半導体実装基板
   1. FC-BGA
   2. チップレット
   3. CoWoS (Chip on Wafer on Substrate)
   4. シリコンインターポーザ
   5. ファンアウトパッケージ
      • FO-WLP
      • FO-PLP
   6. ガラス基板
   7. ブリッジインターポーザ
2. 三次元実装や貫通電極に用いられる電解銅めっき技術
   1. めっきプロセス
      • セミアディティブプロセス
      • ダマシンプロセス
      • ビアフィリング
   2. 電解銅めっきの基本的概念
      • めっき装置
      • めっき液
      • 添加剤
      • 電流分布
   3. ビアフィリングのメカニズム
• 質疑応答

第4部 レーザ改質と分子接合剤による三次元回路配線パターン形成技術

(2025年8月27日 15:30〜16:45)

　フェムト秒レーザによる表面改質と分子接合技術を用いた配線パターン形成技術について解説し、透明材料への配線、微細配線パターンの形成、無粗化・高密着めっき、立体配線形成などの適用例を紹介します。

1. 三次元成型回路部品 3D-MID
   1. 3D-MIDとは
   2. 3D-MIDの用途
   3. 3D-MIDの製造工法と特徴
2. レーザを用いた表面改質による配線形成
   1. フェムト秒レーザの特徴
   2. 微細配線および透明材料への配線形成事例
3. 分子接合技術による配線形成
   1. 分子接合技術による無粗化・高密着めっきプロセス
   2. 立体物への配線形成
• 質疑応答