技術セミナー・研修・出版・書籍・通信教育・eラーニング・講師派遣の テックセミナー ジェーピー
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(2024年5月10日 10:45〜12:15)
パワー半導体用のSiC単結晶成長技術は、この20年ほどで高品質化、大口径化技術が進み、いよいよ8インチウェハも上市された始めている。今後は低コスト化とパワーデバイスの高信頼性を担保する材料技術が求められるが、本セミナーではこれらの技術開発の取り組みに関する背景とトレンドを説明するとともに、結晶欠陥の制御の将来技術について考察を深める機会としたい。
(2024年5月10日 13:15〜14:45)
SiCパワーデバイスは、N700S系新幹線をはじめとする電鉄車両の電力変換や、電気自動車、などにすでに用いられており、社会実装が始まっている。しかし、無転位の結晶を前提とすることができるSiと比較すると、多くの結晶欠陥がSiCウェハには含まれており、SiCパワーデバイスの生産性を低下させる原因となっている。このため、SiCパワーデバイスにおいては、結晶欠陥の評価が重要となる。
本講座では、SiC結晶やその欠陥の種類、デバイス特性への影響についてレビューした後、結晶欠陥の評価手法に関して解説を行い、SiCウェハの欠陥評価法の理解を深める。
(2024年5月10日 15:00〜16:00)
ワイドバンドギャップ半導体はパワーデバイス用材料として注目を浴びています。しかし、結晶内部に欠陥が多く残存しているため、その検出や評価は必須となります。本講座では転位を主たる対象として、欠陥検出の考え方および各種欠陥評価技術の紹介をした上で結晶欠陥の非破壊3次元分布評価技術として多光子励起顕微鏡、X線トポグラフィー、電子線誘起電流法を取り上げそれぞれの測定原理とその観察事例をご紹介します。新しい3次元非破壊評価法についても触れる予定です。
日本国内に所在しており、以下に該当する方は、アカデミック割引が適用いただけます。
開始日時 | 会場 | 開催方法 | |
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2024/5/21 | プラズマプロセスにおける基礎と半導体微細加工へのプラズマによるエッチングプロセス | オンライン | |
2024/5/27 | SiCパワー半導体の最新動向とSiC単結晶ウェハ製造の技術動向 | オンライン | |
2024/5/27 | EVの最新技術動向と将来展望 | オンライン | |
2024/5/28 | 先進半導体パッケージングの市場・技術動向と開発トレンド | オンライン | |
2024/5/28 | 半導体用レジストの基礎、材料設計、プロセス、評価方法 | オンライン | |
2024/5/29 | ドライエッチングのメカニズムと最先端技術 | オンライン | |
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2024/5/30 | 半導体洗浄の基礎と洗浄機内の流れ・反応および洗浄法の評価方法 | オンライン | |
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2024/5/31 | 電動化 (EV駆動等) モータと回路基板の高電圧化・高周波化・熱対策に向けた、樹脂材料開発と絶縁品質評価技術 | オンライン | |
2024/5/31 | 研磨プロセスの見える化と最適化およびアシスト加工 | オンライン | |
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2024/6/7 | 半導体表面におけるウェットプロセスの基礎と最新動向 | 大阪府 | 会場 |
2024/6/10 | SiCパワー半導体の最新動向とSiC単結晶ウェハ製造の技術動向 | オンライン | |
2024/6/11 | 簡単な回路から始めるアナログ設計と実装の基礎 | 東京都 | 会場・オンライン |
2024/6/11 | ALD (原子層堆積) / ALE (原子層エッチング) 技術の基礎と応用 | オンライン |
発行年月 | |
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2024/4/30 | 次世代半導体用の難加工結晶材料のための超精密加工技術 |
2024/2/26 | EUV (極端紫外線) 露光装置 技術開発実態分析調査報告書 (CD-ROM版) |
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2023/9/29 | 先端半導体製造プロセスの最新動向と微細化技術 |
2023/4/28 | 次世代半導体パッケージの最新動向とその材料、プロセスの開発 |
2022/11/29 | 半導体製造プロセスを支える洗浄・クリーン化・汚染制御技術 |
2022/10/31 | 半導体製造におけるウェット/ドライエッチング技術 |
2022/7/27 | 次世代パワーエレクトロニクスの課題と評価技術 |
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2022/6/13 | パワー半導体〔2022年版〕 |
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