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SiCパワーデバイスにおける結晶欠陥の基礎と評価技術

SiCパワーデバイスにおける結晶欠陥の基礎と評価技術

～SiCウェハの欠陥評価法を理解する～
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概要

本セミナーでは、SiC結晶やその欠陥の種類、デバイス特性への影響についてレビューした後、結晶欠陥の評価手法に関して解説いたします。

開催日

  • 2024年10月11日(金) 13時00分 ～ 16時00分

修得知識

  • SiC結晶欠陥に関する基礎
  • SiC結晶の評価手法

プログラム

　SiCパワーデバイスは、N700S系新幹線をはじめとする電鉄車両の電力変換や、電気自動車、などにすでに用いられており、社会実装が始まっている。しかし、無転位の結晶を前提とすることができるSiと比較すると、多くの結晶欠陥がSiCウェハには含まれており、SiCパワーデバイスの生産性を低下させる原因となっている。このため、SiCパワーデバイスにおいては、結晶欠陥の評価が重要となる。
　本講座では、SiC結晶やその欠陥の種類、デバイス特性への影響についてレビューした後、結晶欠陥の評価手法に関して解説を行い、SiCウェハの欠陥評価法の理解を深める。

  1. はじめに
    1. SiCパワーデバイスの市場概況
    2. SiCパワーデバイスの特性比較 (Siとの比較)
  2. SiCの基礎
    1. SiCの結晶構造と多形
    2. 六方晶の結晶方位 (四指数法)
    3. 結晶多形 (Polytype) の解説
    4. Si面とC面
  3. SiC結晶の成長法
    1. 昇華法
    2. CVD法
    3. 溶液法
  4. 結晶欠陥の基礎
    1. 結晶欠陥の種類 (0次元から3次元)
    2. 結晶欠陥の観察例と観察法
    3. 欠陥がデバイス性能に与える影響
  5. SiCの結晶欠陥
    1. マイクロパイプと転位
    2. 積層欠陥
  6. 結晶欠陥の評価技術
    1. X線トポグラフィ法
    2. KOHエッチング法
    3. フォトルミネッセンス法
    4. 透過電子顕微鏡法
    5. 偏光顕微鏡法
  7. マルチモーダル解析
    1. 結晶欠陥のマルチモーダル解析
    2. 欠陥自動検出アルゴリズム
  8. 実例と応用
    1. RAF法による結晶欠陥低減
    2. 溶液法における結晶欠陥低減
    3. 基底面転位とバイポーラ劣化
    4. CVD法による基底面転位の変換
    5. 欠陥制御によるバイポーラ劣化抑制技術
    6. 低抵抗SiC基板における積層欠陥形成
    7. 貫通転位とデバイスリーク
  9. まとめ
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主催

株式会社 R&D支援センター
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お問い合わせ

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受講料

1名様
: 45,000円 (税別) / 49,500円 (税込)
複数名
: 22,500円 (税別) / 24,750円 (税込) (案内をご希望の場合に限ります)

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    • 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 45,000円(税別) / 49,500円(税込)
    • 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 67,500円(税別) / 74,250円(税込)
  • R&D支援センターからの案内を希望しない方
    • 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 45,000円(税別) / 49,500円(税込)
    • 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 90,000円(税別) / 99,000円(税込)
    • 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 135,000円(税別) / 148,500円(税込)

ライブ配信セミナーについて

  • 本セミナーは「Zoom」を使ったライブ配信セミナーとなります。
  • お申し込み前に、 視聴環境 と テストミーティングへの参加手順 をご確認いただき、 テストミーティング にて動作確認をお願いいたします。
  • 開催日前に、接続先URL、ミーティングID​、パスワードを別途ご連絡いたします。
  • セミナー開催日時に、視聴サイトにログインしていただき、ご視聴ください。
  • セミナー資料は郵送にて前日までにお送りいたします。
  • 開催まで4営業日を過ぎたお申込みの場合、セミナー資料の到着が、開講日に間に合わない可能性がありますこと、ご了承下さい。
    ライブ配信の画面上でスライド資料は表示されますので、セミナー視聴には差し支えございません。
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