技術セミナー・研修・出版・書籍・通信教育・eラーニング・講師派遣の テックセミナー ジェーピー

SiCパワー半導体・ウェハ開発の現状と高品質化・低コスト化への課題

SiCパワー半導体・ウェハ開発の現状と高品質化・低コスト化への課題

オンライン 開催
関連するセミナー・出版物
本セミナーは終了いたしました。
セミナーの再開催を依頼する 関連するセミナー・出版物を探す

視聴期間は2024年9月17日〜10月1日を予定しております。
お申し込みは2024年9月27日まで承ります。

概要

本セミナーでは、SiCパワー半導体開発の最前線を紹介すると共に、SiC単結晶ウェハの開発状況・ビジネス展開について解説し、SiC単結晶ウェハ開発において今後取り組むべき技術課題を議論いたします。
SiCパワー半導体に関する基礎知識、開発・ビジネスの概況、SiCパワー半導体の礎となるSiC単結晶ウェハに関する基礎知識、開発・ビジネスの概況について修得いただけます。

開催日

  • 2024年9月27日(金) 10時30分 ～ 2024年10月1日(火) 16時30分

受講対象者

  • SiC半導体、GaN半導体、パワーデバイスに関連する技術者
    • 電気・エネルギー関連
    • 電力変換回路
    • 自動車
    • ハイブリッド車
    • 電気自動車
    • 電車
    • PC
    • 家電
    • エレベータ
    • インバーター
    • 無停電電源装置 など

修得知識

  • SiCパワー半導体開発の現状と動向
  • SiC単結晶のバルク結晶成長
  • SiC単結晶ウェハの加工技術
  • SiCエピタキシャル薄膜成長技術
  • SiC単結晶中の拡張欠陥
  • SiC単結晶のウェハ加工
  • SiC単結晶ウェハの電気特性制御
  • SiC単結晶ウェハの高品質化

プログラム

　現状150mm口径のSiC単結晶ウェハが市販されており、ここ数年の間には200mm口径ウェハの製造が開始されることがアナウンスされている。これを機にxEV向けのSiCパワーデバイスの本格量産が始まるとされる。パワー半導体向けには、その電子物性の優位性から4H-SiC単結晶ウェハが使用される。市販の4H-SiC単結晶ウェハを用いて、既に、高速・低損失のSiCショットキー障壁ダイオード (SBD) 、金属-酸化膜-半導体電界効果トランジスタ (MOSFET) が製造・販売され、鉄道車両や産業機器に搭載されているが、SiCパワーデバイスのさらなる高性能化・高信頼性化、そして低コスト化には、そこで使用されているSiC単結晶ウェハのさらなる高品質化・低コスト化が必要不可欠である。
　本講演では、SiCパワー半導体開発の最前線を紹介すると共に、SiC単結晶ウェハの開発状況・ビジネス展開について解説し、SiC単結晶ウェハ開発において今後取り組むべき技術課題を議論する。

  1. SiCパワー半導体開発の背景
    1. 環境・エネルギー技術としての位置付け
    2. SiCパワー半導体開発がもたらすインパクト
  2. SiCパワー半導体開発の歴史
    1. SiCパワー半導体開発の黎明期
    2. SiC単結晶成長とエピタキシャル成長のブレイクスルー
  3. SiCパワー半導体開発の現状と動向
    1. SiCパワー半導体の市場
    2. SiCパワー半導体関連の学会・業界動向
    3. SiCパワー半導体関連の最近のニュース
  4. SiC単結晶の物性的特徴と各種デバイス応用
    1. SiC単結晶とは?
    2. SiC単結晶の物性と特長
    3. SiC単結晶の各種デバイス応用
  5. SiCパワーデバイスの最近の進展
    1. SiCパワーデバイスの特長
    2. SiCパワーデバイス (SBD、MOSFET) の現状
    3. SiCパワーデバイスのシステム応用
  6. SiC単結晶のバルク結晶成長
    1. SiC単結晶成長の熱力学
    2. 昇華再結晶法
    3. 溶液成長法
    4. 高温CVD法 (ガス法)
    5. その他成長法
  7. SiC単結晶ウェハの加工技術
    1. SiC単結晶ウェハの加工プロセス
    2. SiC単結晶の切断技術
    3. SiC単結晶ウェハの研磨技術
  8. SiC単結晶ウェハ上へのSiCエピタキシャル薄膜成長技術
    1. SiCエピタキシャル薄膜成長技術の概要
    2. SiCエピタキシャル薄膜成長装置の動向
  9. SiC単結晶のポリタイプ制御
    1. SiC単結晶のポリタイプ現象
    2. 各種ポリタイプの特性
    3. SiC単結晶成長におけるポリタイプ制御
  10. SiC単結晶中の拡張欠陥
    1. 各種拡張欠陥の分類
    2. 拡張欠陥の評価法
  11. SiC単結晶のウェハ加工
    1. ウェハ加工の技術課題
    2. ウェハ加工技術の現状
  12. SiCエピタキシャル薄膜成長
    1. エピタキシャル薄膜成長の技術課題
    2. エピタキシャル薄膜成長技術の現状
  13. SiC単結晶ウェハの電気特性制御
    1. 低抵抗率SiC単結晶ウェハの必要性
    2. 低抵抗率SiC単結晶ウェハの技術課題と現状
  14. SiC単結晶ウェハの高品質化
    1. マイクロパイプ欠陥の低減
    2. 貫通転位の低減
    3. 基底面転位の低減
  15. まとめ
  16. Q&A
ページのトップヘ

主催

株式会社 R&D支援センター
お支払い方法、キャンセルの可否は、必ずお申し込み前にご確認をお願いいたします。

お問い合わせ

本セミナーに関するお問い合わせは tech-seminar.jpのお問い合わせからお願いいたします。
(主催者への直接のお問い合わせはご遠慮くださいませ。)

受講料

1名様
: 50,000円 (税別) / 55,000円 (税込)
複数名
: 25,000円 (税別) / 27,500円 (税込) (案内をご希望の場合に限ります)

案内割引・複数名同時申込割引について

R&D支援センターからの案内登録をご希望の方は、割引特典を受けられます。
案内および割引をご希望される方は、お申込みの際、「案内の希望 (割引適用)」の欄から案内方法をご選択ください。

「案内の希望」をご選択いただいた場合、1名様 45,000円(税別) / 49,500円(税込) で受講いただけます。
複数名で同時に申込いただいた場合、1名様につき 25,000円(税別) / 27,500円(税込) で受講いただけます。

  • R&D支援センターからの案内を希望する方
    • 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 45,000円(税別) / 49,500円(税込)
    • 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 50,000円(税別) / 55,000円(税込)
    • 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 75,000円(税別) / 82,500円(税込)
  • R&D支援センターからの案内を希望しない方
    • 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 50,000円(税別) / 55,000円(税込)
    • 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 100,000円(税別) / 110,000円(税込)
    • 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 150,000円(税別) / 165,000円(税込)

アーカイブ配信セミナー

  • 当日のセミナーを、後日にお手元のPCやスマホ・タブレッドなどからご視聴・学習することができます。
  • 配信開始となりましたら、改めてメールでご案内いたします。
  • 視聴サイトにログインしていただき、ご視聴いただきます。
  • 視聴期間は2024年9月17日〜10月1日を予定しております。
    ご視聴いただけなかった場合でも期間延長いたしませんのでご注意ください。
  • セミナー資料は別途、送付いたします。
本セミナーは終了いたしました。
セミナーの再開催を依頼する
ページのトップヘ

関連する出版物

発行年月
2019/7/19 2019年版 電子部品・デバイス市場の実態と将来展望
2018/11/30 EV・HEV向け電子部品、電装品開発とその最新事例
2018/3/20 レジスト材料・プロセスの使い方ノウハウとトラブル解決
2018/1/10 SiC/GaNパワーエレクトロニクス普及のポイント
2016/9/30 電磁波吸収・シールド材料の設計、評価技術と最新ノイズ対策
2015/6/30 導電性フィラー、導電助剤の分散性向上、評価、応用
2014/10/31 炭化ケイ素半導体 技術開発実態分析調査報告書 (CD-ROM版)
2014/10/31 炭化ケイ素半導体 技術開発実態分析調査報告書
2014/8/15 ワイヤレス給電・充電技術(装置) 技術開発実態分析調査報告書 (CD-ROM版)
2014/8/15 ワイヤレス給電・充電技術(装置) 技術開発実態分析調査報告書
2013/12/15 パワー半導体 技術開発実態分析調査報告書 (CD-ROM版)
2013/12/15 パワー半導体 技術開発実態分析調査報告書
2013/10/31 ディジタルコンバータの回路と制御設計の基礎
2013/2/10 酸化物半導体 技術開発実態分析調査報告書 (CD-ROM版)
2013/2/10 酸化物半導体 技術開発実態分析調査報告書
2012/10/30 SiCパワーデバイスの開発と最新動向
2012/10/12 2013年版 コンデンサ市場・部材の実態と将来展望
2012/6/15 半導体・液晶パネル製造装置9社 技術開発実態分析調査報告書
2012/6/15 半導体・液晶パネル製造装置9社 技術開発実態分析調査報告書 (CD-ROM版)
2012/4/25 GaNパワーデバイスの技術展開
ページのトップヘ