技術セミナー・研修・出版・書籍・通信教育・eラーニング・講師派遣の テックセミナー ジェーピー
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アーカイブ配信で受講をご希望の場合、視聴期間は2024年9月11日〜20日を予定しております。
アーカイブ配信のお申し込みは2024年9月18日まで承ります。
本セミナーでは、単結晶成長からウェハ加工、それらの材料評価技術に関する、基礎から応用、技術開発動向について解説し、高品位質で低コストなウェハを実現する製造技術について議論いたします。
パワーデバイス用の単結晶SiC、GaN、ヒートスプレッダや耐摩耗性コーティング用のダイヤモンド等の硬脆機能材料の仕上げ加工には、無歪かつ高能率な研磨能力が要求されます。しかしながら、これらの難加工材料に対して従来の工具と材料の硬度差を利用する物理的な機械加工法を適用すると脆性破壊や塑性変形現象を利用するため、加工面には必然的にダメージが導入され、基板が本来有する優れた物理・化学的性質を維持できません。また、化学機械研磨 (CMP) ではダメージは導入されないものの、研磨レートが低い、薬液を含むスラリーを用いるため環境負荷が大きい、といった問題を有します。
これらの問題を解決するために、プラズマを用いて難加工材料の表面を改質し、軟質砥粒を用いて軟質な改質膜を除去するプラズマ援用研磨法 (PAP: Plasma – assisted Polishing) が開発されました。本手法を適用するとワイドギャップ半導体材料やダイヤモンドを極めて高能率かつダメージフリーに研磨でき、サブナノメータオーダの表面粗さが得られます。本セミナーでは、プラズマ援用研磨法の原理とその応用例を紹介します。
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| 開始日時 | 会場 | 開催方法 | |
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| 発行年月 | |
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| 2012/6/15 | 半導体・液晶パネル製造装置9社 技術開発実態分析調査報告書 (CD-ROM版) |
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| 2012/4/15 | Intel 【米国特許版】 技術開発実態分析調査報告書 |
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| 2010/8/1 | '11 EMC・ノイズ対策業界の将来展望 |
| 2010/6/5 | 半導体技術10社 技術開発実態分析調査報告書 |
| 2010/5/14 | SiCパワーデバイス最新技術 |
| 2009/4/17 | '09 ノイズ対策関連市場の将来展望 |