技術セミナー・研修・出版・書籍・通信教育・eラーニング・講師派遣の テックセミナー ジェーピー
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本セミナーでは、性能とコスト・量産性のメリットから、次世代パワー半導体用材料として期待される「酸化ガリウム」について、材料の基礎から、トランジスタ、ショットキーバリアダイオードなどデバイス開発の最新事例、今後の課題と展望を解説いたします。
(2024年3月13日 11:00〜15:05 / ※12:30〜13:20 昼食休憩)
酸化ガリウム (Ga2O3) は、次世代パワーデバイス用途の新半導体材料として期待されるに足る、優れた材料物性を有します。また、原理的に大口径かつ高品質な単結晶基板を、融液成長法により安価かつ簡便に作製することができるという、産業上の大きな魅力も合わせ持ちます。こういった特徴から、SiC、GaNに続く次世代パワーデバイス材料候補として現在注目を集めております。
本講演では、Ga2O3パワーデバイスの位置づけ・魅力、現在までのエピタキシャル薄膜成長、デバイス (トランジスタ、ショットキーバリアダイオード) の研究開発状況、今後に向けた課題および展望などについて、講師グループおよび講師共同研究グループの開発成果を中心に解説いたします。
(2024年3月13日 15:15〜16:15)
酸化ガリウム (β-Ga2O3) は、その大きな絶縁破壊電界強度と、高品質な単結晶基板を安価に製造できるという特徴から、次世代のパワーデバイス材料として注目が集まっている。本講演では、当社が開発を進めるβ-Ga2O3単結晶基板、エピタキシャル成長、ショットキーバリアダイオード、トランジスタの最新状況を紹介する。
教員、学生および医療従事者はアカデミー割引価格にて受講いただけます。
| 開始日時 | 会場 | 開催方法 | |
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| 発行年月 | |
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| 2012/4/25 | GaNパワーデバイスの技術展開 |
| 2012/4/15 | Intel 【米国特許版】 技術開発実態分析調査報告書 |
| 2011/11/15 | 半導体露光装置 技術開発実態分析調査報告書 |
| 2010/8/1 | '11 EMC・ノイズ対策業界の将来展望 |
| 2010/6/5 | 半導体技術10社 技術開発実態分析調査報告書 |
| 2010/5/14 | SiCパワーデバイス最新技術 |
| 2009/4/17 | '09 ノイズ対策関連市場の将来展望 |
| 2008/9/1 | 半導体製造用炭化ケイ素 技術開発実態分析調査報告書 (PDF版) |
| 2008/9/1 | 半導体製造用炭化ケイ素 技術開発実態分析調査報告書 |
| 1999/10/29 | DRAM混載システムLSI技術 |
| 1999/2/26 | ソフトスイッチング電源技術 |
| 1993/3/1 | 電源系統における高調波歪規制と対策/測定技術 |
| 1992/11/11 | VLSI試験/故障解析技術 |
| 1991/6/1 | 高周波スイッチングコンバータ高性能化技術 |
| 1990/6/1 | LSI周辺金属材料・技術 |
| 1988/10/1 | 高密度表面実装 (SMT) におけるLSIパッケージング技術 |
| 1988/2/1 | 半導体の故障モードと加速試験 |
| 1985/12/1 | アナログIC/LSIパターン設計 (Ⅰ) |
| 1985/11/1 | アナログIC/LSIパターン設計 (Ⅱ) |