第1部 シリコン・パワー半導体におけるCMPの技術動向

(2024年2月27日 10:30〜12:00)

　セミナーでは最初にシリコン・パワー半導体CMPの基礎から現状の課題など幅広い観点で解説する。セミナーの前半部分では、最初にシリコン半導体を中心に企業などで経験した内容を開示可能な範囲で解説する。
　ここではCMPのプロセス設計の概要のほかにスラリー部材などの調合方法や低屈折率透明パッドによる微粒子計測や残膜測定法などの研究事例を取り上げる。後半部分はパワー半導体を中心にコローダルシリカのみ形成されるハイブリッドスラリーによる高効率研磨技術や水酸化フラーレンの開発事例について述べる。最後に半導体におけるCMPの将来展望について解説する。

1. CMP技術の基礎
   1. なぜ、CMPが導入されたか?
   2. 導入時における技術的課題
   3. 研磨装置の概要
   4. 実験動画の紹介 (2分程度)
   5. CMPの適用例
   6. 研磨性能評価について
   7. ディッシング・エロージョンについて
   8. 酸化膜CMPの平坦化プロセスへの適用例
   9. STI-CMPへの適用例
   10. Cu-CMPへの適用例
2. パワー半導体とシリコン半導体の違い
   1. 研磨レートの大幅な違い
   2. 材料除去メカニズムの考案
   3. 研磨部材について
3. シリコン半導体に関する研究事例
   1. 低屈折立透明パッドの作製法
   2. 低屈折立透明パッドによる酸化膜残膜測定法など
4. パワー半導体に関する研究事例
   1. ハワー半導体の研究動向
   2. ハイブリッド微粒子による高速研磨
   3. 水酸化フラーレンによるサファイア・SiC研磨の表面の平滑化
5. CMPの将来展望について
• 質疑応答

第2部 半導体洗浄の中のCMP洗浄とは

(2024年2月27日 13:00〜14:30)

1. はじめに … 2030年に向けたSEMI・CMP市場
2. 半導体CMP工程
   1. CMPとは
   2. CMPポリッシャ部の基本構成と原理
3. 装置構成
   • 研磨部
   • 洗浄部
   • 搬送部
4. 半導体洗浄工程
5. 一般洗浄とCMP後の洗浄
6. 今後のCMP後洗浄
7. まとめ
• 質疑応答

第3部 CMPプロセスの見える化技術

(2024年2月27日 14:45〜16:15)

　CMPでは副資材として、スラリー、パッド、コンディショナが用いられます。それらは、もちろん独立した副資材ではありますが、研磨プロセス全体を俯瞰してみるとき、大きく相互依存していることをご理解頂けるかと思います。したがって、それぞれの副資材の部分最適を試みるよりも、全体最適を常に意識することの必要性にお気づき頂けるかと思います。リラックスされながら聴講して頂けますと幸いです。

1. パッドの役割
   1. パッドアスペリティの測定・評価手法
   2. パッドアスペリティが研磨レートに及ぼす影響
2. コンディショナの役割とその作用機構
3. スラリーの役割
   1. パッドとウェーハの接触界面へのスラリー運搬
   2. マクロおよびミクロスケールで見た接触界面と研磨機構
4. 見える化技術の応用事例
   1. AI導入研磨装置の開発
   2. 研磨レートと摩擦係数の同時予測手法
• 質疑応答