技術セミナー・研修・出版・書籍・通信教育・eラーニング・講師派遣の テックセミナー ジェーピー
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本セミナーでは、性能とコスト・量産性のメリットから、次世代パワー半導体用材料として期待される「酸化ガリウム」について、材料の基礎から、トランジスタ、ショットキーバリアダイオードなどデバイス開発の最新事例、今後の課題と展望を解説いたします。
(2022年9月30日 10:30〜14:20) ※12:00~12:50は昼食休憩
酸化ガリウム (Ga2O3) は、次世代パワーデバイス用途の新半導体材料として期待されるに足る、優れた材料物性を有します。また、原理的に大口径かつ高品質な単結晶基板を、融液成長法により安価かつ簡便に作製することができるという、産業上の大きな魅力も合わせ持ちます。こういった特徴から、SiC、GaNに続く次世代パワーデバイス材料候補として現在注目を集めております。
本講演では、Ga2O3パワーデバイスの位置づけ・魅力、現在までのエピタキシャル薄膜成長、デバイス (トランジスタ、ショットキーバリアダイオード) の研究開発状況、今後に向けた課題および展望などについて、講師グループおよび講師共同研究グループの開発成果を中心に解説いたします。
(2022年9月30日 14:30〜15:30)
酸化ガリウム (β-Ga2O3) は、その大きな絶縁破壊電界強度と、高品質な単結晶基板を安価に製造できるという特徴から、次世代のパワーデバイス材料として注目が集まっている。
本講演では、当社が開発を進めるβ-Ga2O3単結晶基板、エピタキシャル成長、ショットキーバリアダイオード、トランジスタの最新状況を紹介する。
(2022年9月30日 15:40〜16:40)
酸化ガリウムには主に以下の弱点がありました。
前半は、これらのの克服過程についてお話をします。後半はこれらの欠点を克服し、さらに大きな可能性を秘めた新材料である二酸化ゲルマニウム (GeO2) の開発状況のお話をします。
※本講演は公開情報のみの発表となります。予めご了承ください。
教員、学生および医療従事者はアカデミー割引価格にて受講いただけます。
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