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自動車電動化へのSiC/GaNパワーデバイスの最新開発状況と普及予測、課題

自動車電動化へのSiC/GaNパワーデバイスの最新開発状況と普及予測、課題

オンライン 開催

概要

本セミナーでは、パワーデバイス技術の基礎・周辺材料技術と、SiCパワーデバイスの実際・最新動向について詳解いたします。

開催日

  • 2021年5月10日(月) 10時30分 16時30分

受講対象者

  • SiC半導体、GaN半導体、パワーデバイスに関連する技術者
    • 電気・エネルギー関連
    • 電力変換回路
    • 自動車
    • ハイブリッド車
    • 電気自動車
    • 電車
    • PC
    • 家電
    • エレベータ
    • インバーター
    • 無停電電源装置 など

修得知識

  • パワー半導体デバイスならびにパッケージの最新技術動向
  • シリコンIGBTの強み、SiC/GaNパワーデバイスの特長と課題
  • パワー半導体デバイスならびにSiC/GaN市場予測
  • シリコンIGBT、SiCデバイス実装技術
  • SiC/GaNデバイス特有の設計、プロセス技術

プログラム

 2020年、コロナウィルスの全世界的な蔓延により、世界各国は人的・経済的に甚大なダメージを受け回復の見通しは全く不透明といった状況にある。しかしこのような中においても、地球温暖化ならびに大気汚染対策のための自動車の電動化は人類にとって「待った無」の課題であることに変わりはない。最近ではカリフォルニア州が2035年までに州内でのガソリン車の新車販売を禁止するとの発表をするなど、EVシフト化への要求は極めて大きい。EVの性能を決める基幹部品であるパワーデバイスでは、新材料SiC/GaNデバイスの普及が大いに期待されている。しかしながら現状では、性能、信頼性、さらには価格の面で市場の要求に十分応えられているとは言えない。
 本講座では、SiC/GaNパワーデバイスを広く市場に普及するためのポイントは何かについて、強力なライバルであるシリコンデバイスの最新動向を横にらみしながら、わかりやすく解説したい。

  1. パワーエレクトロニクスとは?
    1. パワエレ&パワーデバイスの仕事
    2. パワーデバイスの種類と基本構造
    3. パワーデバイスの適用分野
    4. 高周波動作のメリットは
    5. シリコンMOSFET・IGBTだけが生き残った。なぜ?
    6. 次世代パワーデバイス開発の位置づけ
  2. 最新シリコンIGBTの進展
    1. 現在、そして10年後のパワー半導体の市場予測
    2. シリコンIGBTの今
    3. 最新のIGBT技術:まだまだ特性改善が進むIGBT
    4. 新構造IGBT:逆導通IGBT (RC-IGBT) の開発
    5. IGBTの進展を支える実装技術の進展
  3. SiCパワーデバイスの現状と課題
    1. 半導体デバイス材料の変遷
    2. ワイドバンドギャップ半導体とは?
    3. SiCのシリコンに対する利点
    4. 各社SiC-MOSFETを開発。なぜSiC-IGBTではないのか?
    5. SiCウェハができるまで
    6. SiC-SBDそしてSiC-MOSFET開発へ
    7. SiC-MOSFET拡販のための4つの課題
    8. なぜSiC-MOSFETがEVに適しているのか?
    9. SiC-MOSFET作成プロセス
    10. SiCデバイス信頼性のポイント
    11. 最新SiC-MOSFET開発動向
  4. GaNパワーデバイスの現状と課題
    1. なぜGaNパワーデバイスなのか?
    2. GaNデバイス構造は”横型GaN on Si”が主流。なぜ縦型GaN on GaNではないのか?
    3. GaN-HEMTデバイスの特徴と課題
    4. GaN-HEMTのノーマリ-オフ化
    5. Current Collapse現象メカニズム
    6. 最新GaN-HEMT開発動向
    7. 縦型GaNデバイスの最新動向
  5. 高温対応実装技術
    1. 高温動作ができると何がいいのか
    2. SiC-MOSFETモジュール用パッケージ。ポイントは何か?
    3. ますます重要度を増すSiC-MOSFETモジュール開発
  6. まとめ
    • 質疑応答

講師

  • 岩室 憲幸
    筑波大学 数理物質系 電子・物理工学専攻
    教授

主催

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お問い合わせ

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(主催者への直接のお問い合わせはご遠慮くださいませ。)

受講料

1名様
: 50,000円 (税別) / 55,000円 (税込)
複数名
: 45,000円 (税別) / 49,500円 (税込)

複数名同時受講割引について

  • 2名様以上でお申込みの場合、1名あたり 45,000円(税別) / 49,500円(税込) で受講いただけます。
    • 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 50,000円(税別) / 55,000円(税込)
    • 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 90,000円(税別) / 99,000円(税込)
    • 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 135,000円(税別) / 148,500円(税込)
  • 同一法人内による複数名同時申込みのみ適用いたします。
  • 受講券、請求書は、代表者にご郵送いたします。
  • 他の割引は併用できません。

アカデミック割引

  • 1名様あたり 30,000円(税別) / 33,000円(税込)

日本国内に所在しており、以下に該当する方は、アカデミック割引が適用いただけます。

  • 学校教育法にて規定された国、地方公共団体、および学校法人格を有する大学、大学院、短期大学、附属病院、高等専門学校および各種学校の教員、生徒
  • 病院などの医療機関・医療関連機関に勤務する医療従事者
  • 文部科学省、経済産業省が設置した独立行政法人に勤務する研究者。理化学研究所、産業技術総合研究所など
  • 公設試験研究機関。地方公共団体に置かれる試験所、研究センター、技術センターなどの機関で、試験研究および企業支援に関する業務に従事する方

ライブ配信セミナーについて

  • 本セミナーは「Zoom」を使ったライブ配信セミナーとなります。
  • お申し込み前に、 視聴環境テストミーティングへの参加手順 をご確認いただき、 テストミーティング にて動作確認をお願いいたします。
  • 開催日前に、接続先URL、ミーティングID​、パスワードを別途ご連絡いたします。
  • セミナー開催日時に、視聴サイトにログインしていただき、ご視聴ください。
  • セミナー資料は郵送にて前日までにお送りいたします。
  • 開催まで4営業日を過ぎたお申込みの場合、セミナー資料の到着が、開講日に間に合わない可能性がありますこと、ご了承下さい。
    ライブ配信の画面上でスライド資料は表示されますので、セミナー視聴には差し支えございません。
    印刷物は後日お手元に届くことになります。
  • ご自宅への書類送付を希望の方は、通信欄にご住所・宛先などをご記入ください。
  • タブレットやスマートフォンでも受講可能ですが、機能が制限される場合があります。
  • 講義の録音、録画などの行為や、権利者の許可なくテキスト資料、講演データの複製、転用、販売などの二次利用することを固く禁じます。
  • Zoomのグループにパスワードを設定しています。お申込者以外の参加を防ぐため、パスワードを外部に漏洩しないでください。
    万が一、部外者が侵入した場合は管理者側で部外者の退出あるいはセミナーを終了いたします。
本セミナーは終了いたしました。

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2021/11/9 半導体製造における洗浄技術の基礎と各種方式・装置の特性 オンライン
2021/11/9 DC/DCコンバータの徹底理解講座 (LLCコンバータ) オンライン
2021/11/11 自動車分野における吸音・遮音のメカニズムと材料開発の指針 愛知県 会場
2021/11/12 半導体プロセス技術の基礎とノウハウおよびトラブル対策 オンライン
2021/11/17 カーボンニュートラルと自動車用材料 オンライン
2021/11/18 ダイヤモンド大口径ウエハとパワー半導体デバイスの研究開発の最近の進展 オンライン
2021/11/22 5G・次世代自動車に対応するSiC/GaNパワーデバイスの技術動向と課題 オンライン

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