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自動車の電動化に向けた SiCパワーデバイス・GaNパワーデバイス開発の最新状況と今後の動向

自動車の電動化に向けた SiCパワーデバイス・GaNパワーデバイス開発の最新状況と今後の動向

～最新のSi-IGBT、SiC、GaN、高温対応実装技術まで～
東京都 開催 会場 開催
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概要

本セミナーでは、パワーデバイス技術の基礎・周辺材料技術と、SiCパワーデバイスの実際・最新動向について詳解いたします。

開催日

  • 2018年12月10日(月) 10時30分 ～ 16時30分

受講対象者

  • SiC半導体、GaN半導体、パワーデバイスに関連する技術者
    • 電気・エネルギー関連
    • 電力変換回路
    • 自動車
    • ハイブリッド車
    • 電気自動車
    • 電車
    • PC
    • 家電
    • エレベータ
    • インバーター
    • 無停電電源装置 など

修得知識

  • 過去30年のパワーデバイス開発の流れ
  • パワーデバイスの最新技術動向
  • Si-IGBTの強み
  • SiC/GaNパワーデバイスの特長と課題
  • パワー半導体、SiC/GaNの市場予測
  • SiCデバイス実装技術
  • SiCデバイス特有の設計
  • プロセス技術

プログラム

　2017年は、電気自動車 (EV) の開発に向け大きく進展する年となった。世界最大の自動車市場である中国をはじめヨーロッパはハイブリッド車を飛び越えてEVシフトへ舵を切った。日本、アメリカを巻き込んで世界全体でEV開発がいよいよ本格化した年となった。
　EVの性能を決める基幹部品であるパワーデバイスでは、新材料SiC/GaNデバイスの普及が大いに期待されている。しかしながら現状では、性能、信頼性、さらには価格の面で市場の要求に十分応えられているとは言えない。
　最強の競争相手であるシリコンIGBTからSiC/GaN開発技術の現状と今後の動向について、市場予測を含め丁寧に解説する。

  1. パワーエレクトロニクスとは?
    1. パワエレ&パワーデバイスの仕事
    2. パワー半導体の種類と基本構造
    3. パワーデバイスの適用分野
    4. 高周波化のメリット
    5. Si-MOSFET・IGBTの伸長
    6. パワーデバイス開発のポイント
  2. 最新シリコンパワーデバイス (Si-IGBT) の進展と課題
    1. パワーデバイス市場の今と将来
    2. IGBT開発のポイント
    3. IGBT特性改善を支える技術
    4. 薄ウェハ化の限界
    5. IGBT特性改善の次の一手
    6. 新しいコンセプトのIGBT (RC-IGBT) 開発
  3. SiCパワーデバイスの現状と課題
    1. 半導体デバイス材料の変遷
    2. ワイドバンドギャップ半導体とは?
    3. SiCのSiに対する利点
    4. なぜ各社はSiC-IGBTではなくSiC-MOSFETを開発するのか?
    5. SiC/GaNパワーデバイスの市場予測
    6. SiCウェハができるまで
    7. SiC-SBDそしてSiC-MOSFET開発へ
    8. 最近のSiC-MOSFETトピックス
    9. SiCのデバイスプロセス (Siパワーデバイスと何が違うのか)
    10. SiCデバイス信頼性向上のポイント
    11. SiC-MOSFET内蔵ダイオードのVf劣化とは?
    12. SBD内蔵SiCトレンチMOSFET
  4. GaNパワーデバイスの現状と課題
    1. なぜGaNパワーデバイスなのか?
    2. GaNデバイスの構造
    3. SiCとGaNデバイスの狙う市場
    4. GaN-HEMTデバイスの特徴
    5. ノーマリ-オフ特性
    6. GaN-HEMTのノーマリ-オフ化
    7. GaN-HEMTの課題
    8. GaNパワーデバイスの弱点はなにか
    9. 縦型GaNデバイスの最新動向
    10. 縦型SiC.vs.縦型GaNの行くえ
  5. 高温対応実装技術
    1. 高温動作ができると何がいいのか
    2. SiC-MOSFETモジュール用パッケージ
    3. パワーデバイスの動作パターン
    4. パワーデバイス動作中の素子破壊例
    5. 信頼性設計とシミュレーションの活用
  6. まとめ
    • 質疑応答・名刺交換
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講師

  • 岩室 憲幸 氏
    筑波大学 数理物質系 物理工学域
    教授
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会場

品川区立総合区民会館 きゅりあん

4F 第1特別講習室

東京都 品川区 東大井5丁目18-1
品川区立総合区民会館 きゅりあんの地図
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主催

サイエンス＆テクノロジー 株式会社
お支払い方法、キャンセルの可否は、必ずお申し込み前にご確認をお願いいたします。

お問い合わせ

本セミナーに関するお問い合わせは tech-seminar.jpのお問い合わせからお願いいたします。
(主催者への直接のお問い合わせはご遠慮くださいませ。)

受講料

1名様
: 42,750円 (税別) / 46,170円 (税込)
複数名
: 22,500円 (税別) / 24,300円 (税込)

複数名同時受講の割引特典について

  • 2名様以上でお申込みの場合、
    1名あたり 22,500円(税別) / 24,300円(税込) で受講いただけます。
    • 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 42,750円(税別) / 46,170円(税込)
    • 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 45,000円(税別) / 48,600円(税込)
    • 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 67,500円(税別) / 72,900円(税込)
  • 受講者全員が会員登録をしていただいた場合に限ります。
  • 同一法人内(グループ会社でも可)による複数名同時申込みのみ適用いたします。
  • 受講券、請求書は、代表者にご郵送いたします。
  • 請求書および領収書は1名様ごとに発行可能です。
    申込みフォームの通信欄に「請求書1名ごと発行」と記入ください。
  • 他の割引は併用できません。
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