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SiCパワーデバイス実装と高耐熱樹脂材料の開発動向

SiCパワーデバイス実装と高耐熱樹脂材料の開発動向

東京都 開催

開催日

  • 2018年11月16日(金) 13時30分 16時30分

プログラム

 パワーデバイスは、省エネルギーの決め手となる半導体素子であり、商用電源からの電気を必要最小限の電力に調節するためのコンバータやインバータに多用されている。その使用範囲は広く、自動車、発電・送電等の産業機器、エアコン等の家電機器、電車・船舶等にわたる。究極の省エネ技術としてSiC等の次世代デバイスの適用が始まっている。200℃を超える温度でも動作可能であるこれらのデバイスをフル活用するために、高温に耐える実装技術開発が必須となっている。
 本セミナーでは、高耐熱樹脂材料開発の現状と評価及び将来方向について解説する。

  1. パワーデバイスを取り巻く環境と市場及びモジュール技術動向
  2. 次世代パワーデバイスSiC、GaNの性能と応用
  3. 次世代パワーデバイスモジュールと実装材料
  4. 半導体用封止材の製造方法と性能
  5. 封止材料用熱硬化性樹脂の耐熱設計
    • 熱硬化性樹脂とは?
    • 耐熱性とは?
    • 実装材への適用課題?
  6. 相互反応及び変性を利用した耐熱性樹脂の可能性
    • エポキシ樹脂
    • ベンゾオキサジン樹脂
    • ビスマレイミド樹脂
    • シアネートエステル樹脂・高耐熱樹脂の技術動向
  7. 信頼性評価
    • パワーサイクルテスト
    • サーマルサイクルテスト
  8. SiC等大電流パワーモジュール実装材料評価
    • プラットフォーム性能確認と大電流SiCチップでの評価
  9. 簡易パッケージ、モジュールを用いた実装材料評価・開発支援
  10. 空冷も加味した大電流パワーモジュール材料開発支援
    • KAMOME A-PJの紹介

講師

  • 高橋 昭雄
    横浜国立大学 大学院 工学研究院
    産学官連携研究員

会場

ちよだプラットフォームスクウェア

5F 503会議室

東京都 千代田区 神田錦町3-21
ちよだプラットフォームスクウェアの地図

主催

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受講料

1名様
: 44,444円 (税別) / 48,000円 (税込)
複数名
: 19,907円 (税別) / 21,500円 (税込)

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アカデミック割引

  • 1名様あたり 23,148円(税別) / 25,000円(税込)

学校教育法にて規定された国、地方公共団体、および学校法人格を有する大学、大学院の教員、学生に限ります。

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